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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia - RDS (ON) Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
TIP32C Fairchild Semiconductor TIP32C -
RFQ
 ECAD 4328 0.00000000 Semiconductor de fairchild TIP32C Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 476 100 V 3 A 300 µA PNP 1.2V @ 375MA, 3A 25 @ 1a, 4v 3MHz
FQI19N20TU Fairchild Semiconductor Fqi19n20tu 0.6700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 19.4a (TC) 10V 150mohm @ 9.7a, 10v 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1600 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 140W (TC)
NDS355AN-NB9L007A Fairchild Semiconductor NDS355AN-NB9L007A -
RFQ
 ECAD 3585 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156S355an-NB9L007A-600039 1 N-canal 30 V 1.7a (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 1.9a, 10v 2V @ 250 µA 5 NC @ 5 V ± 20V 195 pf @ 15 V - 500MW (TA)
MPSH17-D26Z Fairchild Semiconductor MPSH17-D26Z 0.0700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 2,000
FPAB30PH60 Fairchild Semiconductor FPAB30PH60 14.6200
RFQ
 ECAD 275 0.00000000 Semiconductor de fairchild SPM® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 10 2 fase 20 A 600 V 2500 VRMS
SI3456DV Fairchild Semiconductor Si3456dv 0.1800
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 5.1a (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 5.1a, 10V 2V @ 250 µA 12.6 NC @ 10 V ± 20V 463 pf @ 15 V - 800MW (TA)
MMBD701 Fairchild Semiconductor MMBD701 0.0600
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0070 3.000 280 MW 1PF @ 20V, 1MHz Schottky - Single 70V -
FQP2N80 Fairchild Semiconductor FQP2N80 0.7200
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 800 V 2.4a (TC) 10V 6.3ohm @ 1.2a, 10V 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 550 pf @ 25 V - 85W (TC)
MMSZ5229B Fairchild Semiconductor MMSZ5229B -
RFQ
 ECAD 7071 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% - Montaje en superficie SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 23 ohmios
FSB50550A Fairchild Semiconductor FSB50550A 5.6200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 5 Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 23 Potencias (0.573 ", 14.56 mm) Mosfet descascar EAR99 8542.39.0001 54 3 fase 2 A 500 V 1500 VRMS
BC557BTF Fairchild Semiconductor BC557BTF -
RFQ
 ECAD 5902 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 934 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 150MHz
FDD16AN08A0_NF054 Fairchild Semiconductor Fdd16an08a0_nf054 1.0000
RFQ
 ECAD 3965 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar No Aplicable EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 75 V 9A (TA), 50A (TC) 6V, 10V 16mohm @ 50a, 10v 4V @ 250 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 1874 pf @ 25 V - 135W (TC)
FCH104N60 Fairchild Semiconductor FCH104N60 1.0000
RFQ
 ECAD 7227 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FCH104 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 37a (TC) 10V 104mohm @ 18.5a, 10V 3.5V @ 250 µA 82 NC @ 10 V ± 20V 4165 pf @ 380 V - 357W (TC)
BD13616S Fairchild Semiconductor Bd13616s 0.2500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1.25 W A-126-3 descascar EAR99 8541.29.0095 1.195 45 V 1.5 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V -
FDMS7606 Fairchild Semiconductor FDMS7606 0.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMS76 Mosfet (Óxido de metal) 1W Power56 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 11.5a, 12a 11.4mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250 µA 22nc @ 10V 1400pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FGA70N30TTU Fairchild Semiconductor FGA70N30TTU 2.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 201 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 - Zanja 300 V 160 A 1.5V @ 15V, 20a - 125 NC -
1N961BTR Fairchild Semiconductor 1N961BTR 0.0200
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 5,000 10 µA @ 7.6 V 10 V 8.5 ohmios
1N5226BTR Fairchild Semiconductor 1N5226BTR 0.0300
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0050 11,539 1.2 v @ 200 ma 25 µA @ 1 V 3.3 V 28 ohmios
FDN304P Fairchild Semiconductor FDN304P -
RFQ
 ECAD 6522 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 0000.00.0000 1 Canal P 20 V 2.4a (TA) 1.8V, 4.5V 52mohm @ 2.4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 20 NC @ 4.5 V ± 8V 1312 pf @ 10 V - 500MW (TA)
FDH038AN08A1 Fairchild Semiconductor FDH038AN08A1 6.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar EAR99 8542.39.0001 51 N-canal 75 V 22a (TA), 80a (TC) 6V, 10V 3.8mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 160 NC @ 10 V ± 20V 8665 pf @ 25 V - 450W (TC)
PN5432 Fairchild Semiconductor PN5432 1.0000
RFQ
 ECAD 8043 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 30pf @ 10V (VGS) 25 V 150 mA @ 15 V 4 V @ 3 Na 5 ohmios
FLZ2V2B Fairchild Semiconductor FLZ2V2B 0.0200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 4% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 2.500 1.2 v @ 200 ma 55 µA @ 700 MV 2.3 V 35 ohmios
FDS4410A Fairchild Semiconductor FDS4410A 1.0000
RFQ
 ECAD 2286 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Fds44 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 10a (TA) 13.5mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 16 NC @ 5 V 1205 pf @ 15 V - -
3N250 Fairchild Semiconductor 3N250 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM Estándar KBPM descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 30 1 V @ 1 A 5 µA @ 600 V 1.5 A Fase única 600 V
FSBF10CH60BTS Fairchild Semiconductor FSBF10CH60BTS -
RFQ
 ECAD 1761 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 0000.00.0000 17
FGA20S140P Fairchild Semiconductor FGA20S140P 1.4800
RFQ
 ECAD 425 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA20S140 Estándar 272 W Un 3pn descascar EAR99 8542.39.0001 204 - Parada de Campo de Trinchera 1400 V 40 A 60 A 2.4V @ 15V, 20a - 203.5 NC -
FDMS2504SDC Fairchild Semiconductor FDMS2504SDC 2.1900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild Dual Cool ™, Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 25 V 42a (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 1.25mohm @ 32a, 10v 3V @ 1MA 119 NC @ 10 V ± 20V 7770 pf @ 13 V - 3.3W (TA), 104W (TC)
FQPF3N80 Fairchild Semiconductor FQPF3N80 0.7800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 1.8a (TC) 10V 5ohm @ 900 mA, 10v 5V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 690 pf @ 25 V - 39W (TC)
FLZ3V0A Fairchild Semiconductor FLZ3V0A -
RFQ
 ECAD 1071 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 4% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 2.500 1.2 v @ 200 ma 35 µA @ 1 V 3 V 35 ohmios
KSC1393YTA Fairchild Semiconductor Ksc1393yta 0.0200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 250MW Un 92-3 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-KSC1393yta EAR99 8541.21.0095 1 24db 30V 20 Ma NPN 90 @ 2mA, 10V 700MHz 2dB @ 200MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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