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Productos de semiconductoros discretos (1252)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
AuIRFSL4010	-	RFQ	2958	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)		Un 262	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		100 V	180A (TC)		4.7mohm @ 106a, 10v	4V @ 250 µA	215 NC @ 10 V		9575 pf @ 50 V	-	375W (TC)
IRGS14C40LTRLP	-	RFQ	1076	Rectificador internacional	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Lógica		125 W	Un 263ab	descascar					EAR99	8542.39.0001	1			-												-	430 V	20 A		1.75V @ 5V, 14A	-	27 NC	900NS/6 µs
Auirfr4292	0.8100	RFQ	2	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal		250 V	9.3a (TC)	10V	345mohm @ 5.6a, 10v	5V @ 50 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	705 pf @ 25 V	-	100W (TC)
IRF332	1.1900	RFQ	9430	Rectificador internacional	-	Una granela	Activo	-	A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3			Mosfet (Óxido de metal)		TO-204AA (TO-3)	descascar					EAR99	8542.39.0001	49		N-canal		400 V	4.5a	-	-	-		-		-	75W
IRGP50B60PDPBF	-	RFQ	8520	Rectificador internacional	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		Estándar		370 W	To47ac	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1			390V, 33A, 3.3OHM, 15V											50 ns	Escrutinio	600 V	75 A	150 A	2.6V @ 15V, 50A	360 µJ (Encendido), 380 µJ (apagado)	360 NC	34ns/130ns
Auirf1405zs-7trl	1.0000	RFQ	5434	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb			Mosfet (Óxido de metal)		D2PAK (7-LEAD)	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal		55 V	120a (TC)	10V	4.9mohm @ 88a, 10v	4V @ 150 µA	230 NC @ 10 V	± 20V	5360 pf @ 25 V	-	230W (TC)
IRGB4640DPBF	-	RFQ	7625	Rectificador internacional	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Estándar		250 W	TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.29.0095	50			400V, 24a, 10ohm, 15V											89 ns	-	600 V	65 A	72 A	1.9V @ 15V, 24a	115 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado)	75 NC	41ns/104ns
Auirf7313qtr	1.0000	RFQ	8983	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	AuIRF7313		Mosfet (Óxido de metal)	2.4w	8-Soico	descascar					EAR99	8541.29.0095	1	2 Canal N (Dual)			30V	6.9a		29mohm @ 6.9a, 10v	3V @ 250 µA	33NC @ 10V		755pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
Auirlr3636trl	-	RFQ	9614	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Auirlr3636		Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		60 V	50A (TC)		6.8mohm @ 50A, 10V	2.5V @ 100 µA	49 NC @ 4.5 V		3779 pf @ 50 V	-	143W (TC)
IRGR4610DTRPBF	-	RFQ	2274	Rectificador internacional	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	176-LQFP		Estándar		77 W	176-LQFP (24x24)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.29.0095	33			400V, 6a, 47ohm, 15V											74 ns	-	600 V	16 A	18 A	2V @ 15V, 6a	56 µJ (Encendido), 122 µJ (apaguado)	13 NC	27ns/75ns
IRF441	1.4400	RFQ	219	Rectificador internacional	-	Una granela	Activo	-	A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3			Mosfet (Óxido de metal)		TO-204AA (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	0000.00.0000	219		N-canal		450 V	8A	-	-	-		-		-	125W
IRFR6215TRPBF	1.0000	RFQ	6710	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		Canal P		150 V	13a (TC)	10V	295mohm @ 6.6a, 10v	4V @ 250 µA	66 NC @ 10 V	± 20V	860 pf @ 25 V	-	110W (TC)
Auirfp4110	-	RFQ	1343	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3			Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal		100 V	120a (TC)	10V	4.5mohm @ 75a, 10V	4V @ 250 µA	210 NC @ 10 V	± 20V	9620 pf @ 50 V	-	370W (TC)
IRF7473PBF	-	RFQ	4124	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		100 V	6.9a (TA)	10V	26mohm @ 4.1a, 10V	5.5V @ 250 µA	61 NC @ 10 V	± 20V	3180 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
Irfs7787pbf-ir	-	RFQ	5428	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-3-2	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-IRFS7787PBF-IR	EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		75 V	76a (TC)		8.4mohm @ 46a, 10v	3.7V @ 100 µA	109 NC @ 10 V	± 20V	4020 pf @ 25 V	-	125W (TC)
