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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) |
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FSB50450 | 5.8000 | ![]() | 179 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | MOVIMIENTO SPM® 5 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 23 Potencias (0.551 ", 14.00 mm) | Mosfet | FSB504 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3 fase | 1.5 A | 500 V | 1500 VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ffpf05u60dntu | 0.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 5A | 2.3 V @ 5 A | 80 ns | 2.5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS335N | 0.1800 | ![]() | 95 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 1.7a (TA) | 2.7V, 4.5V | 110mohm @ 1.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 9 NC @ 4.5 V | 8V | 240 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF33N10 | 0.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N-canal | 100 V | 25.8a (TC) | 10V | 52mohm @ 12.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 25V | 1500 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Njvmjd122t4g-vf01 | - | ![]() | 2669 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 1.75 W | Dpak | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 100 V | 8 A | 10 µA | NPN - Darlington | 4V @ 8a, 80 Ma | 1000 @ 4a, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD127TF | 1.0000 | ![]() | 5044 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 1.75 W | TO-252-3 (DPAK) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 100 V | 8 A | 10 µA | PNP - Darlington | 4V @ 80MA, 8A | 1000 @ 4a, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS2170N7 | 2.0100 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 V | 3a (TA) | 10V | 128mohm @ 3a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1292 pf @ 100 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C9V1 | 0.0300 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85C9 | 1.3 W | Do-41G | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 6.8 V | 9.1 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5994B | 2.0000 | ![]() | 77 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 v @ 200 ma | 2 µA @ 3 V | 5.6 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76609D3ST | 0.4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 10a (TC) | 4.5V, 10V | 160mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 16V | 425 pf @ 25 V | - | 49W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD13610S | 0.2300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 1.25 W | A-126-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.421 | 45 V | 1.5 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA13RA | - | ![]() | 4771 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO6-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 1.2 A | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSV330AF | 0.1200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AD, SMAF | Schottky | DO-214AD (SMAF) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 3 A | 12.5 ns | 100 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 485pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA12 | 0.0500 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO6-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | TO-92 (TO-226) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 20 V | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1V @ 10 µA, 10 Ma | 20000 @ 10mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C24 | 0.0200 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6680A | 1.5300 | ![]() | 204 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 14a (TA), 56a (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 20V | 1425 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDLL400 | 0.0400 | ![]() | 71 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Estándar | Sod-80 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 7,493 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 150 V | 1.1 V @ 300 Ma | 50 ns | 100 na @ 150 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR13 | 1.0000 | ![]() | 5723 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 500 mA | 30NA (ICBO) | NPN | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857S | - | ![]() | 2842 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | BC857 | 300MW | SC-88 (SC-70-6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 45V | 200 MMA | 15NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 125 @ 2mA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9R18120G2 | 1.0000 | ![]() | 2861 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Stealth ™ | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | Estándar | To-247-2 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.3 V @ 18 A | 70 ns | 100 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 18A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjn3310rbu | 1.0000 | ![]() | 2532 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | FJN331 | 300 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB7045L | 4.0500 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 100A (TJ) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 50A, 10V | 3V @ 250 µA | 58 NC @ 5 V | ± 20V | 4357 pf @ 15 V | - | 107W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ffp06u20dntu | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 6A | 1.2 v @ 6 a | 35 ns | 6 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C6V2 | 0.0400 | ![]() | 86 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 100 na @ 2 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDZ2553NZ | 0.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 18 WFBGA | FDZ25 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.1w | 18-BGA (2.5x4) | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 9.6a | 14mohm @ 9.6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 18NC @ 5V | 1240pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB50550T | 10.5600 | ![]() | 410 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | MOVIMIENTO SPM® 5 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 23 Potencias (0.748 ", 19.00 mm) | Mosfet | FSB505 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.39.0001 | 29 | 3 fase | 1.8 A | 500 V | 1500 VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ20VA | 1.0000 | ![]() | 8727 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.2 v @ 200 ma | 133 na @ 15 V | 18.5 V | 23.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc307cbu | 0.0200 | ![]() | 1289 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 629 | 45 V | 100 mA | 15NA | PNP | 500mv @ 5 mm, 100 mapa | 380 @ 2mA, 5V | 130MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1645 | 1.0000 | ![]() | 1491 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Switchmode ™ | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | MBR1645 | Schottky | Un 220-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 630 MV @ 16 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 16A | 1400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB772OS | 0.1000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 1 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 30 V | 3 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200MA, 2a | 100 @ 1a, 2v | 80MHz |
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