SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FDPF12N60NZ Fairchild Semiconductor FDPF12N60NZ -
RFQ
ECAD 9919 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet-ii ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 0000.00.0000 1 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 650mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 30V 1676 pf @ 25 V - 39W (TC)
FDPF12N50UT Fairchild Semiconductor FDPF12N50UT -
RFQ
ECAD 5793 0.00000000 Semiconductor de fairchild FRFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 10a (TC) 10V 800mohm @ 5a, 10v 5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 30V 1395 pf @ 25 V - 42W (TC)
FDP75N08 Fairchild Semiconductor FDP75N08 1.0400
RFQ
ECAD 365 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 75A (TC) 10V 11mohm @ 37.5a, 10v 4V @ 250 µA 104 NC @ 10 V ± 20V 4468 pf @ 25 V - 131W (TC)
FQA90N08 Fairchild Semiconductor FQA90N08 -
RFQ
ECAD 8478 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FQA90N08 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 80 V 90A (TC) 10V 16mohm @ 45a, 10V 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 25V 3250 pf @ 25 V - 214W (TC)
FDB035AN06A0 Fairchild Semiconductor Fdb035an06a0 2.9500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 102 N-canal 60 V 22a (TA), 80a (TC) 6V, 10V 3.5mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 124 NC @ 10 V ± 20V 6400 pf @ 25 V - 310W (TC)
SFW9Z24TM Fairchild Semiconductor SFW9Z24TM 0.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 60 V 9.7a (TC) 10V 280mohm @ 4.9a, 10V 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 49W (TC)
FQD2N90TF Fairchild Semiconductor Fqd2n90tf 0.5500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 900 V 1.7a (TC) 10V 7.2ohm @ 850mA, 10V 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
SSS6N70A Fairchild Semiconductor Sss6n70a 0.8000
RFQ
ECAD 950 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 700 V 4A (TC) 10V 1.8ohm @ 2a, 10v 4V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 30V 1200 pf @ 25 V - 40W (TC)
HUF76009D3ST Fairchild Semiconductor HUF76009D3ST 0.2500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 V 20A (TC) 5V, 10V 27mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 470 pf @ 20 V - 41W (TC)
FDMS0309AS Fairchild Semiconductor FDMS0309As -
RFQ
ECAD 9722 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 30 V 21a (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 21a, 10v 3V @ 1MA 47 NC @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
IRF654BFP001 Fairchild Semiconductor IRF654BFP001 0.9200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 250 V 21a (TC) 10V 140mohm @ 10.5a, 10v 4V @ 250 µA 123 NC @ 10 V ± 30V 3400 pf @ 25 V - 156W (TC)
FSBS10CH60T Fairchild Semiconductor FSBS10CH60T -
RFQ
ECAD 2019 0.00000000 Semiconductor de fairchild Movimiento-SPM® Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT FSBS10 - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 3 fase 10 A 600 V 2500 VRMS
FDBL0210N80 Fairchild Semiconductor FDBL0210N80 -
RFQ
ECAD 6894 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN Mosfet (Óxido de metal) 8 HPSOF - 0000.00.0000 1 N-canal 80 V 240a (TC) 10V 2mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 169 NC @ 10 V ± 20V 10 pf @ 40 V - 357W (TJ)
FDP030N06B Fairchild Semiconductor FDP030N06B 1.6200
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 201
PN5138 Fairchild Semiconductor PN5138 0.0700
RFQ
ECAD 7233 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 4,022 30 V 500 mA 50NA (ICBO) PNP 300mv @ 500 µA, 10 mA 50 @ 10 mapa, 10v -
KSD5018TU Fairchild Semiconductor KSD5018TU 0.3000
RFQ
ECAD 4851 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 40 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 811 275 V 4 A 1mera NPN - Darlington 1.5V @ 20MA, 3A - -
MM3Z3V3C Fairchild Semiconductor MM3Z3V3C 0.0200
RFQ
ECAD 5724 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 200 MW Sod-323f descascar EAR99 8541.10.0050 8,220 1 V @ 10 Ma 4.5 µA @ 1 V 3.3 V 89 ohmios
HN1B01FDW1T1G Fairchild Semiconductor HN1B01FDW1T1G 0.0400
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74, SOT-457 HN1B01 380MW SC-74 descascar EAR99 8541.21.0095 7,474 50V 200 MMA 2 µA NPN, PNP 250 MV @ 10mA, 100 mm / 300mv @ 10 mA, 100 mA 200 @ 2mA, 6V -
SFR9120TM Fairchild Semiconductor SFR9120TM 0.2500
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 100 V 4.9a (TC) 10V 600mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 550 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 32W (TC)
FDMC3020DC Fairchild Semiconductor Fdmc3020dc 1.0000
RFQ
ECAD 7001 0.00000000 Semiconductor de fairchild Dual Cool ™, Perstrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) Power33 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 30 V 17a (TA), 40a (TC) 4.5V, 10V 6.25mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1385 pf @ 15 V - 3W (TA), 50W (TC)
HUF76137P3 Fairchild Semiconductor HUF76137P3 0.8400
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 75A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 75a, 10v 3V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 20V 2100 pf @ 25 V - 145W (TC)
2N5366 Fairchild Semiconductor 2N5366 0.0400
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 40 V 500 mA 100na PNP 1v @ 30 mm, 300 mA 100 @ 50mA, 1V -
FDPF12N35 Fairchild Semiconductor FDPF12N35 0.5300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 350 V 12a (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 1110 pf @ 25 V - 31.3W (TC)
FDP7030L Fairchild Semiconductor FDP7030L 2.1300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 80a (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 40a, 10v 3V @ 250 µA 33 NC @ 5 V ± 20V 2440 pf @ 15 V - 68W (TC)
IRF830B Fairchild Semiconductor IRF830B 0.5400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1050 pf @ 25 V - 73W (TC)
FQP6N80 Fairchild Semiconductor FQP6N80 1.0000
RFQ
ECAD 4193 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 5.8a (TC) 10V 1.95ohm @ 2.9a, 10v 5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1500 pf @ 25 V - 158W (TC)
MMSZ5241B Fairchild Semiconductor MMSZ5241B 0.0200
RFQ
ECAD 5588 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 8.4 V 11 V 22 ohmios
IRF710B Fairchild Semiconductor IRF710B 0.1700
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 400 V 2a (TC) 10V 3.4ohm @ 1a, 10v 4V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 30V 330 pf @ 25 V - 36W (TC)
FDS7764S Fairchild Semiconductor FDS7764S 1.8100
RFQ
ECAD 118 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 13.5a (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 13.5a, 10v 2v @ 1 mapa 35 NC @ 5 V ± 16V 2800 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FDS6875 Fairchild Semiconductor FDS6875 -
RFQ
ECAD 4871 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS68 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar 0000.00.0000 1 2 Canal P (Dual) 20V 6A 30mohm @ 6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 31NC @ 5V 2250pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock