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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Irfw630btm | - | ![]() | 4921 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 30V | 720 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 72W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD8P05SM | 1.0000 | ![]() | 7129 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 50 V | 8a (TC) | 300mohm @ 8a, 10v | 4V @ 250 µA | 80 NC @ 20 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5230B | 1.0000 | ![]() | 8598 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 V | 19 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCA22N60N | 4.6600 | ![]() | 978 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Supremos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pn | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 65 | N-canal | 600 V | 22a (TC) | 10V | 165mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 1950 pf @ 100 V | - | 205W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksd261gbu | 0.0300 | ![]() | 4116 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 9,000 | 20 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 200 @ 100 mapa, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Si9933bdy | - | ![]() | 4430 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9933 | - | 900MW (TA) | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 3.4a (TA) | 75mohm @ 3.2a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 20NC @ 4.5V | 825pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH47N60F-F085 | 12.9700 | ![]() | 421 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotive, AEC-Q101, Superfet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | N-canal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 75mohm @ 47a, 10v | 5V @ 250 µA | 250 nc @ 10 V | ± 30V | 8000 pf @ 25 V | - | 417W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8662 | - | ![]() | 5208 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 190 | N-canal | 30 V | 28a (TA), 49A (TC) | 4.5V, 10V | 2mohm @ 28a, 10v | 3V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 6420 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJV3102RMTF | 0.0300 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | FJV310 | 200 MW | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH3476-TL-W | 0.0900 | ![]() | 7750 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, Plano Plano | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70FL/MCPH3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 2a (TA) | 125mohm @ 1a, 4.5V | 1.3V @ 1MA | 1.8 NC @ 4.5 V | ± 12V | 128 pf @ 10 V | - | 800MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS3662 | - | ![]() | 5528 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | Power56 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 V | 8.9a (TA), 39A (TC) | 10V | 14.8mohm @ 8.9a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 4620 pf @ 50 V | - | 2.5W (TA), 104W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76629D3ST_NL | - | ![]() | 7064 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 86 | N-canal | 100 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 52mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 16V | 1285 pf @ 25 V | - | 150W (TJ) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDA16N50 | 1.6000 | ![]() | 384 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pn | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 V | 16.5a (TC) | 10V | 380mohm @ 8.3a, 10v | 5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 1945 pf @ 25 V | - | 205W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3D | - | ![]() | 9738 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | SMC (DO-214AB) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 900 MV @ 3 A | 20 ns | 5 µA @ 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LL4148 | 1.0000 | ![]() | 7199 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | LL414 | Estándar | Sod-80c | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -50 ° C ~ 175 ° C | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8672As | 0.5900 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 18a (TA), 28a (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 18a, 10v | 3V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 70W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ffpf04f150stu | 1.0000 | ![]() | 4886 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | TO20F-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1500 V | 1.5 v @ 4 a | 170 ns | 5 µA @ 1500 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 4A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdma410nzt | - | ![]() | 6910 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | Mosfet (Óxido de metal) | 6-UDFN (2.05x2.05) | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-FDMA410NZT-600039 | 1 | N-canal | 20 V | 9.5a (TA) | 1.5V, 4.5V | 23mohm @ 9.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1310 pf @ 10 V | - | 2.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fes16ht | 0.2700 | ![]() | 7271 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Estándar | Un 220-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 801 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | 145pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75345P3_NL | 1.9200 | ![]() | 252 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 7mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 275 NC @ 20 V | ± 20V | 4000 pf @ 25 V | - | 325W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N963B | 2.1300 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 141 | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 11.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdpf5n50tydtu | 0.6000 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 Paqueto completo, Pechos Formados | Mosfet (Óxido de metal) | TO20F (LG Formado) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 640 pf @ 25 V | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbz5237b | 0.0200 | ![]() | 147 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.2 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6680A | 1.0000 | ![]() | 8930 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 30 V | 12.5a (TA) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 12.5a, 10V | 3V @ 250 µA | 23 NC @ 5 V | ± 20V | 1620 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ4V7B | 0.0200 | ![]() | 6645 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,263 | 1.2 v @ 200 ma | 190 na @ 1 V | 4.7 V | 21 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbt2907a | 1.0000 | ![]() | 2288 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdd20an06a0 | 1.0000 | ![]() | 3032 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 8A (TA), 45A (TC) | 10V | 20mohm @ 45a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9K460P3_Q | 1.0000 | ![]() | 9365 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ss9011gbu | 0.0500 | ![]() | 444 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 400 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 30 V | 30 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 72 @ 1 MMA, 5V | 2MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1D | - | ![]() | 1930 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC, SMA | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 602 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 920 MV @ 1 A | 15 ns | 5 µA @ 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - |
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