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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BZX79C24 Fairchild Semiconductor BZX79C24 0.0200
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 16.8 V 24 V 70 ohmios
GBPC2502W Fairchild Semiconductor GBPC2502W 1.0000
RFQ
 ECAD 5822 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W Estándar GBPC-W descascar EAR99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 200 V 25 A Fase única 200 V
KSD1616GBU Fairchild Semiconductor Ksd1616gbu 0.0500
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 750 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 50 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 50 mm, 1a 200 @ 100 mapa, 2v 160MHz
MPSA12 Fairchild Semiconductor MPSA12 0.0500
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 5,000 20 V 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1V @ 10 µA, 10 Ma 20000 @ 10mA, 5V -
FSV330AF Fairchild Semiconductor FSV330AF 0.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AD, SMAF Schottky DO-214AD (SMAF) descascar EAR99 8542.39.0001 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 3 A 12.5 ns 100 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 485pf @ 0V, 1MHz
IRF730B Fairchild Semiconductor IRF730B 0.3200
RFQ
 ECAD 471 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 400 V 5.5a (TC) 10V 1ohm @ 2.75a, 10v 4V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 73W (TC)
FDS6921A Fairchild Semiconductor FDS6921A 1.0000
RFQ
 ECAD 9156 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 2.500
FMBS549 Fairchild Semiconductor FMBS549 0.0400
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 700 MW Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 5 30 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 750mv @ 200Ma, 2a 100 @ 500mA, 2V 100MHz
MMSZ5228B Fairchild Semiconductor MMSZ5228B -
RFQ
 ECAD 6434 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% - Montaje en superficie SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 3.9 V 24 ohmios
FCD900N60Z Fairchild Semiconductor FCD900N60Z 0.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8541.29.0095 385 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 900mohm @ 2.3a, 10V 3.5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 720 pf @ 25 V - 52W (TC)
DF02S Fairchild Semiconductor DF02S 1.0000
RFQ
 ECAD 7019 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar DF-S descascar EAR99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 200 V 1 A Fase única 200 V
FDB3672-F085 Fairchild Semiconductor FDB3672-F085 1.0000
RFQ
 ECAD 9590 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 100 V 7.2a (TA), 44A (TC) 6V, 10V 28mohm @ 44a, 10V 4V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1710 pf @ 25 V - 120W (TC)
SFU9024TU Fairchild Semiconductor Sfu9024tu -
RFQ
 ECAD 7397 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 60 V 7.8a (TC) 10V 280mohm @ 3.9a, 10v 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 32W (TC)
HUFA76407P3 Fairchild Semiconductor HUFA76407P3 0.3300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 60 V 13a (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 11.3 NC @ 10 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
FDS6064N7 Fairchild Semiconductor FDS6064N7 0.8100
RFQ
 ECAD 6598 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 310 N-canal 20 V 23a (TA) 1.8V, 4.5V 3.5mohm @ 23a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 98 NC @ 4.5 V ± 8V 7191 pf @ 10 V - 3W (TA)
MBR20100CTTU Fairchild Semiconductor MBR20100CTTU -
RFQ
 ECAD 2674 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 800 MV @ 10 A 200 µA @ 100 V 150 ° C (Máximo)
1N4749ATR Fairchild Semiconductor 1N4749ATR 0.0300
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W DO-204Al (DO-41) descascar EAR99 8541.10.0050 11,053 5 µA @ 18.2 V 24 V 25 ohmios
SFW9510TM Fairchild Semiconductor SFW9510TM 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 100 V 3.6a (TC) 10V 1.2ohm @ 1.8a, 10V 4V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 30V 335 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 32W (TC)
2N3906TA Fairchild Semiconductor 2N3906TA 1.0000
RFQ
 ECAD 3314 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 1 40 V 200 MA - PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
FJAF6810ATU Fairchild Semiconductor FJAF6810ATU -
RFQ
 ECAD 4768 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO 60 W Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 750 V 10 A 1mera NPN 3V @ 1.5a, 6a 5 @ 6a, 5v -
US2FA Fairchild Semiconductor US2FA -
RFQ
 ECAD 9112 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) descascar EAR99 8541.10.0080 1.977 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1 V @ 1.5 A 50 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
FQL40N50F Fairchild Semiconductor FQL40N50F -
RFQ
 ECAD 2298 0.00000000 Semiconductor de fairchild FRFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Mosfet (Óxido de metal) HPM F2 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 40A (TC) 10V 110MOHM @ 20A, 10V 5V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 30V 7500 pf @ 25 V - 460W (TC)
KSP13TA Fairchild Semiconductor Ksp13ta 1.0000
RFQ
 ECAD 9872 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar 0000.00.0000 1 30 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
FDU6680A Fairchild Semiconductor FDU6680A 0.8700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 14a (TA), 56A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 14a, 10v 3V @ 250 µA 20 NC @ 5 V ± 20V 1425 pf @ 15 V - 1.3W (TA), 60W (TC)
IRL620A Fairchild Semiconductor IRL620A 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 5A (TC) 5V 800mohm @ 2.5a, 5V 2V @ 250 µA 15 NC @ 5 V ± 20V 430 pf @ 25 V - 39W (TC)
FJN5471TA Fairchild Semiconductor Fjn5471ta 0.0200
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 750 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 327 20 V 5 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 3a 700 @ 500 mA, 2V 150MHz
KSA916YTA Fairchild Semiconductor Ksa916yta 0.0900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) 900 MW Un 92-3 descascar EAR99 8542.39.0001 3,845 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) PNP 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 120MHz
KSC1009YTA Fairchild Semiconductor Ksc1009yta -
RFQ
 ECAD 1818 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSC1009 800 MW Un 92-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 140 V 700 Ma 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 20 mm, 200 mA 120 @ 50mA, 2V 50MHz
FDH600 Fairchild Semiconductor FDH600 0.7000
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0070 2,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 50 V 1 V @ 200 Ma 4 ns 100 na @ 50 V 175 ° C (Máximo) 200 MMA 2.5pf @ 0V, 1 MHz
BC849CMTF Fairchild Semiconductor Bc849cmtf 0.0200
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 300MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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