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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | Fqd4p25tf | - | ![]() | 3345 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 250 V | 3.1a (TC) | 10V | 2.1ohm @ 1.55a, 10V | 5V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 420 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBS10SH60I | 10.8400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDJ129P | 0.4600 | ![]() | 243 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75-6 FLMP | Mosfet (Óxido de metal) | SC75-6 FLMP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 70mohm @ 4.2a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 6 NC @ 4.5 V | ± 12V | 780 pf @ 10 V | - | 1.6w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG1G300US60H | 98.2200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 892 W | Estándar | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Soltero | - | 600 V | 300 A | 2.7V @ 15V, 300A | 250 µA | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN4917 | 0.0400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 30 V | 200 MA | 25NA | PNP | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 150 @ 10mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX70H | 0.0300 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 45 V | 200 MA | 20NA | NPN | 550mv @ 1.25 mA, 50 mA | 180 @ 2mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C10 | 0.0500 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 100 na @ 7.5 V | 10 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4731ATR | 0.0300 | ![]() | 249 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4731 | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C33-T50A | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar Afectados | 2156-BZX79C33-T50A-600039 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB50250A | 4.0600 | ![]() | 123 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | MOVIMIENTO SPM® 5 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 23 Potencias (0.573 ", 14.56 mm) | IGBT | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3 fase | 1.2 A | 500 V | 1500 VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9K460P3 | 1.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Stealth ™ | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | ISL9K460 | Estándar | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 4A | 2.4 v @ 4 a | 22 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Si4835dy | 0.2500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 8.8a (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 8.8a, 10V | 3V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 25V | 1680 pf @ 15 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd12p10tm | 1.0000 | ![]() | 3275 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 100 V | 9.4a (TC) | 10V | 290mohm @ 4.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 30V | 800 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ffp10u20dntu | 0.2500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 1.2 v @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Baw56 | 0.0300 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Baw56 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 85 V | 200 MMA | 1.25 V @ 150 Ma | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMB5551 | - | ![]() | 2585 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | FMB55 | 700MW | Supersot ™ -6 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 160V | 600mA | 50NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 200 MV a 5 mm, 50 Ma | 80 @ 10mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf17p06 | 0.5500 | ![]() | 64 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 12a (TC) | 10V | 120mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 25V | 900 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ffpf10up20stu | 0.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | TO20F-2L | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 567 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 V @ 10 A | 35 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD9407 | - | ![]() | 9497 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FDD940 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV70 | 0.0300 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV70 | Estándar | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 75 V | 215 Ma | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF34N25 | 1.6000 | ![]() | 610 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N-canal | 250 V | 21.7a (TC) | 10V | 85mohm @ 10.9a, 10v | 5V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 30V | 2750 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSE13003-AS | 0.1400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 20 W | A-126-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,219 | 400 V | 1.5 A | - | NPN | 3V @ 500mA, 1.5a | 8 @ 500mA, 2V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fpdb20ph60 | 12.7800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) | IGBT | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 | 2 fase | 12 A | 600 V | 2500 VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ndb603al | 0.3300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 15 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520S30 | 0.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | RB520 | Schottky | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 600 MV @ 200 Ma | 1 µA @ 10 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 200 MMA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N315Ad3 | 0.3600 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 833 | N-canal | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 900 pf @ 15 V | - | 55W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdd6n25tm | 0.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.086 | N-canal | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.2a, 10v | 5V @ 250 µA | 6 NC @ 10 V | ± 30V | 250 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mje200stu | - | ![]() | 2582 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | MJE200 | 15 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 25 V | 5 A | 100NA (ICBO) | NPN | 1.8v @ 1a, 5a | 45 @ 2a, 1v | 65MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C51 | 0.0200 | ![]() | 139 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79C51 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 500 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC548B | 0.0500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz |
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