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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHD12N50E-GE3 | 1.8000 |  | 8456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHD12 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 550 V | 10.5a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 886 pf @ 100 V | - | 114W (TC) | ||||||||
 | Sihlu024-ge3 | 0.8400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 8.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||||||
 | SI3467DV-T1-E3 | - | | 3502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3467 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.8a (TA) | 4.5V, 10V | 54mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | |||||||||
 | SQJA60EP-T1_BE3 | 1.1100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqja60 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 Dual | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||
 | SiHD6N65ET5-GE3 | 0.7371 | | 8030 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihd6 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 650 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 820 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | |||||||||
 | SI4943CDY-T1-E3 | 1.7000 | | 8274 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4943 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 8A | 19.2mohm @ 8.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 62NC @ 10V | 1945pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
 | SQM40014EM_GE3 | 2.9800 | | 7750 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | SQM40014 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 200a (TC) | 10V | 1mohm @ 35a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 250 nc @ 10 V | ± 20V | 15525 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||||
 | SI7368DP-T1-E3 | - | | 1746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7368 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 13a (TA) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 25 NC @ 4.5 V | ± 16V | - | 1.7w (TA) | ||||||||
 | SI1039X-T1-GE3 | - | | 6050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1039 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 870MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 165mohm @ 870 mm, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 6 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 170MW (TA) | ||||||||
 | SI1046X-T1-GE3 | - | | 1821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | SI1046 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 606MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 420mohm @ 606mA, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 1.49 NC @ 5 V | ± 8V | 66 pf @ 10 V | - | 250MW (TA) | |||||||
 | IRFZ44StrrPBF | - | | 4326 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfz44 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10v | 4V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||||
 | SQS140ELNW-T1_GE3 | 1.1400 | | 4697 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Geniv | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Powerpak® 1212-8SLW | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SLW | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3.000 | N-canal | 40 V | 153A (TC) | 4.5V, 10V | 2.53mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 4051 pf @ 25 V | - | 119W (TC) | |||||||||||
 | Sish101dn-t1-ge3 | 0.7700 | | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | SISH101 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 16.9a (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 7.2mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 102 NC @ 10 V | ± 25V | 3595 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||||||
 | SIHF068N60EF-GE3 | 5.4600 | | 760 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF068 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHF068N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 68mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | ± 30V | 2628 pf @ 100 V | - | 39W (TC) | ||||||||
 | SIHP24N65E-GE3 | 5.7000 | | 9892 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP24 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2740 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||||
 | SIE810DF-T1-GE3 | 3.4500 | | 9670 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (l) | SIE810 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (l) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 60A (TC) | 2.5V, 10V | 1.4mohm @ 25A, 10V | 2V @ 250 µA | 300 NC @ 10 V | ± 12V | 13000 pf @ 10 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||||||
 | SISS12DN-T1-GE3 | 1.1700 | | 9706 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS12 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 37.5A (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.98mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 89 NC @ 10 V | +20V, -16V | 4270 pf @ 20 V | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | ||||||||
 | SIHB125N60EF-GE3 | 4.4000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB125 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHB125N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 125mohm @ 12a, 10v | 5V @ 250 µA | 47 NC @ 10 V | ± 30V | 1533 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | ||||||||
| SQD70140EL_GE3 | 1.2100 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD70140 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | ||||||||
 | IRF9520PBF-BE3 | 1.2900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9520 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF9520PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 6.8a (TC) | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||||||||
 | Siha22n60e-ge3 | 3.9000 | | 997 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 8a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1920 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | ||||||||||
 | Siha150n60e-ge3 | 3.6100 | | 9374 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha150 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-Siha150n60e-ge3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 9A (TC) | 10V | 155mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1514 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | |||||||
| Sir644dp-t1-ge3 | - | | 7553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir644 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 20 V | - | 5.2W (TA), 69W (TC) | ||||||||
 | 2N6660 en Jan02 | - | | 6560 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | - | - | 2N6660 | - | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | SST204-T1-E3 | - | | 8684 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST204 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 4.5pf @ 15V | 25 V | 200 µA @ 15 V | 300 MV @ 10 na | |||||||||||||
| SST5486-T1-E3 | - | | 8951 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST5486 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 5PF @ 15V | 25 V | 8 Ma @ 15 V | 2 v @ 10 na | |||||||||||||
 | 2N4118A-2 | - | | 5189 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | 2N4118 | 300 MW | TO-206AF (TO-72) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | N-canal | 3pf @ 10V | 40 V | 80 µA @ 10 V | 1 v @ 1 na | |||||||||||||
| 2N4338-E3 | - | | 8878 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4338 | 300 MW | TO-206AA (A 18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | N-canal | 7pf @ 15V | 50 V | 200 µA @ 15 V | 300 MV @ 100 na | |||||||||||||
| 2N4339-2 | - | | 6614 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4339 | 300 MW | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | N-canal | 7pf @ 15V | 50 V | 500 µA @ 15 V | 600 MV @ 100 na | |||||||||||||
| 2N4856JAN02 | - | | 2436 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4856 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
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