SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
SI2351DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2351DS-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3221 0.00000000 Vishay Siliconix - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Si2351 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 2.8a (TC) 115mohm @ 2.4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 5.1 NC @ 5 V 250 pf @ 10 V -
IRFP150PBF Vishay Siliconix Irfp150pbf 4.2600
RFQ
ECAD 6142 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP150 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfp150pbf EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 100 V 41a (TC) 10V 55mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 140 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 25 V - 230W (TC)
SIR662DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir662dp-t1-ge3 2.0100
RFQ
ECAD 4505 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sir662 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 60A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 96 NC @ 10 V ± 20V 4365 pf @ 30 V - 6.25W (TA), 104W (TC)
SI7904DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7904DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5923 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 dual Si7904 Mosfet (Óxido de metal) 1.3w Powerpak® 1212-8 dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 5.3a 30mohm @ 7.7a, 4.5V 1V @ 935 µA 15NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SIHP068N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP068N60EF-GE3 5.4900
RFQ
ECAD 3291 0.00000000 Vishay Siliconix EF Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SiHP068 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) 742-SiHP068N60EF-GE3 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 41a (TC) 10V 68mohm @ 16a, 10v 5V @ 250 µA 77 NC @ 10 V ± 30V 2628 pf @ 100 V - 250W (TC)
SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4210DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6502 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SI4210 Mosfet (Óxido de metal) 2.7w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 6.5a 35.5mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 12NC @ 10V 445pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IRFBC40STRL Vishay Siliconix Irfbc40strl -
RFQ
ECAD 6695 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFBC40 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 6.2a (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 130W (TC)
SI4463BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4463BDY-T1-GE3 1.6000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4463 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 9.8a (TA) 2.5V, 10V 11mohm @ 13.7a, 10v 1.4V @ 250 µA 56 NC @ 4.5 V ± 12V - 1.5W (TA)
SI1551DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1551DL-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5068 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Si1551 Mosfet (Óxido de metal) 270MW SC-70-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 20V 290MA, 410MA 1.9ohm @ 290mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 1.5nc @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SUM65N20-30-E3 Vishay Siliconix SUM65N20-30-E3 4.8900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sum65 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 65a (TC) 10V 30mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 5100 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 375W (TC)
SQ4005EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4005EY-T1_GE3 1.0100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SQ4005 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 12 V 15A (TC) 2.5V, 4.5V 22mohm@ 13.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 38 NC @ 4.5 V ± 8V 3600 pf @ 6 V - 6W (TC)
SIS4608LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS4608LDN-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 SIS4608 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 12.6a (TA), 36.2a (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 905 pf @ 30 V - 3.3W (TA), 27.1W (TC)
IRFR210TRRPBF Vishay Siliconix IRFR210TRPBF 0.5880
RFQ
ECAD 8328 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR210 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 200 V 2.6a (TC) 10V 1.5ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 140 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFD110PBF Vishay Siliconix Irfd110pbf 1.6900
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Irfd110 Mosfet (Óxido de metal) 4-hvmdip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfd110pbf EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 100 V 1a (TA) 10V 540mohm @ 600 mA, 10V 4V @ 250 µA 8.3 NC @ 10 V ± 20V 180 pf @ 25 V - 1.3W (TA)
IRFP240 Vishay Siliconix IRFP240 -
RFQ
ECAD 4518 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP240 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFP240 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 200 V 20A (TC) 10V 180mohm @ 12a, 10v 4V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 150W (TC)
IRF9Z14STRR Vishay Siliconix IRF9Z14STRR -
RFQ
ECAD 7722 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF9Z14 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 60 V 6.7a (TC) 10V 500mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 270 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 43W (TC)
IRFL014PBF Vishay Siliconix Irfl014pbf -
RFQ
ECAD 2443 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Irfl014 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 80 N-canal 60 V 2.7a (TC) 10V 200mohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 300 pf @ 25 V - 2W (TA), 3.1W (TC)
IRFR014TRLPBF Vishay Siliconix IRFR014TRLPBF 1.5900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR014 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 7.7a (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10v 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 300 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF740LCSTRR Vishay Siliconix IRF740LCSTRR -
RFQ
ECAD 7668 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF740 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 400 V 10a (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - -
IRL530L Vishay Siliconix IRL530L -
RFQ
ECAD 1143 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRL530 Mosfet (Óxido de metal) Un 262-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) *IRL530L EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 15A (TC) 4V, 5V 160mohm @ 9a, 5V 2V @ 250 µA 28 NC @ 5 V ± 10V 930 pf @ 25 V - -
SI1035X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1035X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9297 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SI1035 Mosfet (Óxido de metal) 250MW SC-89 (SOT-563F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 20V 180 Ma, 145 Ma 5ohm @ 200ma, 4.5V 400MV @ 250 µA (min) 0.75nc @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SI4168DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4168DY-T1-GE3 1.1800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4168 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 24a (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 1720 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 5.7W (TC)
IRFS9N60ATRLPBF Vishay Siliconix IRFS9N60ATRLPBF 3.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFS9 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 9.2a (TC) 10V 750mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 49 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 170W (TC)
IRF620L Vishay Siliconix IRF620L -
RFQ
ECAD 5946 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRF620 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) *IRF620L EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 5.2a (TC) 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 260 pf @ 25 V - -
SI7464DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7464DP-T1-E3 1.8900
RFQ
ECAD 1559 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7464 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 200 V 1.8a (TA) 6V, 10V 240mohm @ 2.8a, 10v 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V - 1.8w (TA)
IRFD113 Vishay Siliconix Irfd113 -
RFQ
ECAD 3407 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Irfd113 Mosfet (Óxido de metal) 4-hvmdip descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 800 mA (TC) 10V 800mohm @ 800 mA, 10V 4V @ 250 µA 7 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 1W (TC)
SQJA88EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJA88EP-T1_GE3 0.9600
RFQ
ECAD 3630 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sqja88 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 30A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 25 V - 48W (TC)
IRLZ24PBF Vishay Siliconix IRLZ24PBF 1.7000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRLZ24 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *IRLZ24PBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 17a (TC) 4V, 5V 100mohm @ 10a, 5V 2V @ 250 µA 18 NC @ 5 V ± 10V 870 pf @ 25 V - 60W (TC)
IRFI9530G Vishay Siliconix Irfi9530g -
RFQ
ECAD 3483 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Irfi9530 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfi9530g EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 100 V 7.7a (TC) 10V 300mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - 42W (TC)
IRFU430APBF Vishay Siliconix IRFU430APBF 1.9500
RFQ
ECAD 406 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IRFU430 Mosfet (Óxido de metal) Un 251AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfu430apbf EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.7ohm @ 3a, 10v 4.5V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 30V 490 pf @ 25 V - 110W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock