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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
SGS6N60UFTU Fairchild Semiconductor Sgs6n60uftu -
RFQ
 ECAD 8775 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 22 W Un 220F - 2156-sgs6n60uftu 1 300V, 3a, 80ohm, 15V - 600 V 6 A 25 A 2.6V @ 15V, 3a 57 µJ (Encendido), 25 µJ (apaguado) 15 NC 15ns/60ns
2N7002D87Z Fairchild Semiconductor 2N7002D87Z -
RFQ
 ECAD 4379 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 11 N-canal 60 V 115MA (TC) 5V, 10V 7.5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 200MW (TC)
PZTA92 Fairchild Semiconductor PZTA92 -
RFQ
 ECAD 6774 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1 W SOT-223 (TO-261) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 300 V 500 mA 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2 mm, 20 mm 40 @ 10mA, 10V 50MHz
KSC2883OTF Fairchild Semiconductor Ksc2883otf 0.1500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 4.000 30 V 1.5 A 100NA (ICBO) NPN 2V @ 30mA, 1.5a 100 @ 500mA, 2V 120MHz
KSC1674YBU Fairchild Semiconductor Ksc1674ybu 0.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSC1674 250MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 - 20V 20 Ma NPN 120 @ 1 MMA, 6V 600MHz 3DB ~ 5DB @ 100MHz
FJP3305TU Fairchild Semiconductor Fjp3305tu 0.1500
RFQ
 ECAD 6830 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 75 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 400 V 4 A 1 µA (ICBO) NPN 1v @ 1a, 4a 19 @ 1a, 5v 4MHz
FQI5P10TU Fairchild Semiconductor Fqi5p10tu 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 100 V 4.5A (TC) 10V 1.05ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 40W (TC)
FSBS10NH60I Fairchild Semiconductor FSBS10NH60I 9.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1
FQPF9N50CF Fairchild Semiconductor FQPF9N50CF 0.7300
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 Semiconductor de fairchild FRFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8541.29.0095 413 N-canal 500 V 9A (TC) 10V 850mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1030 pf @ 25 V - 44W (TC)
FLZ9V1A Fairchild Semiconductor FLZ9V1A 0.0200
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 2.500 1.2 v @ 200 ma 300 na @ 6 V 8.5 V 6.6 ohmios
KSC5321 Fairchild Semiconductor KSC5321 0.2400
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSC532 Un 220-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 100 µA (ICBO) NPN 1V @ 600 Ma, 3a 15 @ 600mA, 5V 14MHz
HUFA76639S3S Fairchild Semiconductor HUFA76639S3S 0.6700
RFQ
 ECAD 9021 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 353 N-canal 100 V 51a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 51a, 10v 3V @ 250 µA 86 NC @ 10 V ± 16V 2400 pf @ 25 V - 180W (TC)
FDMS7572S Fairchild Semiconductor FDMS7572S 0.8400
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 25 V 23a (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 23a, 10v 3V @ 1MA 45 NC @ 10 V ± 20V 2780 pf @ 13 V - 2.5W (TA), 46W (TC)
SI4963DY Fairchild Semiconductor Si4963dy 0.6300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4963 Mosfet (Óxido de metal) 900MW (TA) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 1 2 Canal P (Dual) 20V 6.2a (TA) 33mohm @ 6.2a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 20NC @ 4.5V 1456pf @ 10V -
1N758ATR Fairchild Semiconductor 1N758ATR 0.0500
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 V 10 V 17 ohmios
FDZ2554PZ Fairchild Semiconductor FDZ2554PZ 0.6400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 18 WFBGA FDZ25 Mosfet (Óxido de metal) 2.1w 18-BGA (2.5x4) descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 6.5a 28mohm @ 6.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 21NC @ 4.5V 1430pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FCPF850N80Z Fairchild Semiconductor FCPF850N80Z -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FCPF850 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 800 V 6a (TC) 10V 850mohm @ 3a, 10v 4.5V @ 600 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1315 pf @ 100 V - 28.4W (TC)
RFD14LN05SM Fairchild Semiconductor RFD14LN05SM 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo RFD14 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
BZX79C13 Fairchild Semiconductor BZX79C13 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 1,000 1.5 V @ 100 Ma 100 na @ 8 V 13 V 30 ohmios
FQB11P06TM Fairchild Semiconductor Fqb11p06tm 0.7200
RFQ
 ECAD 814 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 Canal P 60 V 11.4a (TC) 10V 175mohm @ 5.7a, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 25V 550 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 53W (TC)
1N5999B Fairchild Semiconductor 1N5999B 3.4100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 96 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 7 V 9.1 V 10 ohmios
FDS4770 Fairchild Semiconductor FDS4770 2.6000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 13.2a (TA) 10V 7.5mohm @ 13.2a, 10v 5V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 2819 pf @ 20 V - 2.5W (TA)
FDMS7620S Fairchild Semiconductor FDMS7620S 1.0000
RFQ
 ECAD 5147 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMS7620 Mosfet (Óxido de metal) 1W Power56 descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 Canal N (Dual) 30V 10.1a, 12.4a 20mohm @ 10.1a, 10V 3V @ 250 µA 11NC @ 10V 608pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
SI4435DY Fairchild Semiconductor Si4435dy -
RFQ
 ECAD 7057 0.00000000 Semiconductor de fairchild Hexfet® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 30 V 8a (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 8a, 10v 1V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 2320 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
MM3Z36VC Fairchild Semiconductor Mm3z36vc 0.0300
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 200 MW Sod-323f descascar EAR99 8541.10.0050 11,539 1 V @ 10 Ma 45 na @ 25.2 V 36 V 84 ohmios
BC546CBU Fairchild Semiconductor Bc546cbu 1.0000
RFQ
 ECAD 4139 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 300MHz
SFP9610 Fairchild Semiconductor SFP9610 -
RFQ
 ECAD 4188 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 200 V 1.75a (TC) 10V 3ohm @ 900 mA, 10V 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 285 pf @ 25 V - 20W (TC)
FQA8N80 Fairchild Semiconductor FQA8N80 1.5900
RFQ
 ECAD 91 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 800 V 8.4a (TC) 10V 1.2ohm @ 4.2a, 10v 5V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 30V 2350 pf @ 25 V - 220W (TC)
FDP8870 Fairchild Semiconductor FDP8870 -
RFQ
 ECAD 4785 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 30 V 19a (TA), 156a (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 132 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 15 V - 160W (TC)
KSC945LTA Fairchild Semiconductor Ksc945lta 0.0200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 15,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 350 @ 1 MMA, 6V 300MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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