IRLS3036-7PPBF	-	RFQ	2232	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb			Mosfet (Óxido de metal)		D2PAK (7-LEAD)	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		60 V	240a (TC)	4.5V, 10V	1.9mohm @ 180a, 10v	2.5V @ 250 µA	160 NC @ 4.5 V	± 16V	11270 pf @ 50 V	-	380W (TC)
IRFZ34NSTRPBF	-	RFQ	8825	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar					EAR99	8542.39.0001	100		N-canal		55 V	29a (TC)	10V	40mohm @ 16a, 10v	4V @ 250 µA	34 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 68W (TC)
IRF8734PBF	-	RFQ	3081	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		30 V	21a (TA)	4.5V, 10V	3.5mohm @ 21a, 10v	2.35V @ 50 µA	30 NC @ 4.5 V	± 20V	3175 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
Auirfs8408trr	1.4000	RFQ	490	Rectificador internacional	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		40 V	195a (TC)		1.6mohm @ 100a, 10v	3.9V @ 250 µA	324 NC @ 10 V	± 20V	10820 pf @ 25 V	-	294W (TC)
Auirf7379qtr	-	RFQ	8698	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Auirf7379		Mosfet (Óxido de metal)	2.5w	8-Soico	descascar					EAR99	8541.29.0095	1	Vecino del canal			30V	5.8a, 4.3a		45mohm @ 5.8a, 10v	3V @ 250 µA	25nc @ 10V		520pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
Auirfr540z	1.0000	RFQ	5782	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal		100 V	35A (TC)	10V	28.5mohm @ 21a, 10v	4V @ 50 µA	59 NC @ 10 V	± 20V	1690 pf @ 25 V	-	91W (TC)
Auirfr4104	1.1300	RFQ	8	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		40 V	42a (TC)	10V	5.5mohm @ 42a, 10v	4V @ 250 µA	89 NC @ 10 V	± 20V	2950 pf @ 25 V	-	140W (TC)
Auirfs8405trl	1.2500	RFQ	134	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-3	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal		40 V	120a (TC)	10V	2.3mohm @ 100a, 10V	3.9V @ 100 µA	161 NC @ 10 V	± 20V	5193 pf @ 25 V	-	163W (TC)
IRFP044NPBF	-	RFQ	9289	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3			Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		55 V	53A (TC)	10V	20mohm @ 29a, 10v	4V @ 250 µA	61 NC @ 10 V	± 20V	1500 pf @ 25 V	-	120W (TC)
IRFAF30	5.1400	RFQ	5958	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3			Mosfet (Óxido de metal)		TO-204AA (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	44		N-canal		900 V	2a (TC)	10V	4.6ohm @ 2a, 10v	4V @ 250 µA	66 NC @ 10 V	± 20V	1000 pf @ 25 V	-	75W (TC)
Auirfn7107tr-ir	-	RFQ	7590	Rectificador internacional	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte de superficie, Flanco Humectable	8Powervdfn			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TDSON-8-10	-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-auirfn7107tr-ir	EAR99	0000.00.0000	4.000		N-canal		75 V	14A (TA), 75A (TC)		8.5mohm @ 45a, 10v	4V @ 100 µA	77 NC @ 10 V	± 20V	3001 pf @ 25 V	-	4.4W (TA), 125W (TC)
2N6847	4.3400	RFQ	127	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-205Af Metal CAN			Mosfet (Óxido de metal)		TO-205AF (TO-39)	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		Canal P		200 V	2.5A (TC)	10V	1.725ohm @ 2.5a, 10v	4V @ 250 µA	8.4 NC @ 10 V	± 20V	330 pf @ 25 V	-	20W (TC)
IRF8308MTRPBF	1.1400	RFQ	10	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX			Mosfet (Óxido de metal)		Directfet ™ mx	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	2.012		N-canal		30 V	27a (TA), 150a (TC)	4.5V, 10V	2.5mohm @ 27a, 10v	2.35V @ 100 µA	42 NC @ 4.5 V	± 20V	4404 pf @ 15 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
IRFS4615TRLPBF	-	RFQ	5625	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar						0000.00.0000	1		N-canal		150 V	33A (TC)	10V	42mohm @ 21a, 10v	5V @ 100 µA	40 NC @ 10 V	± 20V	1750 pf @ 50 V	-	144W (TC)
IRLMS1503TRPBF	-	RFQ	9212	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sot-23-6			Mosfet (Óxido de metal)		Micro6 ™ (TSOP-6)	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal		30 V	3.2a (TA)	4.5V, 10V	100mohm @ 2.2a, 10V	1V @ 250 µA	9.6 NC @ 10 V	± 20V	210 pf @ 25 V	-	1.7w (TA)