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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHP23N60E-BE3 | 3.2300 |  | 999 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 23a (TC) | 10V | 158mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 30V | 2418 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||||
 | SI5915BDC-T1-E3 | - | | 3698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5915 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 8V | 4A | 70mohm @ 3.3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14nc @ 8V | 420pf @ 4V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Sq2348es-t1_be3 | 0.6700 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Sq2348 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 14.5 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 15 V | - | 3W (TC) | ||||||
 | Irfiz48gpbf | 3.0500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfiz48 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfiz48gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 37a (TC) | 10V | 18mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
 | SQ3419AEEV-T1_GE3 | 0.7000 | | 5493 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3419 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 6.9a (TC) | 4.5V, 10V | 61mohm @ 2.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | 975 pf @ 20 V | - | 5W (TC) | ||||||
 | Sq4532aey-t1_be3 | 0.8700 | | 629 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4532 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.3W (TC) | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 7.3a (TC), 5.3a (TC) | 31mohm @ 4.9a, 10v, 70mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 7.8nc @ 10V, 10.2nc @ 10V | 535pf @ 15V, 528pf @ 15V | - | ||||||||
 | SQJ560EP-T1_BE3 | 1.3500 | | 2934 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ560 | Mosfet (Óxido de metal) | 34W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj560ep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 60V | 30A (TC), 18A (TC) | 12mohm @ 10a, 10v, 52.6mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30nc @ 10V, 45nc @ 10V | 1650pf @ 25V | - | |||||||
 | SQD40052EL_GE3 | 1.0500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 25 V | - | 62W (TC) | ||||||
| SI4425FDY-T1-GE3 | 0.7100 | | 3274 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4425 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 12.7a (TA), 18.3a (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | +16V, -20V | 1620 pf @ 15 V | - | 2.3W (TA), 4.8W (TC) | |||||
 | Siz300dt-t1-ge3 | 1.1200 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz300 | Mosfet (Óxido de metal) | 16.7W, 31W | 8-Powerpair® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 11a, 28a | 24mohm @ 9.8a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 400pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | IRFP26N60L | - | | 3859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP26 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 26a (TC) | 10V | 250mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 30V | 5020 pf @ 25 V | - | 470W (TC) | ||||
| SI4618DY-T1-E3 | - | | 6290 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4618 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.98W, 4.16W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 8a, 15.2a | 17mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 1MA | 44nc @ 10V | 1535pf @ 15V | - | |||||||
 | SiHG080N60E-GE3 | 4.9900 | | 327 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | 742-SiHG080N60E-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 35A (TC) | 10V | 80mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2557 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||
 | Sir5808DP-T1-RE3 | 1.4100 | | 1063 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir5808 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 18.8a (TA), 66.8a (TC) | 7.5V, 10V | 157mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 1210 pf @ 40 V | - | 5.2W (TA), 65.7W (TC) | ||||||
 | SiHD7N60ET5-GE3 | 0.8080 | | 7810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihd7 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 680 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | ||||||
 | SIA425EDJ-T1-GE3 | - | | 2797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA425 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 60mohm @ 4.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | ± 12V | - | 2.9W (TA), 15.6W (TC) | |||||||
 | SI6562CDQ-T1-BE3 | 1.0200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6562 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1W (TA), 1.6W (TC), 1.2W (TA), 1.7W (TC) | 8-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI6562CDQ-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 5.7a (TA), 6.7a (TC), 5.1a (TA), 6.1a (TC) | 22mohm @ 5.7a, 4.5V, 30mohm @ 5.1a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 23nc @ 10V, 51nc @ 10V | 850pf @ 10V, 1200pf @ 10V | - | |||||||
 | IRFB16N60LPBF | - | | 9786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB16 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfb16n60lpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 460mohm @ 9a, 10v | 5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 30V | 2720 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | |||
| SI2336DS-T1-GE3 | 0.5100 | | 5756 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2336 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.2a (TC) | 1.8V, 4.5V | 42mohm @ 3.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 15 NC @ 8 V | ± 8V | 560 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA), 1.8W (TC) | ||||
| Sihg460b-ge3 | 2.4869 | | 3690 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG460 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 250mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 3094 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
 | IRF9510SPBF | 2.0400 | | 996 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9510 | Mosfet (Óxido de metal) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 100 V | 4A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||||
| SI3460DV-T1-E3 | - | | 7192 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3460 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 5.1a (TA) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 5.1a, 4.5V | 450MV @ 1MA (min) | 20 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.1W (TA) | ||||||
| Si4114dy-t1-ge3 | 1.3400 | | 8737 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4114 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 10a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 16V | 3700 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||
 | SI7384DP-T1-GE3 | - | | 3167 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7384 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 18 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | ||||||
| SI2351DS-T1-GE3 | - | | 2309 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2351 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.8a (TC) | 115mohm @ 2.4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 5.1 NC @ 5 V | 250 pf @ 10 V | - | ||||||||
 | Sish114adn-t1-ge3 | 0.7700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Sish114 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 18A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 18a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1230 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 39W (TC) | |||||
 | SISS26DN-T1-GE3 | 1.6800 | | 2735 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS26 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 60A (TC) | 6V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 1710 pf @ 30 V | - | 57W (TC) | |||||
| SIA456DJ-T3-GE3 | 0.3589 | | 1335 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA456 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-sia456dj-t3-ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | N-canal | 200 V | 1.1a (TA), 2.6a (TC) | 1.8V, 4.5V | 1.38ohm @ 750 mm, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 14.5 NC @ 10 V | ± 16V | 350 pf @ 100 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | ||||
 | SQJ464EP-T2_GE3 | 0.3687 | | 7735 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj464 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQJ464EP-T2_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 32A (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 7.1a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2086 pf @ 30 V | - | 45W (TC) | ||||
 | SQJB60EP-T2_GE3 | 0.5045 | | 7206 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqjb60 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQJB60EP-T2_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 30A (TC) | 12mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30NC @ 10V | 1600pf @ 25V | - |
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