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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | MMSZ5249BT1G | 0.0300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 14 V | 19 V | 23 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ss9014cta | - | ![]() | 6452 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO6-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 450 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 1 mapa, 5v | 270MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJC690TF | 0.1900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 500 MW | SOT-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 45 V | 2 A | 100na | NPN | 300mv @ 5 mm, 1a | 500 @ 100 mapa, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa916ybu | 0.0500 | ![]() | 7508 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 900 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,881 | 120 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 120 @ 100 mapa, 5V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5987B | 1.8400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 v @ 200 ma | 50 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RURD620CCS9A-SB82068 | 0.8700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Estándar | TO-252, (D-Pak) | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 6A | 1 v @ 6 a | 30 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5086BU | 0.0200 | ![]() | 96 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 50 V | 100 mA | 50NA | PNP | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 150 @ 100 µA, 5V | 40MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB8N25TM | 0.5900 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 8a (TC) | 10V | 550mohm @ 4a, 10v | 5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 530 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 87W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C3V3-T50A | 0.0200 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar Afectados | 2156-BZX79C3V3-T50A-600039 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP4N60 | 1.1300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Superfet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 267 | N-canal | 600 V | 3.9a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2a, 10v | 5V @ 250 µA | 16.6 NC @ 10 V | ± 30V | 540 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C22 | 0.0600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 100 na @ 17 V | 22 V | 55 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS6523 | - | ![]() | 5385 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO6-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | TO-92 (TO-226) | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 25 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 300 @ 2mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjn4303rbu | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | FJN430 | 300 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fja4213rtu | 2.6300 | ![]() | 8519 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | 130 W | Un 3p | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 V | 17 A | 5 µA (ICBO) | PNP | 3V @ 800mA, 8A | 55 @ 1a, 5v | 30MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ss9011hbu | 0.0200 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 400 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 30 V | 30 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 97 @ 1 MMA, 5V | 2MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C33-T50A | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar Afectados | 2156-BZX79C33-T50A-600039 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFR9120TF | 0.2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252-3 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 100 V | 4.9a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 550 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 32W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54HT1G | - | ![]() | 2952 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BAT54 | Schottky | Sod-323 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 800 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 10pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ffpf20u60dntu | 0.5400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 20A | 2.2 V @ 20 A | 90 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGH20N60RUFDTU-FS | 1.0000 | ![]() | 3798 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | SGH20N60 | Estándar | 195 W | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 300V, 20a, 10ohm, 15V | 50 ns | - | 600 V | 32 A | 60 A | 2.8V @ 15V, 20a | 524 µJ (Encendido), 473 µJ (apaguado) | 80 NC | 30ns/48ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd30n06tf | - | ![]() | 2403 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 21 | N-canal | 60 V | 22.7a (TC) | 10V | 45mohm @ 11.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 25V | 945 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 44W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D44H8 | - | ![]() | 2482 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | D44H8 | 2 W | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 630 | 60 V | 10 A | 10 µA | NPN | 1V @ 400 Ma, 8a | 40 @ 4a, 1v | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8888 | - | ![]() | 4054 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 30 V | 13.5a (TA), 21a (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 13.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 1585 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB5690 | 1.6000 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 32A (TC) | 6V, 10V | 27mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 1120 pf @ 25 V | - | 58W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB50550UTD | 10.6200 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | MOVIMIENTO SPM® 5 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 23 Potencias (0.748 ", 19.00 mm) | Mosfet | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Inversor de 3 fase | 2 A | 500 V | 1500 VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjp5321tu | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 100 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 500 V | 5 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 600 Ma, 3a | 15 @ 600mA, 5V | 14MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mjd31ceitu | 0.3200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MJD31 | 1.56 W | TO-252-3 (DPAK) | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 3 A | 50 µA | NPN | 1.2V @ 375MA, 3A | 60 @ 100mA, 1V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ss9014dbu | 0.0200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 450 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 60 @ 1 MMA, 5V | 270MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc3123ymtf | 0.0200 | ![]() | 5208 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 150MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,446 | 20dB ~ 23dB | 20V | 50mera | NPN | 120 @ 5mA, 10V | 1.4GHz | 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB27N25TM-F085 | 1.3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | FQB27 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-FQB27N25TM-F085-600039 | 1 | N-canal | 250 V | 25.5A (TC) | 10V | 131mohm @ 25.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1800 pf @ 25 V | - | 417W (TC) |
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