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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
MM3Z47VC Fairchild Semiconductor Mm3z47vc 0.0200
RFQ
 ECAD 9857 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F MM3Z47 200 MW Sod-323f descascar EAR99 8541.10.0050 2,913 1 V @ 10 Ma 45 na @ 33 V 47 V 160 ohmios
TIP32CTU Fairchild Semiconductor Tip32ctu 0.2500
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 Semiconductor de fairchild TIP32C Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 100 V 3 A 300 µA PNP 1.2V @ 375MA, 3A 25 @ 1a, 4v 3MHz
D44H11 Fairchild Semiconductor D44H11 -
RFQ
 ECAD 6175 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2 W Un 220-3 descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0075 50 80 V 10 A 10 µA NPN 1V @ 400 Ma, 8a 60 @ 2a, 1v 50MHz
MMSZ5238B Fairchild Semiconductor MMSZ5238B -
RFQ
 ECAD 8282 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% - Montaje en superficie SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 6.5 V 8.7 V 8 ohmios
KSC1675RBU Fairchild Semiconductor Ksc1675rbu 0.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 30 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 1 mapa, 10 ma 40 @ 1 MMA, 6V 300MHz
FSB50825TB2 Fairchild Semiconductor FSB50825TB2 5.2700
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Semiconductor de fairchild SPM® Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 23 Potencias (0.748 ", 19.00 mm) IGBT FSB50825 - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 15 3 fase 4 A 250 V 1500 VRMS
FQPF6N40C Fairchild Semiconductor Fqpf6n40c 0.5900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 400 V 6a (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 38W (TC)
BAT54SWT1G Fairchild Semiconductor BAT54SWT1G 1.0000
RFQ
 ECAD 1661 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAT54 Schottky SC-70-3 (SOT323) descascar EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 30 V 200MA (DC) 800 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -55 ° C ~ 125 ° C
FDME1034CZT Fairchild Semiconductor Fdme1034czt 1.0000
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Ufdfn Pad Expunesta FDME1034 Mosfet (Óxido de metal) 600MW 6-Microfet (1.6x1.6) descascar 0000.00.0000 1 Vecino del canal 20V 3.8a, 2.6a 66mohm @ 3.4a, 4.5V 1V @ 250 µA 4.2NC @ 4.5V 300pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FQPF33N10L Fairchild Semiconductor Fqpf33n10l 0.7100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 100 V 18a (TC) 5V, 10V 52mohm @ 9a, 10v 2V @ 250 µA 40 NC @ 5 V ± 20V 1630 pf @ 25 V - 41W (TC)
BUT11ATU Fairchild Semiconductor Pero11guru 0.5400
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Pero11 100 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 450 V 5 A 1mera NPN 1.5V @ 500 Ma, 2.5a - -
MMBT5088 Fairchild Semiconductor MMBT5088 -
RFQ
 ECAD 3594 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 30 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 350 @ 1 MMA, 5V 50MHz
FQPF15P12 Fairchild Semiconductor Fqpf15p12 -
RFQ
 ECAD 4050 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 - 2156-FQPF15P12 1 Canal P 120 V 15A (TC) 10V 200mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 41W (TC)
MJD44H11TM Fairchild Semiconductor Mjd44h11tm -
RFQ
 ECAD 5067 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 1.75 W TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 80 V 8 A 1 µA NPN 1V @ 400 Ma, 8a 60 @ 2a, 1v 85MHz
FFPF10UP30STTU Fairchild Semiconductor Ffpf10up30sttu -
RFQ
 ECAD 5536 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Estándar TO20F-2L descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.4 V @ 10 A 45 ns 100 µA @ 300 V -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
BC548BTA Fairchild Semiconductor BC548BTA 0.0400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 8,662 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
FDC699P Fairchild Semiconductor FDC699P 0.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6 SSOT Plano, SuperSot ™ -6 FLMP Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 flmp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 7a (TA) 2.5V, 4.5V 22mohm @ 7a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 38 NC @ 5 V ± 12V 2640 pf @ 10 V - 2W (TA)
495220TU Fairchild Semiconductor 495220tu 0.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 40 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 325 V 4 A 5MA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 5MA, 2A 1000 @ 3a, 5v -
1N5256BTR Fairchild Semiconductor 1N5256BTR 0.0200
RFQ
 ECAD 159 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5256 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 23 V 30 V 49 ohmios
FDD6606 Fairchild Semiconductor FDD6606 0.7200
RFQ
 ECAD 214 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 75A (TA) 4.5V, 10V 6mohm @ 17a, 10v 3V @ 250 µA 31 NC @ 5 V ± 20V 2400 pf @ 15 V - 71W (TC)
HUF76419D3 Fairchild Semiconductor HUF76419D3 0.2400
RFQ
 ECAD 4250 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.140 N-canal 60 V 20A (TC) 4.5V, 10V 37mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 27.5 NC @ 10 V ± 16V 900 pf @ 25 V - 75W (TC)
FDB8442-F085-FS Fairchild Semiconductor FDB8442-F085-FS 1.6100
RFQ
 ECAD 351 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 28a (TA), 80a (TC) 10V 2.9mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 235 NC @ 10 V ± 20V 12200 pf @ 25 V - 254W (TC)
1N4001 Fairchild Semiconductor 1N4001 0.0200
RFQ
 ECAD 131 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
ISL9K460P3_Q Fairchild Semiconductor ISL9K460P3_Q 1.0000
RFQ
 ECAD 9365 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - 0000.00.0000 1
FDMS3602AS Fairchild Semiconductor FDMS3602As 0.9400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS3602 Mosfet (Óxido de metal) 2.2W, 2.5W 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 Asimétrico del canal (dual) 25V 15a, 26a 5.6mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 27nc @ 10V 1770pf @ 13V Puerta de Nivel Lógico
FNA51060T3 Fairchild Semiconductor FNA51060T3 9.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 55 Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 20 Potencias (1.220 ", 31.00 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 1 Inversor de 3 fase 10 A 600 V 1500 VRMS
FSB50660SFT Fairchild Semiconductor FSB50660SFT 5.6000
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 Semiconductor de fairchild Move SPM® 5 Superfet® Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 23 Potencias (0.748 ", 19.00 mm) Mosfet descascar EAR99 8542.39.0001 1 3 fase 3.1 A 600 V 1500 VRMS
SI4467DY Fairchild Semiconductor Si4467dy 0.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 20 V 13.5a (TA) 1.8V, 4.5V 8.5mohm @ 13.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 120 NC @ 4.5 V ± 8V 8237 pf @ 10 V - 1.2W (TA)
1N4746A Fairchild Semiconductor 1N4746A 0.0300
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W Do-41 descascar EAR99 8541.10.0050 9,779 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 13.7 V 18 V 20 ohmios
HGTG18N120BN Fairchild Semiconductor Hgtg18n120bn -
RFQ
 ECAD 6491 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 HGTG18 Estándar 390 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 960V, 18a, 3ohm, 15V Escrutinio 1200 V 54 A 165 A 2.7V @ 15V, 18a 800 µJ (Encendido), 1.8mj (apaguado) 165 NC 23ns/170ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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