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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Desglose (V (BR) GSS)	Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID	Resistencia - RDS (ON)
SiHD6N65ET5-GE3	0.7371	RFQ	8030	Vishay Siliconix	mi	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sihd6	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	650 V	7a (TC)	10V	600mohm @ 3a, 10v	4V @ 250 µA	48 NC @ 10 V	± 30V	820 pf @ 100 V	-	78W (TC)
SIHG150N60E-GE3	4.3000	RFQ	8547	Vishay Siliconix	mi	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Sihg150	Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SiHG150N60E-GE3	EAR99	8541.29.0095	500		N-canal	600 V	22a (TC)	10V	155mohm @ 10a, 10v	5V @ 250 µA	36 NC @ 10 V	± 30V	1514 pf @ 100 V	-	179W (TC)
SQS142ELNW-T1_GE3	0.9700	RFQ	50	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Geniv	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte de superficie, Flanco Humectable	Powerpak® 1212-8SLW		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8SLW	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)					3.000		N-canal	40 V	86a (TC)	4.5V, 10V	4.5mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	48 NC @ 10 V	± 20V	2442 pf @ 25 V	-	70W (TC)
Sish892bdn-t1-ge3	0.8900	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8DC	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	6.8a (TA), 20a (TC)	4.5V, 10V	30.4mohm @ 10a, 10v	2.4V @ 250 µA	26.5 NC @ 10 V	± 20V	1110 pf @ 50 V	-	3.4W (TA), 29W (TC)
SIRA16DP-T1-GE3	0.2240	RFQ	7092	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sira16	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	16a (TA)	4.5V, 10V	6.8mohm @ 15a, 10v	2.3V @ 250 µA	47 NC @ 10 V	+20V, -16V	2060 pf @ 15 V	-	-
SI1400DL-T1-E3	-	RFQ	4455	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Si1400	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	20 V	1.6a (TA)	2.5V, 4.5V	150mohm @ 1.7a, 4.5V	600mV @ 250 µA (min)	4 NC @ 4.5 V	± 12V		-	568MW (TA)
SI1417EDH-T1-E3	-	RFQ	9487	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Si1417	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	12 V	2.7a (TA)	1.8V, 4.5V	85mohm @ 3.3a, 4.5V	450MV @ 250 µA (min)	8 NC @ 4.5 V	± 12V		-	1W (TA)
SI4838BDY-T1-GE3	1.6300	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4838	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	12 V	34a (TC)	1.8V, 4.5V	2.7mohm @ 15a, 4.5V	1V @ 250 µA	84 NC @ 4.5 V	± 8V	5760 pf @ 6 V	-	2.5W (TA), 5.7W (TC)
2N4416A	-	RFQ	8179	Vishay Siliconix	-	Una granela	Obsoleto	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN	2N4416		300 MW	TO-206AF (TO-72)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	200		N-canal								4PF @ 15V			35 V	5 Ma @ 15 V	2.5 v @ 1 na
SI7615BDN-T1-GE3	-	RFQ	3755	Vishay Siliconix	-	Cinta de Corte (CT)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	Si7615	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	-		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	29a (TA), 104A (TC)		3.8mohm @ 20a, 10v	1.5V @ 250 µA	155 NC @ 10 V	± 12V	4890 pf @ 10 V	-	5.2W (TA), 66W (TC)
SIHP24N80AEF-GE3	4.0900	RFQ	9871	Vishay Siliconix	EF	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SiHP24N80AEF-GE3	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	800 V	20A (TC)	10V	195mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	90 NC @ 10 V	± 30V	1889 pf @ 100 V	-	208W (TC)
2N4391-E3	-	RFQ	1881	Vishay Siliconix	-	Una granela	Obsoleto	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-206AA, a 18-3 Lata de metal	2N4391		1.8 W	TO-206AA (A 18)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	200		N-canal								14pf @ 20V			40 V	50 Ma @ 20 V	4 v @ 1 na	30 ohmios
SIA533EDJ-T1-GE3	0.6200	RFQ	5188	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-70-6 Dual	SIA533	Mosfet (Óxido de metal)	7.8w	Powerpak® SC-70-6 Dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	Vecino del canal		12V	4.5a		34mohm @ 4.6a, 4.5V	1V @ 250 µA	15NC @ 10V		420pf @ 6V	Puerta de Nivel Lógico
SiHP6N65E-GE3	1.0658	RFQ	6099	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SiHP6	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	650 V	7a (TC)	10V	600mohm @ 3a, 10v	4V @ 250 µA	48 NC @ 10 V	± 30V	820 pf @ 100 V	-	78W (TC)
