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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
HUF76629D3STR4885 Fairchild Semiconductor HUF76629D3STR4885 0.3400
RFQ
 ECAD 6775 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8541.29.0095 225 N-canal 100 V 20A (TC) 4.5V, 10V 52mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 16V 1285 pf @ 25 V - 150W (TJ)
FQPF11P06 Fairchild Semiconductor Fqpf11p06 0.6200
RFQ
 ECAD 552 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 552 Canal P 60 V 8.6a (TC) 10V 175mohm @ 4.3a, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 25V 550 pf @ 25 V - 30W (TC)
MM5Z18V Fairchild Semiconductor Mm5z18v 0.0200
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523F 200 MW Sod-523f descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-MM5Z18V-600039 1 50 na @ 12.6 V 18 V 45 ohmios
FMKA140 Fairchild Semiconductor Fmka140 0.3700
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 600 MV @ 1 A 1 ma @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
RHRG1560-F085 Fairchild Semiconductor RRG1560-F085 1.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero To-247-2 Estándar To-247-2 descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.3 V @ 15 A 55 ns 100 µA @ 1 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A -
FQU6N25TU Fairchild Semiconductor Fqu6n25tu 0.5500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 250 V 4.4a (TC) 10V 1ohm @ 2.2a, 10v 5V @ 250 µA 8.5 NC @ 10 V ± 30V 300 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
HGT1N30N60A4D Fairchild Semiconductor HGT1N30N60A4D 18.2300
RFQ
 ECAD 844 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita 255 W Estándar Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 60 Soltero - 600 V 96 A 2.7V @ 15V, 30a 250 µA No
1N759A Fairchild Semiconductor 1N759A 1.9300
RFQ
 ECAD 91 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 V 12 V 30 ohmios
SI3443DV Fairchild Semiconductor Si3443dv 0.1700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild Hexfet® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Micro6 ™ (TSOP-6) descascar EAR99 8541.29.0095 1.906 Canal P 20 V 4.4a (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 4.4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 15 NC @ 4.5 V ± 12V 1079 pf @ 10 V - 2W (TA)
MPSA10 Fairchild Semiconductor MPSA10 0.0200
RFQ
 ECAD 7589 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar Rohs no conforme EAR99 8541.21.0095 1.660 40 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - 40 @ 5 µA, 10V 125MHz
KSP55TA Fairchild Semiconductor Ksp55ta -
RFQ
 ECAD 9254 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 60 V 500 mA 100na PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 50 @ 100 mapa, 1v 50MHz
SS33 Fairchild Semiconductor Ss33 0.2200
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky SMC (DO-214AB) descascar EAR99 8541.10.0080 1.350 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
FJY3015R Fairchild Semiconductor FJY3015R 0.0200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie SC-89, SOT-490 FJY301 SOT-523F descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 33 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
MM3Z43VC Fairchild Semiconductor Mm3z43vc -
RFQ
 ECAD 7538 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 200 MW Sod-323f descascar EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 Ma 45 na @ 30.1 V 43 V 141 ohmios
FCH125N60E Fairchild Semiconductor FCH125N60E 1.0000
RFQ
 ECAD 7379 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 29a (TC) 10V 125mohm @ 14.5a, 10v 3.5V @ 250 µA 95 NC @ 10 V ± 20V 2990 pf @ 380 V - 278W (TC)
KST13MTF Fairchild Semiconductor KST13MTF 0.0300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 KST13 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 30 V 300 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
FQP9N50C Fairchild Semiconductor FQP9N50C -
RFQ
 ECAD 5793 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 9A (TC) 10V 800mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1030 pf @ 25 V - 135W (TC)
HUFA76409T3ST Fairchild Semiconductor HUFA76409T3ST 0.5200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo HUFA76409 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 2.500 -
FDS7064N Fairchild Semiconductor Fds7064n 1.2700
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 16a (TA) 4.5V 7.5mohm @ 16A, 4.5V 2V @ 250 µA 48 NC @ 4.5 V ± 12V 3355 pf @ 15 V - 3W (TA)
1N967B Fairchild Semiconductor 1N967B 2.8700
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 105 5 µA @ 13.7 V 18 V 21 ohmios
FDW262P Fairchild Semiconductor FDW262P 0.5700
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 Canal P 20 V 4.5a (TA) 1.8V, 4.5V 47mohm @ 4.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 18 NC @ 4.5 V ± 8V 1193 pf @ 10 V - 1.3W (TA)
FLZ22VB Fairchild Semiconductor Flz22vb 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 15,000 1.2 v @ 200 ma 133 na @ 17 V 21.2 V 25.6 ohmios
SB380 Fairchild Semiconductor SB380 0.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Schottky Do-201ad descascar EAR99 8541.10.0080 1.219 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 850 MV @ 3 A 500 µA @ 80 V -65 ° C ~ 125 ° C 3A 180pf @ 4V, 1MHz
FGB40N6S2T Fairchild Semiconductor FGB40N6S2T 3.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 290 W D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 390V, 20a, 3ohm, 15V - 600 V 75 A 180 A 2.7V @ 15V, 20a 115 µJ (Encendido), 195 µJ (apaguado) 35 NC 8ns/35ns
FSB50325T Fairchild Semiconductor FSB50325T 7.2900
RFQ
 ECAD 189 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 5 Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 23-Powersmd, Ala de la Gaviota Mosfet descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 1 Inversor de 3 fase 1.5 A 250 V 1500 VRMS
EGF1D Fairchild Semiconductor EGF1D 1.0000
RFQ
 ECAD 9952 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 50 ns 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RFP14N05L Fairchild Semiconductor RFP14N05L 0.4000
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 50 V 14a (TC) 5V 100mohm @ 14a, 5V 2V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 10V 670 pf @ 25 V - 48W (TC)
FDP8860 Fairchild Semiconductor FDP8860 1.2600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8541.29.0095 238 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 80a, 10v 2.5V @ 250 µA 222 NC @ 10 V ± 20V 12240 pf @ 15 V - 254W (TC)
HUF75637S3ST Fairchild Semiconductor HUF75637S3ST 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 44a (TC) 10V 30mohm @ 44a, 10V 4V @ 250 µA 108 NC @ 20 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 155W (TC)
MMSZ4689 Fairchild Semiconductor MMSZ4689 -
RFQ
 ECAD 7427 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% - Montaje en superficie SOD-123 MMSZ46 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 3 V 5.1 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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