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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4431BDY-T1-GE3 | 1.1200 |  | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4431 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 5.7a (TA) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 7.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | SI7450DP-T1-E3 | 2.9000 | | 475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7450 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 3.2a (TA) | 6V, 10V | 80mohm @ 4a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
| Sir180DP-T1-RE3 | 1.8000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir180 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 32.4a (TA), 60A (TC) | 7.5V, 10V | 2.05mohm @ 10a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 87 NC @ 10 V | ± 20V | 4030 pf @ 30 V | - | 5.4W (TA), 83.3W (TC) | |||||
 | SI1031X-T1-GE3 | - | | 5878 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | SI1031 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 155MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 8ohm @ 150 mm, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 1.5 NC @ 4.5 V | ± 6V | - | 300MW (TA) | |||||
 | Irfbe20 | - | | 5800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfbe20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfbe20 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 1.8a (TC) | 10V | 6.5ohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 54W (TC) | |||
 | IRFR310TRL | - | | 5428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR310 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 400 V | 1.7a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | IRFP22N60KPBF | 8.1300 | | 5432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP22 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFP22N60KPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 22a (TC) | 10V | 280mohm @ 13a, 10v | 5V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 30V | 3570 pf @ 25 V | - | 370W (TC) | ||||
 | SUD40N10-25-T4-E3 | - | | 7738 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 40A (TC) | 10V | 25mohm @ 40a, 10v | 3V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
 | SIHB28N60EF-T1-GE3 | 6.2600 | | 790 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 123mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 2714 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||||
| SI7862Adp-T1-E3 | 2.2903 | | 9686 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7862 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 16 V | 18a (TA) | 2.5V, 4.5V | 3mohm @ 29a, 4.5V | 2V @ 250 µA | 80 NC @ 4.5 V | ± 8V | 7340 pf @ 8 V | - | 1.9W (TA) | |||||
| Si4196dy-t1-ge3 | - | | 1559 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4196 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 22 NC @ 8 V | ± 8V | 830 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 4.6W (TC) | |||||
 | Irf737lcl | - | | 3745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF737 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irf737lcl | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 300 V | 6.1a (TC) | 10V | 750mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | - | ||||
| IRFSL9N60ATRR | - | | 3900 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRFSL9 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||||
 | Siz704dt-t1-ge3 | 1.1300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-PowerPair ™ | Siz704 | Mosfet (Óxido de metal) | 20W, 30W | 6-PowerPair ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 12a, 16a | 24mohm @ 7.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 435pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SI1413EDH-T1-GE3 | - | | 1300 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1413 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 115mohm @ 2.9a, 4.5V | 450MV @ 100 µA (min) | 8 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1W (TA) | |||||
 | Sihu6n80ae-ge3 | 1.4400 | | 9011 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Sihu6 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 800 V | 5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 22.5 NC @ 10 V | ± 30V | 422 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | |||||
 | Irld110 | - | | 2265 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irld110 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irld110 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 1a (TA) | 4V, 5V | 540mohm @ 600 mA, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | |||
| SI4532CDY-T1-GE3 | 0.6900 | | 6205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4532 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.78W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 6a, 4.3a | 47mohm @ 3.5a, 10V | 3V @ 250 µA | 9NC @ 10V | 305pf @ 15V | - | |||||||
 | SQM120N06-3M5L_GE3 | 4.2600 | | 4672 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 29a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 330 NC @ 10 V | ± 20V | 14700 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||
 | IRL630PBF-BE3 | 2.3500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRL630 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-girl630pbf-be3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||||
 | Irfz14s | - | | 6398 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFZ14 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFZ14S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 10a (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||
| Irfz48strr | - | | 3451 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfz48 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 190W (TC) | ||||
| SIRA26DP-T1-RE3 | 0.7300 | | 1009 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira26 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.65mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | +16V, -12V | 2247 pf @ 10 V | - | 43.1W (TC) | |||||
| SIHP30N60AEL-GE3 | - | | 6312 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 120mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 2565 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
| IRFBC40LPBF | 2.3505 | | 3688 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFBC40LPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | ||||
 | Irfiz34g | - | | 9889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfiz34 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfiz34g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 20A (TC) | 10V | 50mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||
| Si4825dy-T1-E3 | - | | 1718 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4825 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 8.1a (TA) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 11.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 25V | - | 1.5W (TA) | |||||
| Irfd113 | - | | 3407 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd113 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 800 mA (TC) | 10V | 800mohm @ 800 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 1W (TC) | |||||
 | Sir632DP-T1-RE3 | 1.3900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir632 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 29a (TC) | 7.5V, 10V | 34.5mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 7.5 V | ± 20V | 740 pf @ 75 V | - | 69.5W (TC) | |||||
 | SI7960DP-T1-E3 | - | | 9652 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7960 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 6.2a | 21mohm @ 9.7a, 10V | 3V @ 250 µA | 75nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico |
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