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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
MBR4050PT Fairchild Semiconductor MBR4050PT -
RFQ
 ECAD 2430 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR4050 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar EAR99 8541.10.0080 190 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 40A 720 MV @ 20 A 1 ma @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C
FDD3580 Fairchild Semiconductor FDD3580 0.9600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 7.7a (TA) 6V, 10V 29mohm @ 7.7a, 10V 4V @ 250 µA 49 NC @ 10 V ± 20V 1760 pf @ 40 V - 3.8W (TA), 42W (TC)
FSBM15SH60 Fairchild Semiconductor FSBM15SH60 20.0000
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Semiconductor de fairchild SPM® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 32 Potencias (1.370 ", 34.80 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 48 3 fase 15 A 600 V 2500 VRMS
FQB7N60TM-WS Fairchild Semiconductor FQB7N60TM-WS 0.9800
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) - Vendedor indefinido Vendedor indefinido 2156-FQB7N60TM-WS-600039 1 N-canal 600 V 7.4a (TC) 10V 1ohm @ 3.7a, 10v 5V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1430 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 142W (TC)
KSD882YSTU Fairchild Semiconductor Ksd882ystu -
RFQ
 ECAD 4698 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1 W A-126-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 30 V 3 A 1 µA (ICBO) NPN 500mv @ 200MA, 2a 160 @ 1a, 2v 90MHz
FDD6688S Fairchild Semiconductor FDD6688S 1.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 88a (TA) 4.5V, 10V 5.1mohm @ 18.5a, 10v 3V @ 1MA 81 NC @ 10 V ± 20V 3290 pf @ 15 V - 69W (TA)
NDH8502P Fairchild Semiconductor Ndh8502p 0.5900
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) NDH8502 Mosfet (Óxido de metal) 800MW (TA) Supersot ™ -8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 30V 2.2a (TA) 110mohm @ 2.2a, 10v 3V @ 250 µA 14.5nc @ 10V 340pf @ 15V -
FDU8780 Fairchild Semiconductor FDU8780 0.2900
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 35A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1440 pf @ 13 V - 50W (TC)
MBRS140 Fairchild Semiconductor MBRS140 -
RFQ
 ECAD 5077 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB MBRS140 Schottky SMB (DO-214AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 600 MV @ 1 A 1 ma @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
FQPF5N80 Fairchild Semiconductor FQPF5N80 0.7700
RFQ
 ECAD 610 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 2.8a (TC) 10V 2.6ohm @ 1.4a, 10V 5V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1250 pf @ 25 V - 47W (TC)
HRF3205_NL Fairchild Semiconductor Hrf3205_nl 1.0900
RFQ
 ECAD 392 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 55 V 100A (TC) 10V 8mohm @ 59a, 10v 4V @ 250 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 175W (TC)
FGPF120N30TU Fairchild Semiconductor FGPF120N30TU 4.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 60 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 - - 300 V 120 A 180 A 1.4V @ 15V, 25A - 112 NC -
FDP7045L Fairchild Semiconductor FDP7045L 3.0400
RFQ
 ECAD 167 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 100A (TJ) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 50A, 10V 3V @ 250 µA 58 NC @ 5 V ± 20V 4357 pf @ 15 V - 107W (TA)
HUFA75329D3 Fairchild Semiconductor HUFA75329D3 0.7200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 20A (TC) 10V 26mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 65 NC @ 20 V ± 20V 1060 pf @ 25 V - 128W (TC)
HUF75339P3 Fairchild Semiconductor HUF75339P3 -
RFQ
 ECAD 6949 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-HUF75339P3-600039 1 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 12mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
DFB20100F162 Fairchild Semiconductor DFB20100F162 1.5700
RFQ
 ECAD 358 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P Estándar TS-6P descascar EAR99 8541.10.0080 207 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 1 V 20 A Fase única 1 kV
FQA65N20 Fairchild Semiconductor FQA65N20 -
RFQ
 ECAD 2980 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar 0000.00.0000 1 N-canal 200 V 65a (TC) 10V 32mohm @ 32.5a, 10V 5V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 30V 7900 pf @ 25 V - 310W (TC)
SMUN5215T1G Fairchild Semiconductor Smun5215t1g 1.0000
RFQ
 ECAD 8891 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-smun5215t1g-600039 EAR99 8541.21.0095 1
FDS4953 Fairchild Semiconductor FDS4953 -
RFQ
 ECAD 6317 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Fds49 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 30V 5A 55mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 9NC @ 5V 528pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FDS7766S Fairchild Semiconductor Fds7766s 2.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 17a (TA) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 17a, 10v 3V @ 1MA 58 NC @ 5 V ± 16V 4785 pf @ 15 V - 1W (TA)
FKN1N60SA Fairchild Semiconductor FKN1N60SA 0.1500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 15 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 1 A 2 V 9a, 10a 5 Ma
KBU6A Fairchild Semiconductor KBU6A 1.1100
RFQ
 ECAD 287 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 287 1 v @ 6 a 10 µA @ 50 V 6 A Fase única 50 V
GBPC1510W Fairchild Semiconductor GBPC1510W 2.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo descascar EAR99 8541.10.0080 107
FDY2001PZ Fairchild Semiconductor Fdy2001pz 0.0600
RFQ
 ECAD 161 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Fdy20 Mosfet (Óxido de metal) 446MW SOT-563F descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 150 Ma 8ohm @ 150 mm, 4.5V 1.5V @ 250 µA 1.4nc @ 4.5V 100pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FQD3N50CTF Fairchild Semiconductor Fqd3n50ctf 1.0000
RFQ
 ECAD 4867 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 500 V 2.5A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.25a, 10V 4V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 365 pf @ 25 V - 35W (TC)
HUF76143S3ST Fairchild Semiconductor HUF76143S3ST 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 75A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 75a, 10V 3V @ 250 µA 114 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 225W (TC)
MBR1535CT Fairchild Semiconductor MBR1535CT 1.0000
RFQ
 ECAD 3886 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Schottky Un 220-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 15A 840 MV @ 15 A 100 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C
FQI5N20TU Fairchild Semiconductor Fqi5n20tu 0.3100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 4.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.25a, 10V 5V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 30V 270 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 52W (TC)
FDS86540 Fairchild Semiconductor FDS86540 2.8400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 18a (TA) 8V, 10V 4.5mohm @ 18a, 10v 4V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 20V 6410 pf @ 30 V - 2.5W (TA), 5W (TC)
IRFN214BTA Fairchild Semiconductor IRFN214BTA 0.1800
RFQ
 ECAD 152 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo IRFN214 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1.664 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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