SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Voltaje Acoplado a la Corriente: Fuga Inversa @ VR Corriente Acoplada A Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if
FDC655AN Fairchild Semiconductor FDC655an 1.7900
RFQ
ECAD 299 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 30 V 6.3a (TA) 4.5V, 10V 27mohm @ 6.3a, 10v 3V @ 250 µA 13 NC @ 5 V ± 20V 830 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
SSS2N60B Fairchild Semiconductor SSS2N60B 0.1900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 2a (TJ) 10V 5ohm @ 1a, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 490 pf @ 25 V - 23W (TC)
BZX79C3V9 Fairchild Semiconductor BZX79C3V9 0.0300
RFQ
ECAD 474 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Do-35 descascar EAR99 8541.10.0050 11,727 1.5 10 1 100
FJP5555STU Fairchild Semiconductor FJP555555Stu 0.4100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1
FCH190N65F-F085 Fairchild Semiconductor FCH190N65F-F085 -
RFQ
ECAD 9438 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotive, AEC-Q101, Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 650 V 20.6a (TC) 10V 190mohm @ 27a, 10v 5V @ 250 µA 82 NC @ 10 V ± 20V 3181 pf @ 25 V - 208W (TC)
HGTG30N60C3D_NL Fairchild Semiconductor HGTG30N60C3D_NL -
RFQ
ECAD 7652 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 208 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 13 - 60 ns - 600 V 63 A 252 A 1.8v @ 15V, 30a - 250 NC -
KSA539YBU Fairchild Semiconductor Ksa539ybu 0.0300
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ECAD 8619 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 400 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 9,000 45 V 200 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 15 mA, 150 mA 120 @ 50mA, 1V -
FCI25N60N Fairchild Semiconductor FCI25N60N -
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ECAD 9481 0.00000000 Semiconductor de fairchild Supremos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA FCI25 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 125mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250 µA 74 NC @ 10 V ± 30V 3352 pf @ 100 V - 216W (TC)
FQB10N20LTM Fairchild Semiconductor FQB10N20LTM 0.5900
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ECAD 5050 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 457 N-canal 200 V 10a (TC) 5V, 10V 360mohm @ 5a, 10v 2V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 20V 830 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 87W (TC)
FQPF6N40C Fairchild Semiconductor Fqpf6n40c 0.5900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 400 V 6a (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 38W (TC)
FJN4301RTA Fairchild Semiconductor Fjn4301rta -
RFQ
ECAD 4825 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales FJN430 300 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 20 @ 10mA, 5V 200 MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
MBRP745TU Fairchild Semiconductor MBRP745TU 0.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Schottky Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 650 MV @ 7.5 A 1 ma @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 7.5a -
HGTP5N120CN Fairchild Semiconductor HGTP5N120CN -
RFQ
ECAD 5235 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 167 W Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 960V, 5.5a, 25ohm, 15V Escrutinio 1200 V 25 A 40 A 2.4V @ 15V, 5.5a 400 µJ (Encendido), 640 µJ (apagado) 75 NC 22ns/180ns
1N754ATR Fairchild Semiconductor 1N754ATR 0.0500
RFQ
ECAD 55 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 V 6.8 V 5 ohmios
RHRG1560CC_NL Fairchild Semiconductor RRG1560CC_NL 1.0000
RFQ
ECAD 8803 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Avalancha To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 15A 2.1 v @ 15 a 40 ns 100 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C
KSD1621RTF Fairchild Semiconductor KSD1621RTF 0.1400
RFQ
ECAD 6823 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 500 MW SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 170 25 V 2 A 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 75 mm, 1.5a 100 @ 100 maja, 2v 150MHz
FDS6670A Fairchild Semiconductor FDS6670A 0.3900
RFQ
ECAD 110 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 779 N-canal 30 V 13a (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 30 NC @ 5 V ± 20V 2220 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FDC699P Fairchild Semiconductor FDC699P 0.5500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6 SSOT Plano, SuperSot ™ -6 FLMP Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 flmp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 7a (TA) 2.5V, 4.5V 22mohm @ 7a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 38 NC @ 5 V ± 12V 2640 pf @ 10 V - 2W (TA)
MM5Z43V Fairchild Semiconductor Mm5z43v 0.0200
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 7% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523F MM5Z4 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 50 na @ 30.1 V 43 V 150 ohmios
FDMS7672 Fairchild Semiconductor FDMS7672 0.5200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) Power56 descascar EAR99 8542.39.0001 623 N-canal 30 V 19a (TA), 28a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 19a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 2960 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
HUF76132P3 Fairchild Semiconductor HUF76132P3 0.9000
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Vendedor indefinido 2156-HUF76132P3-600039 0000.00.0000 1
FSB50825TB2 Fairchild Semiconductor FSB50825TB2 5.2700
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Semiconductor de fairchild SPM® Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 23 Potencias (0.748 ", 19.00 mm) IGBT FSB50825 - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 15 3 fase 4 A 250 V 1500 VRMS
1N5249B Fairchild Semiconductor 1N5249B 1.8400
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 163 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 14 V 19 V 23 ohmios
FFAF10U170STU Fairchild Semiconductor FFAF10U170STU 0.6000
RFQ
ECAD 117 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Variante A 3PF, 2 cables Estándar TO-3PF-2L descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 360 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1700 V 2.2 v @ 10 a 140 ns 100 µA @ 1700 V -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
BZX79C15-T50R Fairchild Semiconductor BZX79C15-T50R 0.0300
RFQ
ECAD 35 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0050 11,539 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
BC308 Fairchild Semiconductor BC308 -
RFQ
ECAD 4627 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1.036 25 V 100 mA 15NA PNP 500mv @ 5 mm, 100 mapa 120 @ 2mA, 5V 130MHz
FDMD8260L Fairchild Semiconductor FDMD8260L 1.6600
RFQ
ECAD 122 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 12-POWERWDFN FDMD8260 Mosfet (Óxido de metal) 1W 12-Power3.3x5 descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 Canal N (Dual) 60V 15A 5.8mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 68nc @ 10V 5245pf @ 30V -
SS9012HBU Fairchild Semiconductor Ss9012hbu 0.0300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) SS9012 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 20 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 50 mA, 500 mA 144 @ 50mA, 1V -
FDU6N25 Fairchild Semiconductor FDU6N25 0.2500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar EAR99 8542.39.0001 1,211 N-canal 250 V 4.4a (TC) 10V 1.1ohm @ 2.2a, 10v 5V @ 250 µA 6 NC @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 50W (TC)
FDMS86204 Fairchild Semiconductor FDMS86204 0.8700
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock