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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
FDP040N06 Fairchild Semiconductor FDP040N06 1.7300
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 4mohm @ 75a, 10v 4.5V @ 250 µA 133 NC @ 10 V ± 20V 8235 pf @ 25 V - 231W (TC)
SSS1N60B Fairchild Semiconductor SSS1N60B 0.1400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 1A (TJ) 10V 12ohm @ 500 mA, 10V 4V @ 250 µA 7.7 NC @ 10 V ± 30V 215 pf @ 25 V - 17W (TC)
FLZ9V1C Fairchild Semiconductor FLZ9V1C 1.0000
RFQ
 ECAD 7960 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 27,500 1.2 v @ 200 ma 300 na @ 6 V 9.1 V 6.6 ohmios
KSC1674COBU Fairchild Semiconductor Ksc1674cobu 0.0200
RFQ
 ECAD 8988 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 12,645 - 20V 20 Ma NPN 70 @ 1 MMA, 6V 600MHz 3DB ~ 5DB @ 100MHz
FDB5645 Fairchild Semiconductor FDB5645 3.8100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 80a (TA) 6V, 10V 9.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250 µA 107 NC @ 10 V ± 20V 4468 pf @ 30 V - 125W (TC)
FFH50US60S Fairchild Semiconductor FFH50US60S 1.0000
RFQ
 ECAD 8423 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero To-247-2 Estándar To-247-2 descascar EAR99 8542.39.0001 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.54 v @ 50 a 124 ns 100 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 50A -
BC237 Fairchild Semiconductor BC237 0.0500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 350 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 5V 200MHz
S2K Fairchild Semiconductor S2K -
RFQ
 ECAD 4949 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar SMB (DO-214AA) descascar EAR99 8541.10.0080 2,185 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.15 v @ 2 a 1.5 µs 5 µA @ 800 V -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
FJE5304DTU Fairchild Semiconductor FJE5304DTU -
RFQ
 ECAD 1613 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 30 W A-126-3 descascar 0000.00.0000 1 400 V 4 A 100 µA NPN 1.5V @ 500 Ma, 2.5a 8 @ 2a, 5v -
FSBF3CH60B Fairchild Semiconductor FSBF3CH60B 10.6700
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 Semiconductor de fairchild Movimiento-SPM® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 10 3 fase 3 A 600 V 2500 VRMS
RGP10D Fairchild Semiconductor RGP10D 0.0600
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar DO-204Al (DO-41) descascar EAR99 8541.10.0080 4.915 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
KST5551MTF Fairchild Semiconductor KST5551MTF 1.0000
RFQ
 ECAD 4546 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 KST55 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 160 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 80 @ 10mA, 5V 300MHz
BZX55C6V8 Fairchild Semiconductor BZX55C6V8 0.0600
RFQ
 ECAD 209 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 3 V 6.8 V 8 ohmios
1N754A_NL Fairchild Semiconductor 1N754A_NL 0.0200
RFQ
 ECAD 7505 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 V 6.8 V 5 ohmios
FDMS8670S Fairchild Semiconductor FDMS8670S -
RFQ
 ECAD 8830 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 20A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 20a, 10v 3V @ 1MA 73 NC @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 78W (TC)
KSB564ACGBU Fairchild Semiconductor Ksb564acgbu 0.0700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 4.798 25 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 200 @ 100 mapa, 1v 110MHz
1N6002B Fairchild Semiconductor 1N6002B 2.0000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 163 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 9.1 V 12 V 22 ohmios
MM5Z51V Fairchild Semiconductor Mm5z51v -
RFQ
 ECAD 7130 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 200 MW descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-MM5Z51V-600039 1 50 na @ 35.7 V 51 V 180 ohmios
FQU4N25TU Fairchild Semiconductor Fqu4n25tu 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 250 V 3A (TC) 10V 1.75ohm @ 1.5a, 10v 5V @ 250 µA 5.6 NC @ 10 V ± 30V 200 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 37W (TC)
1N5231BTR Fairchild Semiconductor 1N5231BTR -
RFQ
 ECAD 1610 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 2 V 5.1 V 17 ohmios
FDFS2P103A Fairchild Semiconductor FDFS2P103A 0.4300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 Canal P 30 V 5.3a (TA) 4.5V, 10V 59mohm @ 5.3a, 10v 3V @ 250 µA 8 NC @ 5 V ± 25V 535 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 900MW (TA)
FGB20N6S2D Fairchild Semiconductor FGB20N6S2D 1.0000
RFQ
 ECAD 3420 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 125 W D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 390v, 7a, 25ohm, 15V 31 ns - 600 V 28 A 40 A 2.7V @ 15V, 7a 25 µJ (Encendido), 58 µJ (apaguado) 30 NC 7.7ns/87ns
KSB1151YSTSTU Fairchild Semiconductor Ksb1151yststu 0.2900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSB11 1.3 W A-126-3 - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 60 V 5 A 10 µA (ICBO) PNP 300mv @ 200MA, 2a 160 @ 2a, 1v -
FDD6035AL Fairchild Semiconductor Fdd6035al 0.4800
RFQ
 ECAD 207 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 12A (TA), 46A (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 18 NC @ 5 V ± 20V 1230 pf @ 15 V - 1.5W (TA), 56W (TC)
ES1A Fairchild Semiconductor ES1A 1.0000
RFQ
 ECAD 2704 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC, SMA descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 920 MV @ 1 A 15 ns 5 µA @ 50 V -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZX85C4V3 Fairchild Semiconductor BZX85C4V3 0.0300
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero 1 W descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-BZX85C4V3-600039 1 3 µA @ 1 V 4.3 V 13 ohmios
ISL9N310AD3ST Fairchild Semiconductor Isl9n310Ad3st -
RFQ
 ECAD 4782 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 995 N-canal 30 V 35A (TC) 4.5V, 10V 10ohm @ 35a, 10a 3V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 15 V - 70W (TA)
SGL40N150DTU Fairchild Semiconductor SGL40N150DTU 11.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Sgl40 Estándar 200 W HPM F2 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 25 - 300 ns - 1500 V 40 A 120 A 4.7V @ 15V, 40A - 140 NC -
FQI12N60TU Fairchild Semiconductor Fqi12n60tu 1.3100
RFQ
 ECAD 627 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 10.5a (TC) 10V 700mohm @ 5.3a, 10V 5V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 30V 1900 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 180W (TC)
FPAM50LH60G Fairchild Semiconductor FPAM50LH60G -
RFQ
 ECAD 5732 0.00000000 Semiconductor de fairchild PFC SPM® 2 Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 32 Potencias (1.370 ", 34.80 mm) IGBT - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FPAM50LH60G-600039 1 2 fase 50 A 600 V 2500 VRMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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