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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | Ffpf06f150stu | 1.0000 | ![]() | 6048 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | TO20F-2L | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1500 V | 1.6 v @ 6 a | 170 ns | 7 µA @ 1500 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 6A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5282TR | 0.0200 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 900 MV @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 55 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 2.5pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST10MTF | - | ![]() | 3534 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350MW | Sot-23-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 25V | - | NPN | 60 @ 4MA, 10V | 650MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C56 | - | ![]() | 3316 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 7% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 100 na @ 42 V | 56 V | 135 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hrfz44n | 0.4200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 55 V | 49a (TC) | 10V | 22mohm @ 25A, 10V | 4V @ 250 µA | 75 NC @ 20 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4001R | 0.0200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | FJY400 | 200 MW | SOT-523F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z10V | 0.0200 | ![]() | 1839 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 200 MW | Sod-523f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 na @ 8 V | 10 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDP4060 | 0.4800 | ![]() | 134 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 15A (TC) | 10V | 100mohm @ 7.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 450 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA70N30TDTU | 1.7600 | ![]() | 660 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Estándar | 201 W | Un 3pn | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 21 ns | Zanja | 300 V | 160 A | 1.5V @ 15V, 20a | - | 125 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCPF380N60-F152 | 0.9600 | ![]() | 476 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Superfet® II | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FCPF380 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 V | 10.2a (TC) | 10V | 380mohm @ 5a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1665 pf @ 25 V | - | 31W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8027S | 0.8700 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench®, Syncfet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 347 | N-canal | 30 V | 18a (TA), 22a (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 18a, 10v | 3V @ 1MA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1815 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 36W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3702 | 0.0700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250 MV a 5 mm, 50 Ma | 60 @ 50 mm, 5v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFSH15120Adn-F155 | 7.3100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 42 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 8a (DC) | 1.75 v @ 8 a | 200 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF10N50CF | 1.3500 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | FRFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 223 | N-canal | 500 V | 10a (TC) | 10V | 610mohm @ 5a, 10v | 4V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 30V | 2096 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ2V4A | 0.0300 | ![]() | 5302 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 4% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.092 | 1.2 v @ 200 ma | 84 µA @ 1 V | 2.4 V | 35 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqa11n90 | - | ![]() | 9792 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 900 V | 11.4a (TC) | 10V | 960mohm @ 5.7a, 10V | 5V @ 250 µA | 94 NC @ 10 V | ± 30V | 3500 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FNF50560TD1 | 7.1200 | ![]() | 312 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | MOVIMIENTO SPM® 55 | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Módulo de 20 Potencias (1.220 ", 31.00 mm) | IGBT | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8542.39.0001 | 78 | 3 fase | 5 A | 600 V | 1500 VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9015BTA | 0.0200 | ![]() | 2898 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 450 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 12,384 | 45 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 5 ma, 100 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 190MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5403 | 0.2900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.2 v @ 3 a | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8433A | - | ![]() | 9410 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal P | 20 V | 5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 47mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 28 NC @ 5 V | ± 8V | 1130 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fds6984s | 1.3800 | ![]() | 115 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench®, Syncfet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FDS69 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 5.5a, 8.5a | 19mohm @ 8.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 12NC @ 5V | 1233pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 4N361 | - | ![]() | 3730 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDI047An08a0 | 2.4900 | ![]() | 787 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 75 V | 80a (TC) | 6V, 10V | 4.7mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 138 NC @ 10 V | ± 20V | 6600 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc5042tu | - | ![]() | 3172 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | KSC5042 | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 10 µA (ICBO) | NPN | 5V @ 4MA, 20MA | 30 @ 10mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP18N20F | - | ![]() | 4467 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 200 V | 18a (TC) | 10V | 145mohm @ 9a, 10v | 5V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 30V | 1180 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C15TR5K-FS | 0.0200 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76419D3ST | 0.5300 | ![]() | 713 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | HUFA76419 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 713 | N-canal | 60 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 37mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 27.5 NC @ 10 V | ± 16V | 900 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF18N20V2 | 1.0800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 18a (TC) | 10V | 140mohm @ 9a, 10v | 5V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 30V | 1080 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6696 | 0.4600 | ![]() | 217 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 13A (TA), 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 13a, 10v | 3V @ 250 µA | 24 NC @ 5 V | ± 16V | 1715 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbz5256b | - | ![]() | 9886 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 23 V | 30 V | 49 ohmios |
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