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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1)
FSBM15SM60A Fairchild Semiconductor FSBM15SM60A 19.8200
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 Semiconductor de fairchild SPM® Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 32 Potencias (1.370 ", 34.80 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 48 3 fase 15 A 600 V 2500 VRMS
BC548ATA Fairchild Semiconductor Bc548ata 0.0200
RFQ
 ECAD 4991 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO6-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,432 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 300MHz
KSB772OS Fairchild Semiconductor KSB772OS 0.1000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 250 30 V 3 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 200MA, 2a 100 @ 1a, 2v 80MHz
BC639 Fairchild Semiconductor BC639 -
RFQ
 ECAD 3093 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO6-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 200MHz
MBR1645 Fairchild Semiconductor MBR1645 1.0000
RFQ
 ECAD 1491 0.00000000 Semiconductor de fairchild Switchmode ™ Una granela Activo A Través del Aguetero Un 220-2 MBR1645 Schottky Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 630 MV @ 16 A 1 ma @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C 16A 1400pf @ 5V, 1MHz
IRF9540 Fairchild Semiconductor IRF9540 1.2500
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Vendedor indefinido Alcanzar Afectados 2156-IRF9540-600039 1 Canal P 100 V 19a (TC) 10V 200mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 61 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 150W (TC)
BZX55C6V2 Fairchild Semiconductor BZX55C6V2 0.0400
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 2 V 6.2 V 10 ohmios
BC857S Fairchild Semiconductor BC857S -
RFQ
 ECAD 2842 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BC857 300MW SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 45V 200 MMA 15NA (ICBO) 2 PNP (dual) 650mv @ 5 mm, 100 mapa 125 @ 2mA, 5V 200MHz
FDZ2553NZ Fairchild Semiconductor FDZ2553NZ 0.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 18 WFBGA FDZ25 Mosfet (Óxido de metal) 2.1w 18-BGA (2.5x4) descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 9.6a 14mohm @ 9.6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 18NC @ 5V 1240pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FDB7045L Fairchild Semiconductor FDB7045L 4.0500
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 100A (TJ) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 50A, 10V 3V @ 250 µA 58 NC @ 5 V ± 20V 4357 pf @ 15 V - 107W (TA)
KSC838YBU Fairchild Semiconductor Ksc838ybu 0.0300
RFQ
 ECAD 1327 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 9,744 30 V 30 Ma 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 1 mapa, 10 ma 120 @ 2mA, 12V 250MHz
FSBS15CH60 Fairchild Semiconductor FSBS15CH60 14.7800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 3 Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 21 Inversor de 3 fase 15 A 600 V 2500 VRMS
HUF75542S3S Fairchild Semiconductor HUF75542S3S 1.5900
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 80 V 75A (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 180 NC @ 20 V ± 20V 2750 pf @ 25 V - 230W (TC)
BC557ATA Fairchild Semiconductor Bc557ata 0.0400
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO6-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 7.322 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
RS1DFA Fairchild Semiconductor Rs1dfa 0.0700
RFQ
 ECAD 9184 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie SOD-123W RS1D Estándar SOD-123FA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 658 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
KSA614O Fairchild Semiconductor KSA614O 1.0000
RFQ
 ECAD 8695 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 25 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 200 55 V 3 A 50 µA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 70 @ 500mA, 5V -
BC548CTA Fairchild Semiconductor BC548CTA 0.0400
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO6-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 8,266 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 300MHz
FQPF7N20 Fairchild Semiconductor FQPF7N20 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 4.8a (TC) 10V 690mohm @ 2.4a, 10v 5V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 30V 400 pf @ 25 V - 37W (TC)
FDP12N50NZ Fairchild Semiconductor Fdp12n50nz -
RFQ
 ECAD 9483 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 11.5A (TC) 10V 520mohm @ 5.75a, 10V 5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 25V 1235 pf @ 25 V - 170W (TC)
FDS7066ASN3 Fairchild Semiconductor Fds7066Asn3 1.1900
RFQ
 ECAD 623 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 19a (TA) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 19a, 10v 3V @ 1MA 62 NC @ 10 V ± 20V 2460 pf @ 15 V - 3W (TA)
DFB2005 Fairchild Semiconductor DFB2005 1.3600
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P Estándar TS-6P descascar EAR99 8541.10.0080 240 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 50 V 20 A Fase única 50 V
FSB50550T Fairchild Semiconductor FSB50550T 10.5600
RFQ
 ECAD 410 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 5 Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 23 Potencias (0.748 ", 19.00 mm) Mosfet FSB505 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 29 3 fase 1.8 A 500 V 1500 VRMS
FJN3310RBU Fairchild Semiconductor Fjn3310rbu 1.0000
RFQ
 ECAD 2532 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) FJN331 300 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 1 mapa, 10 ma 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 10 kohms
BSR13 Fairchild Semiconductor BSR13 1.0000
RFQ
 ECAD 5723 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 500 mA 30NA (ICBO) NPN 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 250MHz
BC307CBU Fairchild Semiconductor Bc307cbu 0.0200
RFQ
 ECAD 1289 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 629 45 V 100 mA 15NA PNP 500mv @ 5 mm, 100 mapa 380 @ 2mA, 5V 130MHz
FFP06U20DNTU Fairchild Semiconductor Ffp06u20dntu 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 6A 1.2 v @ 6 a 35 ns 6 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C
ISL9R18120G2 Fairchild Semiconductor ISL9R18120G2 1.0000
RFQ
 ECAD 2861 0.00000000 Semiconductor de fairchild Stealth ™ Una granela Activo A Través del Aguetero To-247-2 Estándar To-247-2 descascar EAR99 8542.39.0001 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 3.3 V @ 18 A 70 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 18A -
FLZ20VA Fairchild Semiconductor FLZ20VA 1.0000
RFQ
 ECAD 8727 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 2.500 1.2 v @ 200 ma 133 na @ 15 V 18.5 V 23.5 ohmios
KSH122TF Fairchild Semiconductor KSH122TF -
RFQ
 ECAD 8567 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 1.75 W TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 2,000 100 V 8 A 10 µA NPN - Darlington 4V @ 80MA, 8A 1000 @ 4a, 4V -
MM3Z4V7C Fairchild Semiconductor MM3Z4V7C 0.0300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 200 MW Sod-323f descascar EAR99 8541.10.0050 11,539 1 V @ 10 Ma 2.7 µA @ 2 V 4.7 V 75 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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