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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | MMBT2907-D87Z | 0.0300 | ![]() | 494 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 40 V | 800 Ma | 20NA (ICBO) | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP31B | 0.1500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | TIP31 | 2 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 3 A | 300 µA | NPN | 1.2V @ 375MA, 3A | 10 @ 3a, 4v | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc945gbu | 0.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 250 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 200 @ 1 MMA, 6V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW60C | 1.0000 | ![]() | 9358 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 V | 100 mA | 20NA | NPN | 550mv @ 1.25 mA, 50 mA | 250 @ 2mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5247B | 1.0000 | ![]() | 8792 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 13 V | 17 V | 19 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSR2030DMXTAG | 0.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-NSR2030DMXTAG-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9012GTA | 1.0000 | ![]() | 2362 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | SS9012 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 112 @ 50mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520S30 | 0.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | RB520 | Schottky | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 600 MV @ 200 Ma | 1 µA @ 10 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 200 MMA | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD4N50TF | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 500 V | 2.6a (TC) | 10V | 2.7ohm @ 1.3a, 10v | 5V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 460 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF4091 | - | ![]() | 3799 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-MMBF4091-600039 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS2510SDC | 1.0100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Dual Cool ™, Powertrench®, Syncfet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 28a (TA), 49A (TC) | 4.5V, 10V | 2.9mohm @ 23a, 10v | 3V @ 1MA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 2780 pf @ 13 V | - | 3.3W (TA), 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Si4467dy | 0.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 20 V | 13.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 8.5mohm @ 13.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 120 NC @ 4.5 V | ± 8V | 8237 pf @ 10 V | - | 1.2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75925D3ST | 0.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 V | 11a (TC) | 10V | 275mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 20 V | ± 20V | 1030 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC0228 | 0.1500 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FDMC02 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu2n50btu | 0.4100 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.040 | N-canal | 500 V | 1.6a (TC) | 10V | 5.3ohm @ 800 mA, 10V | 3.7V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6778A | 0.4100 | ![]() | 128 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 12a (TA), 10a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 870 pf @ 13 V | - | 3.7W (TA), 24W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9K460P3 | 1.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Stealth ™ | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | ISL9K460 | Estándar | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 4A | 2.4 v @ 4 a | 22 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdu3n40tu | 1.0000 | ![]() | 1831 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | FDU3 | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3.4ohm @ 1a, 10v | 5V @ 250 µA | 6 NC @ 10 V | ± 30V | 225 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75344S3S | 0.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 8mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 20 V | ± 20V | 3200 pf @ 25 V | - | 285W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mtd3055vl | 1.0000 | ![]() | 3602 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 60 V | 12a (TC) | 5V | 180mohm @ 6a, 5V | 2V @ 250 µA | 10 NC @ 5 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 3.9W (TA), 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR210BTF | 0.2400 | ![]() | 224 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 200 V | 2.7a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.35a, 10V | 4V @ 250 µA | 9.3 NC @ 10 V | ± 30V | 225 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 26W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75639S3ST-F085A | 1.0300 | ![]() | 766 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 56a (TC) | 25mohm @ 56a, 10v | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 20 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGP10G | 0.1300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,277 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S100 | 0.2300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | 0000.00.0000 | 1.311 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 1 A | 200 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfr330btm | - | ![]() | 5841 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 V | 4.5A (TC) | 10V | 1ohm @ 2.25a, 10v | 4V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1000 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Si9936dy | - | ![]() | 1573 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9936 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 5A | 50mohm @ 5a, 10v | 1V @ 250 µA | 35nc @ 10V | 525pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFP9Z14 | - | ![]() | 2360 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 60 V | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 350 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4749A-T50R | 0.0300 | ![]() | 2633 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4749 | 1 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSE13009TU | - | ![]() | 8878 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | KSE13009 | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | NPN | 3V @ 3a, 12a | 8 @ 5a, 5v | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6606 | 0.7200 | ![]() | 214 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 75A (TA) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 17a, 10v | 3V @ 250 µA | 31 NC @ 5 V | ± 20V | 2400 pf @ 15 V | - | 71W (TC) |
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