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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SFP9620 | 0.4300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 200 V | 3.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 540 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfw720btm | 0.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.75ohm @ 1.65a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 49W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDLL3595 | - | ![]() | 1666 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Estándar | Sod-80 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 125 V | 1 V @ 200 Ma | 3 µs | 1 na @ 125 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 200 MMA | 8pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDW2501NZ | - | ![]() | 8759 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | FDW25 | Mosfet (Óxido de metal) | 600MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 5.5a | 18mohm @ 5.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 17NC @ 4.5V | 1286pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB3100 | 0.2600 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | SB31 | Schottky | DO-2010 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 780 MV @ 3 A | 600 µA @ 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksb1151ystu | 0.3900 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 1.3 W | A-126-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 831 | 60 V | 5 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 300mv @ 200MA, 2a | 160 @ 2a, 1v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqb16n15tm | 0.7200 | ![]() | 959 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 16.4a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 25V | 910 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 108W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76413DK8T | 0.6400 | ![]() | 2206 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | HUFA76413 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 5.1a | 49mohm @ 5.1a, 10V | 3V @ 250 µA | 23nc @ 10V | 620pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP400N80Z | - | ![]() | 1882 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Superfet® II | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 126 | N-canal | 800 V | 14a (TC) | 10V | 400mohm @ 5.5a, 10V | 4.5V @ 1.1MA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 1 V | - | 195W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksd227ybu | 0.0200 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 400 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 25 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 30 mA, 300 mA | 120 @ 50mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC327A | 0.0200 | ![]() | 7273 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.803 | 45 V | 800 Ma | 100na | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5245 | - | ![]() | 6176 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 30 V | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | Jfet | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N-canal | 15 Ma | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksb564ayta | 0.0500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 800 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mm, 1a | 120 @ 100mA, 1V | 110MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJPF5321TU | 0.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 40 W | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.492 | 500 V | 5 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 600 Ma, 3a | 15 @ 600mA, 5V | 14MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC848B | 1.0000 | ![]() | 9265 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Sot-23 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 MW | Sot-23 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 5 mm, 100 mapa | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP2N50 | 0.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 2.1a (TC) | 10V | 5.3ohm @ 1.05a, 10V | 5V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N960B | 1.8400 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 V | 7.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc945cgbu | 0.0200 | ![]() | 257 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 250 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 200 @ 1 MMA, 6V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdp6676s | 0.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 76a (TA) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 38a, 10V | 3V @ 1MA | 56 NC @ 5 V | ± 16V | 4853 pf @ 15 V | - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC6304P | 0.2200 | ![]() | 7373 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | FDC6304 | Mosfet (Óxido de metal) | 700MW | Supersot ™ -6 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 | 2 Canal P (Dual) | 25V | 460ma | 1.1ohm @ 500mA, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 1.5nc @ 4.5V | 62pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS8550BTA | 0.0200 | ![]() | 3697 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 1 W | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 25 V | 1.5 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 80mA, 800 mA | 85 @ 100mA, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksd986ys | 1.0000 | ![]() | 6085 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 1 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 80 V | 1.5 A | 10 µA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 1MA, 1A | 8000 @ 1a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP39N20 | 1.5900 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 200 V | 39A (TC) | 10V | 66mohm @ 19.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 2130 pf @ 25 V | - | 251W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMS7G20US60S | 17.3100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 25 PM-AA | 89 W | Rectificador de Puente de Una Sola Fase | 25 PM-AA | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Inversor trifásico con freno | - | 600 V | 20 A | 2.7V @ 15V, 20a | 250 µA | Si | 1.277 nf @ 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9014BTA | 1.0000 | ![]() | 5715 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 450 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 270MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF4003 | 0.1000 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | UF400 | Estándar | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.950 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -50 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kbu6k | - | ![]() | 4104 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBU | Estándar | Kbu | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 v @ 6 a | 10 µA @ 800 V | 6 A | Fase única | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY3014R | - | ![]() | 5220 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | FJY301 | 200 MW | SOT-523F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8958A | - | ![]() | 9962 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FDS89 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Vecino del canal | 30V | 7a, 5a | 28mohm @ 7a, 10v | 3V @ 250 µA | 16NC @ 10V | 575pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1KFP | 0.0700 | ![]() | 7976 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123H | S1K | Estándar | Sod-123he | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 1.2 A | 1.5 µs | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.2a | 18pf @ 0v, 1 MHz |
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