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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Ksd471aybu | 0.0500 | ![]() | 85 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 800 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 30 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 120 @ 100mA, 1V | 130MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqi9n25ctu | 1.1200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 8.8a (TC) | 10V | 430mohm @ 4.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 710 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 74W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5210TFR | 0.0200 | ![]() | 7068 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 1 MMA, 10 Ma | 200 @ 100 µA, 5V | 30MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5400G | - | ![]() | 1476 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | 1N5400 | Estándar | Do-201ad | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 980 MV @ 3 A | 500 na @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS9410A | 0.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 7.3a (TA) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 7.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 830 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH041N65EF | 8.3400 | ![]() | 110 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FCH041 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8962C | 1.0000 | ![]() | 8273 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FDS89 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 7a, 5a | 30mohm @ 7a, 10v | 3V @ 250 µA | 26nc @ 10V | 575pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqb34n20ltm | 1.0000 | ![]() | 5650 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 200 V | 31a (TC) | 5V, 10V | 75mohm @ 15.5a, 10v | 2V @ 250 µA | 72 NC @ 5 V | ± 20V | 3900 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP099N60E | - | ![]() | 4506 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Superfet® II | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 37a (TC) | 10V | 99mohm @ 18.5a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 114 NC @ 10 V | ± 20V | 3465 pf @ 380 V | - | 357W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbt3906sl | 0.0300 | ![]() | 119 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-923F | 227 MW | SOT-923F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 8,000 | 40 V | 200 MA | 50NA | PNP | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU6682 | 0.6100 | ![]() | 188 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | Mosfet (Óxido de metal) | TO-251 (ipak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 75A (TA) | 4.5V, 10V | 6.2mohm @ 17a, 10v | 3V @ 250 µA | 31 NC @ 5 V | ± 20V | 2400 pf @ 15 V | - | 1.6w (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RGP10J | 0.0600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC636 | - | ![]() | 8586 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1 W | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C7V5_NL | 0.0200 | ![]() | 8115 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 100 na @ 5 V | 7.5 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksd1588ytu | 0.6100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 2 W | Un 220F-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 496 | 60 V | 7 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 500 Ma, 5a | 100 @ 3a, 1v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdd10an06a0q | 2.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 60 V | 11a (TA) | 10.5mohm @ 50A, 10V | 4V @ 250 µA | ± 20V | 1840 pf @ 25 V | 135W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fds6689s | 1.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 16a (TA) | 4.5V, 10V | 5.4mohm @ 16a, 10v | 3V @ 1MA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 3290 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Mm3z6v2b | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 Ma | 2.7 µA @ 4 V | 6.2 V | 9 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5243B | 0.0300 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 900 MV @ 200 Ma | 500 na @ 9.9 V | 13 V | 13 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fds7296n3 | 1.0700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1540 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Rfd3055lesm | 0.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,255 | N-canal | 60 V | 11a (TC) | 5V | 107mohm @ 8a, 5V | 3V @ 250 µA | 11.3 NC @ 10 V | ± 16V | 350 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75345P3 | 2.2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 7mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 275 NC @ 20 V | ± 20V | 4000 pf @ 25 V | - | 325W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9013GBU | 0.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 20 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 112 @ 50mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDBL9403-F085 | - | ![]() | 3363 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8 HPSOF | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 40 V | 240a (TC) | 10V | 0.9mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 188 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 pf @ 25 V | - | 357W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbz5238b | 0.0200 | ![]() | 118 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 500 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.7 V | 8 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5380BG | - | ![]() | 7314 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 5 W | Axial | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 91.2 V | 120 V | 170 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA6N80 | 1.0900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 800 V | 6.3a (TC) | 10V | 1.95ohm @ 3.15a, 10V | 5V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 30V | 1500 pf @ 25 V | - | 185W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdd5n50ftm | 0.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 3.5A (TC) | 10V | 1.55ohm @ 1.75a, 10V | 5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 650 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BAV21-T50A | 244.9900 | ![]() | 85 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | - | 2156-BAV21-T50A | 2 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 250 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 175 ° C | 200 MMA | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjl42150tu | 1.6200 | ![]() | 310 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 |
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