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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FJN3301RTA Fairchild Semiconductor Fjn3301rta -
RFQ
 ECAD 8909 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales FJN330 300 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 500 µA, 10 mA 20 @ 10mA, 5V 250MHz
495220TU Fairchild Semiconductor 495220tu 0.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 40 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 325 V 4 A 5MA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 5MA, 2A 1000 @ 3a, 5v -
MM3Z22VC Fairchild Semiconductor MM3Z22VC 0.0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 200 MW Sod-323f descascar EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 Ma 45 na @ 15.4 V 22 V 51 ohmios
FSBB20CH60F Fairchild Semiconductor FSBB20CH60F -
RFQ
 ECAD 9616 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 3 Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT FSBB20 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 60 3 fase 20 A 600 V 2500 VRMS
FDAF62N28 Fairchild Semiconductor FDAF62N28 2.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 280 V 36A (TC) 10V 51mohm @ 18a, 10v 5V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 30V 4630 pf @ 25 V - 165W (TC)
FFD08S60S Fairchild Semiconductor FFD08S60S 0.3600
RFQ
 ECAD 222 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 2.500
FDB6035AL Fairchild Semiconductor Fdb6035al 1.4600
RFQ
 ECAD 172 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 48a (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 24a, 10v 3V @ 250 µA 18 NC @ 5 V ± 20V 1250 pf @ 15 V - 52W (TC)
FSAM15SM60A Fairchild Semiconductor FSAM15SM60A 22.6400
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 2 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 32 Potencias (1.370 ", 34.80 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 8 3 fase 15 A 600 V 2500 VRMS
MMBT2369 Fairchild Semiconductor MMBT2369 -
RFQ
 ECAD 7778 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 15 V 200 MA 400NA (ICBO) NPN 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 40 @ 10mA, 1V -
FDD4N60NZ Fairchild Semiconductor Fdd4n60nz 1.0000
RFQ
 ECAD 3598 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet-ii ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) - 0000.00.0000 1 N-canal 600 V 3.4a (TC) 10V 2.5ohm @ 1.7a, 10v 5V @ 250 µA 10.8 NC @ 10 V ± 25V 510 pf @ 25 V - 114W (TC)
HUFA76633P3 Fairchild Semiconductor HUFA76633P3 1.0700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 100 V 39A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 39a, 10v 3V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 16V 1820 pf @ 25 V - 145W (TC)
FDM3622 Fairchild Semiconductor FDM3622 1.0000
RFQ
 ECAD 5205 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) descascar 0000.00.0000 1 N-canal 100 V 4.4a (TA) 6V, 10V 60mohm @ 4.4a, 10V 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 1090 pf @ 25 V - 2.1W (TA)
FQA28N50F Fairchild Semiconductor FQA28N50F -
RFQ
 ECAD 2936 0.00000000 Semiconductor de fairchild FRFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 28.4a (TC) 10V 160mohm @ 14.2a, 10v 5V @ 250 µA 140 NC @ 10 V ± 30V 5600 pf @ 25 V - 310W (TC)
1N4730ATR Fairchild Semiconductor 1N4730ATR 0.0200
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4730 1 W Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 50 µA @ 1 V 3.9 V 9 ohmios
SS29FA Fairchild Semiconductor SS29FA 0.1300
RFQ
 ECAD 9231 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie SOD-123W Schottky SOD-123FA descascar EAR99 8541.10.0080 1,711 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 2 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 120pf @ 4V, 1MHz
SB530 Fairchild Semiconductor SB530 -
RFQ
 ECAD 2713 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero DO-201AA, DO-27, AXIAL SB53 Schottky DO-2010 descascar EAR99 8541.10.0080 869 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 30 V -50 ° C ~ 150 ° C 5A -
HUFA76404DK8T Fairchild Semiconductor HUFA76404DK8T 0.3400
RFQ
 ECAD 6444 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HUFA76404 Mosfet (Óxido de metal) 2.5w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 62V 3.6a 110mohm @ 3.6a, 10v 3V @ 250 µA 4.9nc @ 5V 250pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
BS270 Fairchild Semiconductor BS270 -
RFQ
 ECAD 7006 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 60 V 400 mA (TA) 4.5V, 10V 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 625MW (TA)
FDB6670AS Fairchild Semiconductor Fdb6670as 1.9100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 62a (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 31a, 10v 3V @ 1MA 39 NC @ 15 V ± 20V 1570 pf @ 15 V - 62.5W (TC)
IRLM110ATF Fairchild Semiconductor IRLM110ATF 1.0000
RFQ
 ECAD 1456 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 V 1.5a (TC) 5V 440MOHM @ 750MA, 5V 2V @ 250 µA 8 NC @ 5 V ± 20V 235 pf @ 25 V - 2.2W (TC)
HUF75339G3_NL Fairchild Semiconductor HUF75339G3_NL 0.7500
RFQ
 ECAD 6516 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 60 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 12mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
MM3Z68VC Fairchild Semiconductor Mm3z68vc 0.0200
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 200 MW Sod-323f descascar EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 Ma 45 na @ 47.6 V 68 V 226 ohmios
MM5Z75V Fairchild Semiconductor MM5Z75V 0.0200
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 50 na @ 52.5 V 75 V 255 ohmios
HUF75639S3 Fairchild Semiconductor HUF75639S3 -
RFQ
 ECAD 3715 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-HUF75639S3-600039 1 N-canal 100 V 56a (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
FQB8N60CFTM Fairchild Semiconductor FQB8N60CFTM 1.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild FRFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 6.26a (TC) 10V 1.5ohm @ 3.13a, 10V 4V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1255 pf @ 25 V - 147W (TC)
KSA733YBU Fairchild Semiconductor Ksa733ybu -
RFQ
 ECAD 2870 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 180MHz
FSAM15SL60 Fairchild Semiconductor FSAM15SL60 9.0500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild SPM® Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 32 Potencias (1.370 ", 34.80 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 8 3 fase 15 A 600 V 2500 VRMS
FQPF13N06 Fairchild Semiconductor FQPF13N06 0.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 9.4a (TC) 10V 135mohm @ 4.7a, 10V 4V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 25V 310 pf @ 25 V - 24W (TC)
KSA1015GRTA Fairchild Semiconductor KSA1015GRTA 0.0300
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 400 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
2N5247 Fairchild Semiconductor 2N5247 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 30 V TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5247 400MHz Jfet Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 N-canal - - - 4db
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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