SIC
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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
ISL9V2540S3ST Fairchild Semiconductor ISL9V2540S3ST 1.4100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Semiconductor de fairchild Ecospark® Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Lógica 166.7 W D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 300V, 1KOHM, 5V - 430 V 15.5 A 1.8v @ 4V, 6a - 15.1 NC -/3.64 µs
HUF76437S3ST Fairchild Semiconductor HUF76437S3ST 0.5200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 71a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 71a, 10v 3V @ 250 µA 71 NC @ 10 V ± 16V 2230 pf @ 25 V - 155W (TC)
MMBZ5233B-FS Fairchild Semiconductor MMBZ5233B-FS 0.0200
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 3.5 V 6 V 7 ohmios
FDZ7064AS Fairchild Semiconductor FDZ7064As 0.8500
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 30 WFBGA Mosfet (Óxido de metal) 30-BGA (4x3.5) descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 13.5a (TA) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 13.5a, 10V 3V @ 1MA 51 NC @ 10 V ± 20V 1960 pf @ 15 V - 2.2W (TA)
FQAF15N70 Fairchild Semiconductor FQAF15N70 2.7500
RFQ
 ECAD 295 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 700 V 9.5A (TC) 10V 560mohm @ 4.8a, 10V 5V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 30V 3600 pf @ 25 V - 120W (TC)
BC546B Fairchild Semiconductor BC546B -
RFQ
 ECAD 8350 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 5,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
2N4953 Fairchild Semiconductor 2N4953 0.0400
RFQ
 ECAD 4728 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1.990 30 V 1 A 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 15 mA, 150 mA 200 @ 150mA, 10V -
BZX55C36 Fairchild Semiconductor BZX55C36 0.0300
RFQ
 ECAD 4663 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 9,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 27 V 36 V 80 ohmios
FCI17N60 Fairchild Semiconductor FCI7N60 -
RFQ
 ECAD 7348 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FCI17 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 1 -
FFSPF0665A Fairchild Semiconductor FFSPF0665A -
RFQ
 ECAD 4447 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO20F-2FS - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FFSPF0665A EAR99 8541.10.0080 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.75 v @ 6 a 0 ns 200 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 361pf @ 1v, 100kHz
PN2222TFR Fairchild Semiconductor PN2222TFR -
RFQ
 ECAD 6552 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 10,000 30 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
FSBF5CH60B Fairchild Semiconductor FSBF5CH60B 13.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 3 Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT FSBF5 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 1 3 fase 5 A 600 V 2500 VRMS
1N959B Fairchild Semiconductor 1N959B 3.2100
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 94 50 µA @ 6.2 V 8.2 V 6.5 ohmios
KSP2222ATA Fairchild Semiconductor KSP2222ATA 0.0500
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 6.497 40 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
KBU8D Fairchild Semiconductor Kbu8d -
RFQ
 ECAD 4108 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 200 1 v @ 8 a 10 µA @ 200 V 8 A Fase única 200 V
BC548 Fairchild Semiconductor BC548 0.0400
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 300MHz
FDS4080N3 Fairchild Semiconductor FDS4080N3 1.6600
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 13a (TA) 10V 10.5mohm @ 13a, 10v 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 1750 pf @ 20 V - 3W (TA)
1N4734A Fairchild Semiconductor 1N4734A 0.0300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W DO-204Al (DO-41) descascar EAR99 8541.10.0050 9,779 10 µA @ 2 V 5.6 V 5 ohmios
FSB50450T Fairchild Semiconductor FSB50450T 4.3800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Semiconductor de fairchild SPM® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 23 Potencias (0.748 ", 19.00 mm) Mosfet descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 15 3 fase 1.5 A 500 V 1500 VRMS
FDD4243 Fairchild Semiconductor FDD4243 -
RFQ
 ECAD 4995 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8542.39.0001 1 Canal P 40 V 6.7a (TA), 14a (TC) 4.5V, 10V 44mohm @ 6.7a, 10v 3V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1550 pf @ 20 V - 42W (TC)
FDC642P Fairchild Semiconductor FDC642P 0.2000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar EAR99 8542.39.0001 1.516 Canal P 20 V 4A (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 16 NC @ 4.5 V ± 8V 925 pf @ 10 V - 1.6w (TA)
RF1K49156 Fairchild Semiconductor RF1K49156 0.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 6.3a (TA) 5V 30mohm @ 6.3a, 5V 2V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 10V 2030 pf @ 25 V - 2W (TA)
FDS6294 Fairchild Semiconductor FDS6294 0.4500
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS62 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 30 V 13a (TA) 4.5V, 10V 11.3mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 14 NC @ 5 V ± 20V 1205 pf @ 15 V - 3W (TA)
FDFMA2P859T Fairchild Semiconductor Fdfma2p859t 0.2700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición Mosfet (Óxido de metal) Microfet 2x2 Delgado descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 3a (TA) 1.8V, 4.5V 120mohm @ 3a, 4.5V 1.3V @ 250 µA 6 NC @ 4.5 V ± 8V 435 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 1.4W (TA)
FJE3303H2TU Fairchild Semiconductor FJE3303H2TU 0.2500
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 20 W A-126-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1.212 400 V 1.5 A 10 µA (ICBO) NPN 3V @ 500mA, 1.5a 14 @ 500mA, 2V 4MHz
FDB16AN08A0 Fairchild Semiconductor Fdb16an08a0 1.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 239 N-canal 75 V 9A (TA), 58A (TC) 6V, 10V 16mohm @ 58a, 10v 4V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1857 pf @ 25 V - 135W (TC)
NDS355N Fairchild Semiconductor NDS355N 1.0000
RFQ
 ECAD 5910 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156S355N-600039 EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 30 V 1.6a (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 1.9a, 10v 2V @ 250 µA 5 NC @ 5 V ± 20V 245 pf @ 10 V - 500MW (TA)
FSB32560 Fairchild Semiconductor FSB32560 32.7700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 3 Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 1 Inversor de 3 fase 25 A 600 V 2500 VRMS
FSBB30CH60B Fairchild Semiconductor FSBB30CH60B 26.0300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Semiconductor de fairchild Movimiento-SPM® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 10 3 fase 30 A 600 V 2500 VRMS
BC32840TA Fairchild Semiconductor Bc32840ta 0.0200
RFQ
 ECAD 6097 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 14,000 25 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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