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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FDN3401 Fairchild Semiconductor FDN3401 -
RFQ
 ECAD 1526 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3.000
FDD8878 Fairchild Semiconductor FDD8878 0.4900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8542.39.0001 611 N-canal 30 V 11a (TA), 40a (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 880 pf @ 15 V - 40W (TC)
MMBFJ305 Fairchild Semiconductor Mmbfj305 0.1400
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-MMBFJ305-600039 EAR99 8541.21.0095 1
BCX71J Fairchild Semiconductor Bcx71j 0.0300
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 45 V 100 mA 20NA PNP 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 250 @ 2mA, 5V -
FDD8444 Fairchild Semiconductor FDD8444 1.0600
RFQ
 ECAD 327 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8541.29.0095 327 N-canal 40 V 145A (TC) 10V 5.2mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 116 NC @ 10 V ± 20V 6195 pf @ 25 V - 153W (TC)
ZTX749 Fairchild Semiconductor ZTX749 1.0000
RFQ
 ECAD 9804 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W Un 226 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 1 25 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200MA, 2a 100 @ 1a, 2v 100MHz
FQI5N15TU Fairchild Semiconductor Fqi5n15tu 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 150 V 5.4a (TC) 10V 800mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250 µA 7 NC @ 10 V ± 25V 230 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 54W (TC)
RFD3055LE_R4821 Fairchild Semiconductor RFD3055LE_R4821 -
RFQ
 ECAD 8952 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo RFD3055 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
ISL9N315AD3ST Fairchild Semiconductor ISL9N315Ad3st 0.3600
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 30A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 30a, 10v 3V @ 250 µA 28 NC @ 10 V ± 20V 900 pf @ 15 V - 55W (TA)
FFSH1665ADN-F155 Fairchild Semiconductor FFSH1665Adn-F155 4.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FFSH1665Adn-F155 EAR99 8541.10.0080 72 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 650 V 11a (DC) 1.75 v @ 8 a 0 ns 200 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
EGP30G Fairchild Semiconductor EGP30G -
RFQ
 ECAD 7877 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 v @ 3 a 50 ns 5 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A 75pf @ 4V, 1 MHz
FDH400TR Fairchild Semiconductor FDH400TR 0.0300
RFQ
 ECAD 163 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8542.39.0001 9,779 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 150 V 1.1 V @ 300 Ma 50 ns 100 na @ 150 V 175 ° C (Máximo) 200 MMA 2pf @ 0V, 1 MHz
BZX85C8V2 Fairchild Semiconductor BZX85C8V2 0.0300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 5 V 8.2 V 5 ohmios
BCP54 Fairchild Semiconductor BCP54 0.1900
RFQ
 ECAD 3954 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1.5 W SOT-223-4 descascar EAR99 8541.29.0075 1.209 45 V 1.5 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V -
FQD6N60CTM Fairchild Semiconductor Fqd6n60ctm 0.7200
RFQ
 ECAD 869 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 2ohm @ 2a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 810 pf @ 25 V - 80W (TC)
IRFI830BTU Fairchild Semiconductor Irfi830btu -
RFQ
 ECAD 1021 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1050 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 73W (TC)
FDB045AN08A0 Fairchild Semiconductor Fdb045an08a0 -
RFQ
 ECAD 9440 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 75 V 19A (TA), 90A (TC) 6V, 10V 4.5mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 138 NC @ 10 V ± 20V 6600 pf @ 25 V - 310W (TC)
FDU3580 Fairchild Semiconductor FDU3580 0.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 80 V 7.7a (TA) 6V, 10V 29mohm @ 7.7a, 10V 4V @ 250 µA 79 NC @ 10 V ± 20V 1760 pf @ 40 V - 3.8W (TA), 42W (TC)
MMSZ4692 Fairchild Semiconductor MMSZ4692 0.0200
RFQ
 ECAD 246 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% - Montaje en superficie SOD-123 MMSZ46 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 5.1 V 6.8 V
MM5Z62V Fairchild Semiconductor Mm5z62v 0.0200
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523F MM5Z6 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 50 na @ 43.4 V 62 V 215 ohmios
MMBTA14 Fairchild Semiconductor Mmbta14 -
RFQ
 ECAD 7671 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.210075 3.000 30 V 1.2 A 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
DCB010-TB-E Fairchild Semiconductor DCB010-TB-E -
RFQ
 ECAD 8912 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Estándar 3-CP descascar No Aplicable EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 80 V 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 100 na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
IRFW550ATM Fairchild Semiconductor Irfw550atm 0.6300
RFQ
 ECAD 847 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar Afectados 2156-IRFW550ATM-600039 EAR99 0000.00.0000 1
FDD5N50TF Fairchild Semiconductor FDD5N50TF 0.2900
RFQ
 ECAD 1986 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 500 V 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 640 pf @ 25 V - 40W (TC)
FDD6682 Fairchild Semiconductor FDD6682 0.9500
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 75A (TA) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 17a, 10v 3V @ 250 µA 31 NC @ 5 V ± 20V 2400 pf @ 15 V - 71W (TA)
IRFNL210BTA Fairchild Semiconductor IRFNL210BTA 0.1100
RFQ
 ECAD 556 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo Irfnl210 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
BAV102 Fairchild Semiconductor BAV102 0.0400
RFQ
 ECAD 8067 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-213AA Bav10 Estándar DO-213AA, Mini Masa descascar EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 150 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 5 µA @ 150 V -50 ° C ~ 175 ° C 200 MMA -
BC81840 Fairchild Semiconductor BC81840 0.0900
RFQ
 ECAD 9741 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC818 310 MW Sot-23-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 0000.00.0000 3.000 25 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
HUFA76445P3 Fairchild Semiconductor HUFA76445P3 0.9900
RFQ
 ECAD 518 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 60 V 75A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 75a, 10v 3V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 16V 4965 pf @ 25 V - 310W (TC)
FJN3303TA Fairchild Semiconductor Fjn3303ta 0.0700
RFQ
 ECAD 5957 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 1.1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 489 400 V 1.5 A 10 µA (ICBO) NPN 3V @ 500mA, 1.5a 14 @ 500mA, 2V 4MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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