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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
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![]() | FDD6672A | 0.9900 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 65a (TA) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 14a, 10v | 2V @ 250 µA | 46 NC @ 4.5 V | ± 12V | 5070 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 70W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | FDFM2N111 | 1.0000 | ![]() | 2243 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | Mosfet (Óxido de metal) | Microfet 3x3mm | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 20 V | 4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 100mohm @ 4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 3.8 NC @ 4.5 V | ± 12V | 273 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.7w (TA) | ||||||||||||||||||||
FD6M045N06 | 6.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Power-Spm ™ | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | EPM15 | FD6M045 | Mosfet (Óxido de metal) | - | EPM15 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 19 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 60A | 4.5mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250 µA | 87nc @ 10V | 3890pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | NSBA144EDXV6T1G | 0.0900 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | NSBA144 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-NSBA144EDXV6T1G-600039 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.761 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFS9Z24 | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 60 V | 7.5a (TC) | 10V | 280mohm @ 3.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 29W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FQB7N60TM-WS | 0.9800 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156-FQB7N60TM-WS-600039 | 1 | N-canal | 600 V | 7.4a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.7a, 10v | 5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1430 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 142W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | FDD6688S | 1.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 88a (TA) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 18.5a, 10v | 3V @ 1MA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 3290 pf @ 15 V | - | 69W (TA) | |||||||||||||||||||
![]() | FDU8780 | 0.2900 | ![]() | 81 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 25 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 35a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1440 pf @ 13 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | MBRS140 | - | ![]() | 5077 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | MBRS140 | Schottky | SMB (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 1 A | 1 ma @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | FQPF5N80 | 0.7700 | ![]() | 610 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 2.8a (TC) | 10V | 2.6ohm @ 1.4a, 10V | 5V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1250 pf @ 25 V | - | 47W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | Hrf3205_nl | 1.0900 | ![]() | 392 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | 100A (TC) | 10V | 8mohm @ 59a, 10v | 4V @ 250 µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 4000 pf @ 25 V | - | 175W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FDP7045L | 3.0400 | ![]() | 167 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 100A (TJ) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 50A, 10V | 3V @ 250 µA | 58 NC @ 5 V | ± 20V | 4357 pf @ 15 V | - | 107W (TA) | |||||||||||||||||
![]() | HUFA75329D3 | 0.7200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 55 V | 20A (TC) | 10V | 26mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 65 NC @ 20 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 128W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | HUF75339P3 | - | ![]() | 6949 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-HUF75339P3-600039 | 1 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 12mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 20 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | DFB20100F162 | 1.5700 | ![]() | 358 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | Estándar | TS-6P | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 207 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 1 V | 20 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA65N20 | - | ![]() | 2980 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pn | descascar | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 200 V | 65a (TC) | 10V | 32mohm @ 32.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 200 NC @ 10 V | ± 30V | 7900 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | Smun5215t1g | 1.0000 | ![]() | 8891 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-smun5215t1g-600039 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4953 | - | ![]() | 6317 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Fds49 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 5A | 55mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 9NC @ 5V | 528pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||
![]() | Fds7766s | 2.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 17a (TA) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 17a, 10v | 3V @ 1MA | 58 NC @ 5 V | ± 16V | 4785 pf @ 15 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||
![]() | KBU6A | 1.1100 | ![]() | 287 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBU | Estándar | Kbu | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 287 | 1 v @ 6 a | 10 µA @ 50 V | 6 A | Fase única | 50 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC1510W | 2.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 107 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76143S3ST | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 75a, 10V | 3V @ 250 µA | 114 NC @ 10 V | ± 20V | 3900 pf @ 25 V | - | 225W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | MBR1535CT | 1.0000 | ![]() | 3886 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Schottky | Un 220-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 15A | 840 MV @ 15 A | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | Fqi5n20tu | 0.3100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 4.5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.25a, 10V | 5V @ 250 µA | 7.5 NC @ 10 V | ± 30V | 270 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | FDS86540 | 2.8400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 60 V | 18a (TA) | 8V, 10V | 4.5mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 6410 pf @ 30 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRFN214BTA | 0.1800 | ![]() | 152 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | IRFN214 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.664 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RURG3060CC-F085 | - | ![]() | 6082 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | To-247 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 30A | 1.5 V @ 30 A | 80 ns | 250 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB6670S | 2.4900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 62a (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm@ 31a, 10v | 3V @ 1MA | 32 NC @ 5 V | ± 20V | 2639 pf @ 15 V | - | 62.5W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | 1N486B | 1.0000 | ![]() | 1948 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 250 V | 1 V @ 100 Ma | 50 na @ 225 V | 175 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N312Ad3 | 0.2900 | ![]() | 211 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 50A, 10V | 3V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1450 pf @ 15 V | - | 75W (TA) |
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