U291	-	RFQ	7340	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-206AC, TO-52-3 METAL CAN	U291		500 MW	TO-206AC (TO-52)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	200		N-canal								160pf @ 0V			30 V	200 mA @ 10 V	1.5 v @ 3 na	7 ohmios
2N4392	-	RFQ	1307	Vishay Siliconix	-	Una granela	Obsoleto	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-206AA, a 18-3 Lata de metal	2N4392		1.8 W	TO-206AA (A 18)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2N4392VSI	EAR99	8541.29.0095	200		N-canal								14pf @ 20V			40 V	25 Ma @ 20 V	2 V @ 1 Na	60 ohmios
2N4858JAN02	-	RFQ	5655	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-	A Través del Aguetero	TO-206AA, a 18-3 Lata de metal	2N4858			TO-206AA (A 18)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	40		-								-
SI2301BDS-T1-GE3	0.5100	RFQ	40	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	SI2301	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P	20 V	2.2a (TA)	2.5V, 4.5V	100mohm @ 2.8a, 4.5V	950MV @ 250 µA	10 NC @ 4.5 V	± 8V	375 pf @ 6 V	-	700MW (TA)
SI7386DP-T1-GE3	1.6200	RFQ	32	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Si7386	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	12a (TA)	4.5V, 10V	7mohm @ 19a, 10v	2.5V @ 250 µA	18 NC @ 4.5 V	± 20V		-	1.8w (TA)
SiHH14N60E-T1-GE3	3.5000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	Sihh14	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 8 x 8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	600 V	16a (TC)	10V	255mohm @ 7a, 10v	4V @ 250 µA	82 NC @ 10 V	± 30V	1416 pf @ 100 V	-	147W (TC)
SIA485DJ-T1-GE3	0.5800	RFQ	11	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-70-6	SIA485	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SC-70-6	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	150 V	1.6a (TC)	6V, 10V	2.6ohm @ 500 mA, 10V	4.5V @ 250 µA	6.3 NC @ 10 V	± 20V	155 pf @ 75 V	-	15.6W (TC)
SI1413DH-T1-E3	-	RFQ	8421	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Si1413	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	2.3a (TA)	1.8V, 4.5V	115mohm @ 2.9a, 4.5V	800mV @ 100 µA	8.5 NC @ 4.5 V	± 8V		-	1W (TA)
IRF740LCPBF-BE3	3.0300	RFQ	987	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF740	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)		742-IRF740LCPBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	400 V	10a (TC)		550mohm @ 6a, 10v	4V @ 250 µA	39 NC @ 10 V	± 30V	1100 pf @ 25 V	-	125W (TC)
SiHFB11N50A-E3	1.6861	RFQ	9439	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Sihfb11	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	500 V	11a (TC)	10V	520mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250 µA	52 NC @ 10 V	± 30V	1423 pf @ 25 V	-	170W (TC)
SI4858DY-T1-GE3	-	RFQ	2808	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4858	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	30 V	13a (TA)	4.5V, 10V	5.25mohm @ 20a, 10v	1V @ 250 µA (min)	40 NC @ 4.5 V	± 20V		-	1.6w (TA)
Sq4949ey-t1_be3	1.6100	RFQ	7212	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Sq4949	Mosfet (Óxido de metal)	3.3W (TC)	8-Soico	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal P (Dual)		30V	7.5a (TC)		35mohm @ 5.9a, 10v	2.5V @ 250 µA	30NC @ 10V		1020pf @ 25V	-
SI2341DS-T1-GE3	-	RFQ	4512	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Si2341	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P	30 V	2.5a (TA)	4.5V, 10V	72mohm @ 2.8a, 10v	3V @ 250 µA	15 NC @ 10 V	± 20V	400 pf @ 15 V	-	710MW (TA)
Sqj464ep-t1_be3	1.0100	RFQ	1608	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar		1 (ilimitado)		742-sqj464ep-t1_be3tr	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	60 V	32A (TC)	4.5V, 10V	17mohm @ 7.1a, 10v	2.5V @ 250 µA	44 NC @ 10 V	± 20V	2086 pf @ 30 V	-	45W (TC)
SIHP12N50E-BE3	1.8600	RFQ	990	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	500 V	10.5a (TC)	10V	380mohm @ 6a, 10v	4V @ 250 µA	50 NC @ 10 V	± 30V	886 pf @ 100 V	-	114W (TC)
SQ3460EV-T1_GE3	0.9100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	SQ3460	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	20 V	8a (TC)	1.8V, 4.5V	30mohm @ 5.1a, 4.5V	1V @ 250 µA	14 NC @ 4.5 V	± 8V	1060 pf @ 10 V	-	3.6W (TC)