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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BC857C Fairchild Semiconductor BC857C 0.0700
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 100MHz
BC857CMTF Fairchild Semiconductor Bc857cmtf 0.0200
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 310 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
IRFS254BFP001 Fairchild Semiconductor IRFS254BFP001 0.2700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 250 V 16a (TC) 10V 140mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 123 NC @ 10 V ± 30V 3400 pf @ 25 V - 90W (TC)
IRFU214BTU Fairchild Semiconductor Irfu214btu -
RFQ
 ECAD 2521 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 250 V 2.2a (TC) 10V 2ohm @ 1.1a, 10v 4V @ 250 µA 10.5 NC @ 10 V ± 30V 275 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFP350A Fairchild Semiconductor IRFP350A -
RFQ
 ECAD 9980 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 36 N-canal 400 V 17a (TC) 10V 300mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250 µA 131 NC @ 10 V ± 30V 2780 pf @ 25 V - 202W (TC)
FDP6035L Fairchild Semiconductor FDP6035L 0.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 58a (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 26a, 10v 3V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 20V 1230 pf @ 15 V - 75W (TC)
FDU6682_NL Fairchild Semiconductor FDU6682_NL 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 75A (TA) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 17a, 10v 3V @ 250 µA 31 NC @ 5 V ± 20V 2400 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
FDD5N53TM Fairchild Semiconductor Fdd5n53tm 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 530 V 4A (TC) 10V 1.5ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 640 pf @ 25 V - 40W (TC)
IRF610B Fairchild Semiconductor IRF610B 0.3400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 3.3a (TC) 10V 1.5ohm @ 1.65a, 10V 4V @ 250 µA 9.3 NC @ 10 V ± 30V 225 pf @ 25 V - 38W (TC)
FDD13AN06A0_NL Fairchild Semiconductor Fdd13an06a0_nl -
RFQ
 ECAD 6377 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 9.9a (TA), 50A (TC) 6V, 10V 13.5mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1350 pf @ 25 V - 115W (TC)
HGT1S12N60C3DS Fairchild Semiconductor HGT1S12N60C3DS 2.1000
RFQ
 ECAD 565 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 104 W Un 263ab descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 - 32 ns - 600 V 24 A 96 A 2.2V @ 15V, 15a - 71 NC -
FMG2G75US120 Fairchild Semiconductor FMG2G75US120 55.8100
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 7 pm-ga Fmg2 445 W Estándar 7 pm-ga descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Medio puente - 1200 V 75 A 3V @ 15V, 75a 3 MA No
SFI9Z24TU Fairchild Semiconductor Sfi9z24tu 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 60 V 9.7a (TC) 10V 280mohm @ 4.9a, 10V 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 49W (TC)
SFP9520 Fairchild Semiconductor SFP9520 0.1900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 100 V 6a (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 550 pf @ 25 V - 49W (TC)
SI3455DV Fairchild Semiconductor Si3455dv -
RFQ
 ECAD 5620 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 3.6a (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 3.6a, 10v 3V @ 250 µA 5 NC @ 5 V ± 20V 298 pf @ 15 V - 800MW (TA)
RFP50N06_NL Fairchild Semiconductor RFP50N06_NL -
RFQ
 ECAD 3974 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 50A (TC) 10V 22mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 150 NC @ 20 V ± 20V 2020 pf @ 25 V - 131W (TC)
SI9426DY Fairchild Semiconductor Si9426dy -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 10.5a (TA) 2.7V, 4.5V 13.5mohm @ 10.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 60 NC @ 4.5 V ± 8V 2150 pf @ 10 V - 1W (TA)
RF1K4915796 Fairchild Semiconductor RF1K4915796 0.8200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 6.3a (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 6.3a, 10v 3V @ 250 µA 88 NC @ 20 V ± 20V 1575 pf @ 25 V - 2W (TA)
SFR9214TF Fairchild Semiconductor SFR9214TF 0.1400
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 250 V 1.53a (TC) 10V 4ohm @ 770ma, 10v 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 295 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 19W (TC)
PN2907ARA Fairchild Semiconductor Pn2907ara 0.0200
RFQ
 ECAD 1868 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN2907 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 4.000 60 V 800 Ma 50NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
SI6426DQ Fairchild Semiconductor SI6426DQ 0.1900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 V 5.4a (TA) 2.5V, 4.5V 35mohm @ 5.4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 10 NC @ 4.5 V ± 8V 710 pf @ 10 V - 1.1W (TA)
SFU9210TU Fairchild Semiconductor Sfu9210tu 0.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 200 V 1.6a (TC) 10V 3ohm @ 800 mA, 10V 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 285 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 19W (TC)
SGP5N60RUFTU Fairchild Semiconductor Sgp5n60ruftu 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Sgp6n Estándar 60 W Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 300V, 5A, 40OHM, 15V - 600 V 8 A 15 A 2.8V @ 15V, 5A 24 NC 13ns/34ns
NDS9435 Fairchild Semiconductor NDS9435 0.9500
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Semiconductor de fairchild Si9xxx Una granela Activo - Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 5.3a - - - - - 2W
D45H2A Fairchild Semiconductor D45H2A 0.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 D45H 60 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 30 V 8 A 10 µA (ICBO) PNP 1V @ 400 Ma, 8a 100 @ 8a, 5v 25MHz
FDS6994S Fairchild Semiconductor Fds6994s 0.9200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS69 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 6.9a, 8.2a 21mohm @ 6.9a, 10v 3V @ 250 µA 12NC @ 5V 800pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FDPF13N50NZ Fairchild Semiconductor FDPF13N50NZ 1.0000
RFQ
 ECAD 4735 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet-ii ™ Una granela Activo - A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FDPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 12A 540mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 39 NC @ 10 V 1930 pf @ 25 V - 42W (TC)
IRF640ACP001 Fairchild Semiconductor IRF640ACP001 0.8000
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo IRF640 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 375 -
KSA1013OTA Fairchild Semiconductor KSA1013ota 0.1100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) KSA1013 900 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 2.664 160 V 1 A 1 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 200Ma, 5V 50MHz
KSA733GBU Fairchild Semiconductor Ksa733gbu 0.0200
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSA733 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 1 MMA, 6V 180MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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