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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDPF12N60NZ | - | ![]() | 9919 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet-ii ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 650mohm @ 6a, 10v | 5V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 30V | 1676 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF12N50UT | - | ![]() | 5793 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | FRFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 500 V | 10a (TC) | 10V | 800mohm @ 5a, 10v | 5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 1395 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP75N08 | 1.0400 | ![]() | 365 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 V | 75A (TC) | 10V | 11mohm @ 37.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 104 NC @ 10 V | ± 20V | 4468 pf @ 25 V | - | 131W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQA90N08 | - | ![]() | 8478 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pn | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-FQA90N08 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 80 V | 90A (TC) | 10V | 16mohm @ 45a, 10V | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 25V | 3250 pf @ 25 V | - | 214W (TC) | |||||||||||||||||||||
Fdb035an06a0 | 2.9500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 102 | N-canal | 60 V | 22a (TA), 80a (TC) | 6V, 10V | 3.5mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 124 NC @ 10 V | ± 20V | 6400 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SFW9Z24TM | 0.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252-3 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 9.7a (TC) | 10V | 280mohm @ 4.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 49W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | Fqd2n90tf | 0.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 900 V | 1.7a (TC) | 10V | 7.2ohm @ 850mA, 10V | 5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 500 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Sss6n70a | 0.8000 | ![]() | 950 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 700 V | 4A (TC) | 10V | 1.8ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 30V | 1200 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | HUF76009D3ST | 0.2500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 20A (TC) | 5V, 10V | 27mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 470 pf @ 20 V | - | 41W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS0309As | - | ![]() | 9722 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench®, Syncfet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 30 V | 21a (TA), 49A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 21a, 10v | 3V @ 1MA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF654BFP001 | 0.9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 250 V | 21a (TC) | 10V | 140mohm @ 10.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 123 NC @ 10 V | ± 30V | 3400 pf @ 25 V | - | 156W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FSBS10CH60T | - | ![]() | 2019 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Movimiento-SPM® | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) | IGBT | FSBS10 | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3 fase | 10 A | 600 V | 2500 VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDBL0210N80 | - | ![]() | 6894 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8 HPSOF | - | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 80 V | 240a (TC) | 10V | 2mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 169 NC @ 10 V | ± 20V | 10 pf @ 40 V | - | 357W (TJ) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP030N06B | 1.6200 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 201 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN5138 | 0.0700 | ![]() | 7233 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,022 | 30 V | 500 mA | 50NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 10 mapa, 10v | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD5018TU | 0.3000 | ![]() | 4851 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 40 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 811 | 275 V | 4 A | 1mera | NPN - Darlington | 1.5V @ 20MA, 3A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z3V3C | 0.0200 | ![]() | 5724 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,220 | 1 V @ 10 Ma | 4.5 µA @ 1 V | 3.3 V | 89 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HN1B01FDW1T1G | 0.0400 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | HN1B01 | 380MW | SC-74 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 7,474 | 50V | 200 MMA | 2 µA | NPN, PNP | 250 MV @ 10mA, 100 mm / 300mv @ 10 mA, 100 mA | 200 @ 2mA, 6V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFR9120TM | 0.2500 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252-3 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 100 V | 4.9a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 550 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 32W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | Fdmc3020dc | 1.0000 | ![]() | 7001 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Dual Cool ™, Perstrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | Power33 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 30 V | 17a (TA), 40a (TC) | 4.5V, 10V | 6.25mohm @ 12a, 10v | 3V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1385 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76137P3 | 0.8400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 75a, 10v | 3V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 25 V | - | 145W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N5366 | 0.0400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 40 V | 500 mA | 100na | PNP | 1v @ 30 mm, 300 mA | 100 @ 50mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF12N35 | 0.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 350 V | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 5V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 30V | 1110 pf @ 25 V | - | 31.3W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDP7030L | 2.1300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 80a (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 40a, 10v | 3V @ 250 µA | 33 NC @ 5 V | ± 20V | 2440 pf @ 15 V | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRF830B | 0.5400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 4.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.25a, 10V | 4V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1050 pf @ 25 V | - | 73W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FQP6N80 | 1.0000 | ![]() | 4193 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 5.8a (TC) | 10V | 1.95ohm @ 2.9a, 10v | 5V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 30V | 1500 pf @ 25 V | - | 158W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5241B | 0.0200 | ![]() | 5588 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 8.4 V | 11 V | 22 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF710B | 0.1700 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3.4ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 30V | 330 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FDS7764S | 1.8100 | ![]() | 118 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 13.5a (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 13.5a, 10v | 2v @ 1 mapa | 35 NC @ 5 V | ± 16V | 2800 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6875 | - | ![]() | 4871 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FDS68 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 6A | 30mohm @ 6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 31NC @ 5V | 2250pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico |
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