- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Resistencia - RDS (ON) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7804DN-T1-GE3 | 0.5292 |  | 8957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7804 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 6.5a (TA) | 4.5V, 10V | 18.5mohm @ 10a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 13 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||||||
 | SIE848DF-T1-GE3 | - | | 3442 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (l) | SIE848 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (l) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.6mohm @ 25A, 10V | 2.5V @ 250 µA | 138 NC @ 10 V | ± 20V | 6100 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||||||
 | Sir570DP-T1-RE3 | 2.4700 | | 3731 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 19a (TA), 77.4a (TC) | 7.5V, 10V | 7.9mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 3740 pf @ 75 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||||||
 | 2N4416A | - | | 8179 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | 2N4416 | 300 MW | TO-206AF (TO-72) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | N-canal | 4PF @ 15V | 35 V | 5 Ma @ 15 V | 2.5 v @ 1 na | ||||||||||||||
| SI7615BDN-T1-GE3 | - | | 3755 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7615 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 29a (TA), 104A (TC) | 3.8mohm @ 20a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 12V | 4890 pf @ 10 V | - | 5.2W (TA), 66W (TC) | |||||||||||
 | 2N4391-E3 | - | | 1881 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4391 | 1.8 W | TO-206AA (A 18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | N-canal | 14pf @ 20V | 40 V | 50 Ma @ 20 V | 4 v @ 1 na | 30 ohmios | |||||||||||||
 | SIHP24N80AEF-GE3 | 4.0900 | | 9871 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHP24N80AEF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 20A (TC) | 10V | 195mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 30V | 1889 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | |||||||||
 | SI4838BDY-T1-GE3 | 1.6300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4838 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 12 V | 34a (TC) | 1.8V, 4.5V | 2.7mohm @ 15a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 84 NC @ 4.5 V | ± 8V | 5760 pf @ 6 V | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||||||
 | SiHFB11N50A-E3 | 1.6861 | | 9439 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Sihfb11 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||||||||
 | SI1413DH-T1-E3 | - | | 8421 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Si1413 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 115mohm @ 2.9a, 4.5V | 800mV @ 100 µA | 8.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1W (TA) | |||||||||
 | SIA485DJ-T1-GE3 | 0.5800 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA485 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 1.6a (TC) | 6V, 10V | 2.6ohm @ 500 mA, 10V | 4.5V @ 250 µA | 6.3 NC @ 10 V | ± 20V | 155 pf @ 75 V | - | 15.6W (TC) | ||||||||||
| SI4858DY-T1-GE3 | - | | 2808 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4858 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 13a (TA) | 4.5V, 10V | 5.25mohm @ 20a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 40 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.6w (TA) | |||||||||
| IRF740LCPBF-BE3 | 3.0300 | | 987 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF740LCPBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||
 | SI7386DP-T1-GE3 | 1.6200 | | 32 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7386 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 19a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 18 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||
 | SiHH14N60E-T1-GE3 | 3.5000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh14 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 255mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250 µA | 82 NC @ 10 V | ± 30V | 1416 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||||||
| SiHP6N65E-GE3 | 1.0658 | | 6099 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP6 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 820 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | ||||||||||
| 2N4858JAN02 | - | | 5655 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4858 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||||||
| 2N4392 | - | | 1307 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4392 | 1.8 W | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2N4392VSI | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | N-canal | 14pf @ 20V | 40 V | 25 Ma @ 20 V | 2 V @ 1 Na | 60 ohmios | ||||||||||||
| U291 | - | | 7340 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AC, TO-52-3 METAL CAN | U291 | 500 MW | TO-206AC (TO-52) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | N-canal | 160pf @ 0V | 30 V | 200 mA @ 10 V | 1.5 v @ 3 na | 7 ohmios | |||||||||||||
 | SI2301BDS-T1-GE3 | 0.5100 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2301 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 100mohm @ 2.8a, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 10 NC @ 4.5 V | ± 8V | 375 pf @ 6 V | - | 700MW (TA) | ||||||||
 | SIA533EDJ-T1-GE3 | 0.6200 | | 5188 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA533 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 12V | 4.5a | 34mohm @ 4.6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 15NC @ 10V | 420pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||
| Sq4949ey-t1_be3 | 1.6100 | | 7212 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4949 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.3W (TC) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 7.5a (TC) | 35mohm @ 5.9a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30NC @ 10V | 1020pf @ 25V | - | ||||||||||||
 | Sqj464ep-t1_be3 | 1.0100 | | 1608 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj464ep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 32A (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 7.1a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2086 pf @ 30 V | - | 45W (TC) | ||||||||||
 | SIHP12N50E-BE3 | 1.8600 | | 990 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 10.5a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 886 pf @ 100 V | - | 114W (TC) | |||||||||||
 | SQ3460EV-T1_GE3 | 0.9100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3460 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 30mohm @ 5.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1060 pf @ 10 V | - | 3.6W (TC) | |||||||||
| SI1400DL-T1-E3 | - | | 4455 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Si1400 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 1.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 150mohm @ 1.7a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 4 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 568MW (TA) | |||||||||
| SI1417EDH-T1-E3 | - | | 9487 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Si1417 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 2.7a (TA) | 1.8V, 4.5V | 85mohm @ 3.3a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 8 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1W (TA) | |||||||||
 | SiHF22N60S-E3 | - | | 2615 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF22 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 22a (TC) | 190mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | 2810 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||||||||
 | Sqjq980el-t1_ge3 | 2.6800 | | 3770 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 dual | Sqjq980 | Mosfet (Óxido de metal) | 187W | Powerpak® 8 x 8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 Canal N (Dual) | 80V | 36A (TC) | 13.5mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 36nc @ 10V | 1995pf @ 40V | - | |||||||||||
 | SQJ951EP-T1_GE3 | 1.6100 | | 1355 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ951 | Mosfet (Óxido de metal) | 56W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 30A | 17mohm @ 7.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 50nc @ 10V | 1680pf @ 10V | - |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)