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Productos de semiconductoros discretos (1252)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
IRF6725MTRPBF	-	RFQ	2651	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX			Mosfet (Óxido de metal)		Directfet ™ mx	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		30 V	28a (TA), 170A (TC)	4.5V, 10V	2.2mohm @ 28a, 10v	2.35V @ 100 µA	54 NC @ 4.5 V	± 20V	4700 pf @ 15 V	-	2.8W (TA), 100W (TC)
IRF3205StrlPBF	-	RFQ	3175	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar						0000.00.0000	1		N-canal		55 V	110A (TC)	10V	8mohm @ 62a, 10v	4V @ 250 µA	146 NC @ 10 V	± 20V	3247 pf @ 25 V	-	200W (TC)
Auirfs3306trl	-	RFQ	3904	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Auirfs3306		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal		60 V	120a (TC)	10V	4.2mohm @ 75a, 10v	4V @ 150 µA	125 NC @ 10 V	± 20V	4520 pf @ 50 V	-	230W (TC)
Irll024npbf	-	RFQ	6013	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			Mosfet (Óxido de metal)		SOT-223	-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		55 V	3.1a (TA)		65mohm @ 3.1a, 10V	2V @ 250 µA	15.6 NC @ 5 V	± 16V	510 pf @ 25 V	-	1W (TA)
IRG4IBC10UDPBF	-	RFQ	3891	Rectificador internacional	-	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Estándar		25 W	PG-TO20-3	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-IRG4IBC10UDPBF-600047			1			480V, 5A, 100OHM, 15V											28 ns	-	600 V	6.8 A	27 A	2.6V @ 15V, 5A	140 µJ (Encendido), 120 µJ (apaguado)	15 NC	40ns/87ns
IRL2203NSPBF	1.0000	RFQ	9095	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal		30 V	116a (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 60a, 10v	3V @ 250 µA	60 NC @ 4.5 V	± 16V	3290 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 180W (TC)
Irff332	0.5600	RFQ	2365	Rectificador internacional	-	Una granela	Activo	-	A Través del Aguetero	To-205Af Metal CAN			Mosfet (Óxido de metal)		TO-205AF (TO-39)	descascar					EAR99	8542.39.0001	99		N-canal		400 V	3A	-	-	-		-		-	25W
Auirfz34n	0.7500	RFQ	13	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		55 V	29a (TC)	10V	40mohm @ 16a, 10v	4V @ 250 µA	34 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 25 V	-	68W (TC)
IRF8313PBF	-	RFQ	9284	Rectificador internacional	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF8313		Mosfet (Óxido de metal)	2W (TA)	8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.29.0095	3.800	2 Canal N (Dual)			30V	9.7a (TA)		15.5mohm @ 9.7a, 10v	2.35V @ 25 µA	9NC @ 4.5V		760pf @ 15V	-
Auirf7736m2tr	-	RFQ	6357	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico M4			Mosfet (Óxido de metal)		DirectFet ™ Isométrico M4	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal		40 V	22a (TA), 108a (TC)	10V	3mohm @ 65a, 10v	4V @ 150 µA	108 NC @ 10 V	± 20V	4267 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 63W (TC)
IRFSL7734PBF	1.4900	RFQ	280	Rectificador internacional	HEXFET®, StrongIrfet ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IRFSL7734		Mosfet (Óxido de metal)		Un 262	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal		75 V	183A (TC)	6V, 10V	3.5mohm @ 100a, 10v	3.7V @ 250 µA	270 NC @ 10 V	± 20V	10150 pf @ 25 V	-	290W (TC)
Auirl1404s	1.7900	RFQ	2	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		40 V	160A (TC)	4.3V, 10V	4mohm @ 95a, 10v	3V @ 250 µA	140 NC @ 5 V	± 20V	6600 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 200W (TC)
IRFS4127PBF	-	RFQ	6340	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		200 V	72a (TC)	10V	22mohm @ 44a, 10V	5V @ 250 µA	150 NC @ 10 V	± 20V	5380 pf @ 50 V	-	375W (TC)
Irams10up60b	1.0000	RFQ	9783	Rectificador internacional	*	Una granela	Activo									descascar		Vendedor indefinido	Vendedor indefinido	2156-IRAMS10UP60B-600047			1
