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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | FNA51560T3 | 10.1000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | MOVIMIENTO SPM® 55 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 20 Potencias (1.220 ", 31.00 mm) | IGBT | FNA51 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.39.0001 | 78 | 3 fase | 15 A | 600 V | 1500 VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksd471acgta | 0.0600 | ![]() | 121 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO6-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 800 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 30 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 200 @ 100 mapa, 1v | 130MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP254B | 0.6600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 250 V | 25A (TC) | 10V | 140mohm @ 12.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 123 NC @ 10 V | ± 30V | 3400 pf @ 25 V | - | 221W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5228B | 0.0300 | ![]() | 141 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | A Través del Aguetero | 500 MW | - | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 10 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfu310btu | 0.1200 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | Mosfet (Óxido de metal) | TO-251 (ipak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 V | 1.7a (TC) | 10V | 3.4ohm @ 850mA, 10V | 4V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 30V | 330 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 26W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSD4148-D87Z-FS | 0.0200 | ![]() | 175 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | Estándar | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSH2955TF | 0.1900 | ![]() | 83 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 1.75 W | D-Pak | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-KSH2955TF-600039 | 1 | 60 V | 10 A | 50 µA | PNP | 8V @ 3.3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | 2MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFP9Z34 | - | ![]() | 2525 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 18a (TC) | 10V | 140mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1155 pf @ 25 V | - | 82W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGP20C | 0.2100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | Do-15 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-EGP20C-600039 | 1.401 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2a | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU8796 | 0.4100 | ![]() | 502 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 25 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 35a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 2610 pf @ 13 V | - | 88W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP111TU | 1.0000 | ![]() | 7369 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 2 W | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 2 A | 2mera | NPN - Darlington | 2.5V @ 8MA, 2A | 1000 @ 1a, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5248BTR | 0.0200 | ![]() | 509 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 14 V | 18 V | 21 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sgs5n150uftu | 3.1500 | ![]() | 1185 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Sgs5n | Estándar | 50 W | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 66 | 600V, 5a, 10ohm, 10V | - | 1500 V | 10 A | 20 A | 5.5V @ 10V, 5a | 190 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) | 30 NC | 10ns/30ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002 | - | ![]() | 1501 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 60 V | 115MA (TC) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 50 mm, 5V | ± 20V | 50 pf @ 25 V | 200MW (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp43ta | - | ![]() | 9057 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO6-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 200 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 2 mm, 20 mm | 40 @ 30mA, 10V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fds9934c | - | ![]() | 2274 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FDS9934 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Vecino del canal | 20V | 6.5a, 5a | 30mohm @ 6.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 9NC @ 4.5V | 650pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB40N6S2 | 3.0900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | 290 W | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 390V, 20a, 3ohm, 15V | - | 600 V | 75 A | 180 A | 2.7V @ 15V, 20a | 115 µJ (Encendido), 195 µJ (apaguado) | 35 NC | 8ns/35ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSP45N20A | 0.6800 | ![]() | 519 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2156-SSP45N20A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 V | 35A (TC) | 10V | 65mohm @ 17.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 152 NC @ 10 V | ± 30V | 3940 pf @ 25 V | - | 175W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bcw66g | - | ![]() | 7087 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 45 V | 1 A | 20NA | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbz5247b | 0.0200 | ![]() | 102 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 13 V | 17 V | 19 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR16 | 0.0800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.947 | 60 V | 800 Ma | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5210 | 0.0200 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar Afectados | 2156-2N5210-600039 | 1 | 50 V | 50 Ma | 50NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 1 MMA, 10 Ma | 250 @ 10mA, 5V | 30MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1623LMTF-FS | 0.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | KSC1623 | 200 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 300 @ 1 Mapa, 6V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU8880 | 0.4600 | ![]() | 349 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 30 V | 13a (TA), 58A (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 35a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1260 pf @ 15 V | - | 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZT6714 | 0.0900 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1 W | SOT-223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 2.500 | 30 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 60 @ 100mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z2V7 | - | ![]() | 3400 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 7% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523F | MM5Z2 | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 20 µA @ 1 V | 2.7 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75617D3 | 0.2500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 V | 16a (TC) | 10V | 90mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 20 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 64W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS630B | 0.5200 | ![]() | 743 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar Afectados | 2156-IRFS630B-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSW06 | - | ![]() | 1726 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1 W | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 824 | 80 V | 500 mA | 500NA | NPN | 400mv @ 10 Ma, 250 Ma | 100 @ 100 maja, 1v | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDW2508P | 0.5300 | ![]() | 304 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | FDW25 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 6A | 18mohm @ 6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 36NC @ 4.5V | 2644pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico |
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