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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | 1N4755A | 0.0300 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | 1 W | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,616 | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5227B | 0.0300 | ![]() | 247 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 200 Ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSE13007FSMTU | 1.0000 | ![]() | 2827 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | KSE13007 | Un 220F-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | NPN | 3V @ 2a, 8a | 8 @ 2a, 5v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDH600 | 0.7000 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0070 | 2,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 1 V @ 200 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 2.5pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA12N60 | 1.4700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 700mohm @ 6a, 10v | 5V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 30V | 1900 pf @ 25 V | - | 240W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf9n30 | 0.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 300 V | 6a (TC) | 10V | 450mohm @ 3a, 10v | 5V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 30V | 740 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76629D3S | 0.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 100 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 52mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 16V | 1285 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4749ATR | 0.0300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,053 | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFS9Z34 | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 60 V | 12a (TC) | 10V | 140mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1155 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9R18120G2 | 1.0000 | ![]() | 2861 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Stealth ™ | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | Estándar | To-247-2 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.3 V @ 18 A | 70 ns | 100 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 18A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdfm2p110 | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | Mosfet (Óxido de metal) | Microfet 3x3mm | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 825 | Canal P | 20 V | 3.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 140mohm @ 3.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 4 NC @ 4.5 V | ± 12V | 280 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIS74 | - | ![]() | 6012 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 350 MW | Un 92-3 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N-canal | 18pf @ 10V (VGS) | 30 V | 20 Ma @ 15 V | 2 v @ 4 na | 40 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD5N50TF | 0.5100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 500 V | 3.5A (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.75a, 10v | 5V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 610 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA940 | 1.0000 | ![]() | 4371 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 1.5 W | Un 220-3 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | 150 V | 1.5 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma | 40 @ 500mA, 10V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf32n12v2 | 1.4400 | ![]() | 83 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 120 V | 32A (TC) | 10V | 50mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1860 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdd24an06la0 | 1.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 7.1a (TA), 40a (TC) | 5V, 10V | 19mohm @ 40a, 10v | 2V @ 250 µA | 21 NC @ 5 V | ± 20V | 1850 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMA7628 | 0.3100 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 6-Microfet (2x2) | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-FDMA7628-600039 | 1 | N-canal | 20 V | 9.4a (TA) | 1.5V, 4.5V | 14.5mohm @ 9.4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 17.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1680 pf @ 10 V | - | 1.9W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDI047An08a0 | 2.4900 | ![]() | 787 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 75 V | 80a (TC) | 6V, 10V | 4.7mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 138 NC @ 10 V | ± 20V | 6600 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN4250 | 0.0500 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 40 V | 500 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 500 µA, 10 mA | 250 @ 100 µA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC7680 | 0.6100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-MLP (3.3x3.3) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 492 | N-canal | 30 V | 14.8a (TA) | 4.5V, 10V | 7.2mohm @ 14.8a, 10V | 3V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 2855 pf @ 15 V | - | 2.3W (TA), 31W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD16N05SM | 0.6600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 50 V | 16a (TC) | 10V | 47mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 80 NC @ 20 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 72W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA992TA | 0.0500 | ![]() | 6133 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 120 V | 50 Ma | 1 µA | PNP | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 300 @ 1 Mapa, 6V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDAF69N25 | 2.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 250 V | 34a (TC) | 10V | 41mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 30V | 4640 pf @ 25 V | - | 115W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDP5060 | 0.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156p5060-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc5402dttu | 0.4700 | ![]() | 136 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 50 W | Un 220-3 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-KSC5402DTTU-600039 | 1 | 450 V | 2 A | 100 µA | NPN | 750mv @ 200 MMA, 1A | 6 @ 1a, 1v | 11MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75631P3 | 1.1100 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 100 V | 33A (TC) | 10V | 40mohm @ 33a, 10V | 4V @ 250 µA | 79 NC @ 20 V | ± 20V | 1220 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMA530PZ | - | ![]() | 5634 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 6-Microfet (2x2) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 418 | Canal P | 30 V | 6.8a (TA) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 6.8a, 10V | 3V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 25V | 1070 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu2n90tu | 0.4800 | ![]() | 332 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.040 | N-canal | 900 V | 1.7a (TC) | 10V | 7.2ohm @ 850mA, 10V | 5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 500 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqb16n25ctm | 0.8100 | ![]() | 845 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 15.6a (TC) | 10V | 270mohm @ 7.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 53.5 NC @ 10 V | ± 30V | 1080 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 139W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA05 | - | ![]() | 4173 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | TO-92 (TO-226) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,203 | 60 V | 500 mA | 100na | NPN | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz |
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