IRF7580MTRPBF	1.2600	RFQ	7	Rectificador internacional	StrongIrfet ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Directfet ™ isométrico me			Mosfet (Óxido de metal)		Directfet ™ isométrico me	descascar					EAR99	8541.29.0095	238		N-canal		60 V	114a (TC)	6V, 10V	3.6mohm @ 70a, 10v	3.7V @ 150 µA	180 NC @ 10 V	± 20V	6510 pf @ 25 V	-	115W (TC)
Auirf9952qtr	0.5700	RFQ	42	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Auirf9952		Mosfet (Óxido de metal)	2W	8-SO	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	4.000	Vecino del canal			30V	3.5a, 2.3a		100mohm @ 2.2a, 10V	3V @ 250 µA	14nc @ 10V		190pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
IRLR7807ZPBF	-	RFQ	4293	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		30 V	43a (TC)	4.5V, 10V	13.8mohm @ 15a, 10v	2.25V @ 250 µA	11 NC @ 4.5 V	± 20V	780 pf @ 15 V	-	40W (TC)
IRF7749L1TRPBF	-	RFQ	3512	Rectificador internacional	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico L8			Mosfet (Óxido de metal)		DirectFet ™ Isométrico L8	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal		60 V	33a (TA), 200a (TC)	10V	1.5mohm @ 120a, 10V	4V @ 250 µA	300 NC @ 10 V	± 20V	12320 pf @ 25 V	-	3.3W (TA), 125W (TC)
IRF7807VTRPBF	-	RFQ	4494	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal		30 V	8.3a (TA)	4.5V	25mohm @ 7a, 4.5V	3V @ 250 µA	14 NC @ 5 V	± 20V		-	2.5W (TA)
IRFH7194TRPBF	-	RFQ	5509	Rectificador internacional	Fastirfet ™, hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn			Mosfet (Óxido de metal)		8-PQFN (5x6)	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		100 V	11a (TA), 35A (TC)	10V	16.4mohm @ 21a, 10v	3.6V @ 50 µA	19 NC @ 10 V	± 20V	733 pf @ 50 V	-	3.6W (TA), 39W (TC)
Auirfu8403-701trl	0.9700	RFQ	11	Rectificador internacional	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO251-3-901	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal		40 V	100A (TC)	10V	3.1mohm @ 76a, 10v	3.9V @ 100 µA	99 NC @ 10 V	± 20V	3171 pf @ 25 V	-	99W (TC)
IRF6668TRPBF	0.9400	RFQ	59	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MZ			Mosfet (Óxido de metal)		Directfet ™ mz	descascar					EAR99	8541.29.0095	318		N-canal		80 V	55A (TC)	10V	15mohm @ 12a, 10v	4.9V @ 100 µA	31 NC @ 10 V	± 20V	1320 pf @ 25 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
IRFS4310ZPBF	-	RFQ	7368	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		100 V	120a (TC)		6mohm @ 75a, 10V	4V @ 150 µA	170 NC @ 10 V	± 20V	6860 pf @ 50 V	-	250W (TC)
Auirfs3206trl	-	RFQ	1961	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		60 V	120a (TC)	10V	3mohm @ 75a, 10V	4V @ 150 µA	170 NC @ 10 V	± 20V	6540 pf @ 50 V	-	300W (TC)
IRF7468TRPBF	1.0000	RFQ	4547	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		40 V	9.4a (TA)	4.5V, 10V	15.5mohm @ 9.4a, 10v	2V @ 250 µA	34 NC @ 4.5 V	± 12V	2460 pf @ 20 V	-	2.5W (TA)
IRFR3303TRPBF	-	RFQ	7880	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	0000.00.0000	2,000		N-canal		30 V	33A (TC)	10V	31mohm @ 18a, 10v	4V @ 250 µA	29 NC @ 10 V	± 20V	750 pf @ 25 V	-	57W (TC)
Auirfr3806	1.0000	RFQ	8191	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak (TO-252AA)	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal		60 V	43a (TC)	10V	15.8mohm @ 25A, 10V	4V @ 50 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	1150 pf @ 50 V	-	71W (TC)
Irfp4110pbf	-	RFQ	6651	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3			Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	-					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal		100 V	120a (TC)	10V	4.5mohm @ 75a, 10V	4V @ 250 µA	210 NC @ 10 V	± 20V	9620 pf @ 50 V	-	370W (TC)
Auirf2903zs	-	RFQ	5322	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal		30 V	160A (TC)	10V	2.4mohm @ 75a, 10v	4V @ 150 µA	240 NC @ 10 V	± 20V	6320 pf @ 25 V	-	231W (TC)
Irfl014npbf	-	RFQ	5455	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			Mosfet (Óxido de metal)		SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal		55 V	1.9a (TA)		160mohm @ 1.9a, 10v	4V @ 250 µA	11 NC @ 10 V	± 20V	190 pf @ 25 V	-	1W (TA)