SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FNA51560T3 Fairchild Semiconductor FNA51560T3 10.1000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 55 Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 20 Potencias (1.220 ", 31.00 mm) IGBT FNA51 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 78 3 fase 15 A 600 V 1500 VRMS
KSD471ACGTA Fairchild Semiconductor Ksd471acgta 0.0600
RFQ
ECAD 121 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO6-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 800 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 30 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 200 @ 100 mapa, 1v 130MHz
IRFP254B Fairchild Semiconductor IRFP254B 0.6600
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 250 V 25A (TC) 10V 140mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250 µA 123 NC @ 10 V ± 30V 3400 pf @ 25 V - 221W (TC)
1N5228B Fairchild Semiconductor 1N5228B 0.0300
RFQ
ECAD 141 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% A Través del Aguetero 500 MW - descascar EAR99 8541.10.0050 11,539 10 µA @ 1 V 3.9 V 23 ohmios
IRFU310BTU Fairchild Semiconductor Irfu310btu 0.1200
RFQ
ECAD 104 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 400 V 1.7a (TC) 10V 3.4ohm @ 850mA, 10V 4V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 30V 330 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 26W (TC)
MMSD4148-D87Z-FS Fairchild Semiconductor MMSD4148-D87Z-FS 0.0200
RFQ
ECAD 175 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie SOD-123 Estándar SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
KSH2955TF Fairchild Semiconductor KSH2955TF 0.1900
RFQ
ECAD 83 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 1.75 W D-Pak descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-KSH2955TF-600039 1 60 V 10 A 50 µA PNP 8V @ 3.3a, 10a 20 @ 4a, 4V 2MHz
SFP9Z34 Fairchild Semiconductor SFP9Z34 -
RFQ
ECAD 2525 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 60 V 18a (TC) 10V 140mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1155 pf @ 25 V - 82W (TC)
EGP20C Fairchild Semiconductor EGP20C 0.2100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar Do-15 descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-EGP20C-600039 1.401 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 2 A 50 ns 5 µA @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C 2a 70pf @ 4V, 1MHz
FDU8796 Fairchild Semiconductor FDU8796 0.4100
RFQ
ECAD 502 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 35A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 20V 2610 pf @ 13 V - 88W (TC)
TIP111TU Fairchild Semiconductor TIP111TU 1.0000
RFQ
ECAD 7369 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2 W Un 220-3 descascar EAR99 8541.29.0095 1 80 V 2 A 2mera NPN - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4V -
1N5248BTR Fairchild Semiconductor 1N5248BTR 0.0200
RFQ
ECAD 509 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 14 V 18 V 21 ohmios
SGS5N150UFTU Fairchild Semiconductor Sgs5n150uftu 3.1500
RFQ
ECAD 1185 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Sgs5n Estándar 50 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 66 600V, 5a, 10ohm, 10V - 1500 V 10 A 20 A 5.5V @ 10V, 5a 190 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) 30 NC 10ns/30ns
2N7002 Fairchild Semiconductor 2N7002 -
RFQ
ECAD 1501 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 60 V 115MA (TC) 5V, 10V 7.5ohm @ 50 mm, 5V ± 20V 50 pf @ 25 V 200MW (TC)
KSP43TA Fairchild Semiconductor Ksp43ta -
RFQ
ECAD 9057 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO6-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 200 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2 mm, 20 mm 40 @ 30mA, 10V 50MHz
FDS9934C Fairchild Semiconductor Fds9934c -
RFQ
ECAD 2274 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS9934 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 Vecino del canal 20V 6.5a, 5a 30mohm @ 6.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 9NC @ 4.5V 650pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FGB40N6S2 Fairchild Semiconductor FGB40N6S2 3.0900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 290 W D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 390V, 20a, 3ohm, 15V - 600 V 75 A 180 A 2.7V @ 15V, 20a 115 µJ (Encendido), 195 µJ (apaguado) 35 NC 8ns/35ns
SSP45N20A Fairchild Semiconductor SSP45N20A 0.6800
RFQ
ECAD 519 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-SSP45N20A EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 35A (TC) 10V 65mohm @ 17.5a, 10v 4V @ 250 µA 152 NC @ 10 V ± 30V 3940 pf @ 25 V - 175W (TC)
BCW66G Fairchild Semiconductor Bcw66g -
RFQ
ECAD 7087 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 45 V 1 A 20NA NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
MMBZ5247B Fairchild Semiconductor Mmbz5247b 0.0200
RFQ
ECAD 102 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 13 V 17 V 19 ohmios
BSR16 Fairchild Semiconductor BSR16 0.0800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar EAR99 8541.21.0075 3.947 60 V 800 Ma 10NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
2N5210 Fairchild Semiconductor 2N5210 0.0200
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92 descascar Vendedor indefinido Alcanzar Afectados 2156-2N5210-600039 1 50 V 50 Ma 50NA (ICBO) NPN 700mv @ 1 MMA, 10 Ma 250 @ 10mA, 5V 30MHz
KSC1623LMTF-FS Fairchild Semiconductor KSC1623LMTF-FS 0.0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 KSC1623 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 300 @ 1 Mapa, 6V 250MHz
FDU8880 Fairchild Semiconductor FDU8880 0.4600
RFQ
ECAD 349 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 30 V 13a (TA), 58A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1260 pf @ 15 V - 55W (TC)
NZT6714 Fairchild Semiconductor NZT6714 0.0900
RFQ
ECAD 59 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1 W SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 2.500 30 V 2 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 60 @ 100mA, 1V -
MM5Z2V7 Fairchild Semiconductor MM5Z2V7 -
RFQ
ECAD 3400 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 7% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523F MM5Z2 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 20 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
HUF75617D3 Fairchild Semiconductor HUF75617D3 0.2500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 100 V 16a (TC) 10V 90mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 39 NC @ 20 V ± 20V 570 pf @ 25 V - 64W (TC)
IRFS630B Fairchild Semiconductor IRFS630B 0.5200
RFQ
ECAD 743 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar Afectados 2156-IRFS630B-600039 1
MPSW06 Fairchild Semiconductor MPSW06 -
RFQ
ECAD 1726 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 824 80 V 500 mA 500NA NPN 400mv @ 10 Ma, 250 Ma 100 @ 100 maja, 1v 50MHz
FDW2508P Fairchild Semiconductor FDW2508P 0.5300
RFQ
ECAD 304 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) FDW25 Mosfet (Óxido de metal) 1W 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 12V 6A 18mohm @ 6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 36NC @ 4.5V 2644pf @ 6V Puerta de Nivel Lógico
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock