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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Resistencia - RDS (ON) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIA462DJ-T1-GE3 | 0.4100 |  | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA462 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 Single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 9a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | ||||||||
 | SQJ170ELP-T1_GE3 | 1.0800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 63A (TC) | 4.5V, 10V | 16.3mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 1165 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||||||||
 | SQS484EN-T1_GE3 | 1.0100 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sqs484 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 16.4a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1855 pf @ 25 V | - | 62W (TC) | ||||||||
 | Si4866dy-t1-e3 | 2.2000 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4866 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 12 V | 11a (TA) | 2.5V, 4.5V | 5.5mohm @ 17a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 30 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.6w (TA) | |||||||||
 | SQM50P03-07_GE3 | 2.6100 | | 3270 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM50 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 5380 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||
 | SIDR170DP-T1-RE3 | 2.5800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR170 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIDR170DP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 23.2a (TA), 95A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 6195 pf @ 50 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||||
 | SI8441DB-T2-E1 | - | | 6868 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA | SI8441 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-Micro Foot ™ (1.5x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 10.5a (TC) | 1.2V, 4.5V | 80mohm @ 1a, 4.5V | 700mv @ 250 µA | 13 NC @ 5 V | ± 5V | 600 pf @ 10 V | - | 2.77W (TA), 13W (TC) | |||||||
 | SQ2308CES-T1_GE3 | 0.6700 | | 44 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2308 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2.3a (TC) | 4.5V, 10V | 150mohm @ 2.3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 5.3 NC @ 10 V | ± 20V | 205 pf @ 30 V | - | 2W (TC) | ||||||||
 | Sud50n03-09p-ge3 | - | | 9942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 63A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 16 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 7.5W (TA), 65.2W (TC) | ||||||||
| SQ2315ES-T1_BE3 | 0.6000 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2315 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | - | 1 (ilimitado) | 742-SQ2315ES-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 50mohm @ 3.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 13 NC @ 4.5 V | ± 8V | 870 pf @ 6 V | - | 2W (TC) | ||||||||
 | SI1013X-T1-GE3 | 0.4400 | | 8244 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | SI1013 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 350MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 1.2ohm @ 350mA, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 1.5 NC @ 4.5 V | ± 6V | - | 250MW (TA) | ||||||||
 | Sihu4n80e-ge3 | 0.8984 | | 9508 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 251-3 cables Largos, ipak, un 251ab | Sihu4 | Mosfet (Óxido de metal) | Ipak (un 251) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 800 V | 4.3a (TC) | 10V | 1.27ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 622 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | ||||||||
 | IRFR9310TRPBF | - | | 6199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9310 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 400 V | 1.8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||
| SQ2301ES-T1_GE3 | 0.5300 | | 6065 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2301 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-236 (SOT-23) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.9a (TC) | 2.5V, 4.5V | 120mohm @ 2.8a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 8 NC @ 4.5 V | ± 8V | 425 pf @ 10 V | - | 3W (TC) | ||||||||
 | Sq7415aen-t1_ge3 | - | | 7233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sq7415 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 5.7a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1385 pf @ 25 V | - | 53W (TC) | ||||||||
 | SQD10N30-330H_4GE3 | 1.6500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 300 V | 10a (TC) | 10V | 330mohm @ 14a, 10v | 4.4V @ 250 µA | 47 NC @ 10 V | ± 30V | 2190 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | ||||||||||
| SI7601DN-T1-GE3 | - | | 8654 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SI7601 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 16a (TC) | 2.5V, 4.5V | 19.2mohm @ 11a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 27 NC @ 5 V | ± 12V | 1870 pf @ 10 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||||
 | SIHP105N60EF-GE3 | 2.8386 | | 7227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP105 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 102mohm @ 13a, 10v | 5V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1804 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | ||||||||
 | SIB414DK-T1-GE3 | - | | 2983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB414 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 9A (TC) | 1.2V, 4.5V | 26mohm @ 7.9a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14.03 NC @ 5 V | ± 5V | 732 pf @ 4 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | |||||||
 | SQJ160EP-T1_GE3 | 1.9300 | | 5784 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQJ160EP-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 362a (TC) | 10V | 2mohm @ 15a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 119 NC @ 10 V | ± 20V | 6697 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | ||||||||
 | SI7668AdP-T1-E3 | - | | 7275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7668 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 25A, 10V | 1.8V @ 250 µA | 170 NC @ 10 V | ± 12V | 8820 pf @ 15 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||||
 | Sihu6n62e-ge3 | 1.6500 | | 5294 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Sihu6 | Mosfet (Óxido de metal) | Ipak (un 251) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 620 V | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 30V | 578 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | ||||||||
 | SISS67DN-T1-GE3 | 1.1000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS67 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 111 NC @ 10 V | ± 25V | 4380 pf @ 15 V | - | 65.8W (TC) | ||||||||
| SIRS4302DP-T1-GE3 | 2.9600 | | 2620 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sirs4302 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 87a (TA), 478a (TC) | 4.5V, 10V | 0.57mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 230 NC @ 10 V | +20V, -16V | 10150 pf @ 15 V | - | 6.9W (TA), 208W (TC) | ||||||||
| Sir186DP-T1-RE3 | 1.2600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir186 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 23a (TA), 60a (TC) | 6V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 1710 pf @ 30 V | - | 5W (TA), 57W (TC) | ||||||||
| Si4404dy-t1-e3 | - | | 5046 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4404 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 23a, 10v | 3V @ 250 µA | 55 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.6w (TA) | ||||||||
 | Sihfbf30s-ge3 | 1.8700 | | 933 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHFBF30S-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 100V | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||
 | U441-E3 | - | | 1468 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 71-6 | U441 | 500 MW | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | 2 Canal N (Dual) | 3pf @ 10V | 25 V | 6 Ma @ 10 V | 1 v @ 1 na | |||||||||||||
| U290 | - | | 4132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AC, TO-52-3 METAL CAN | U290 | 500 MW | TO-206AC (TO-52) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | N-canal | 160pf @ 0V | 30 V | 500 mA @ 10 V | 4 V @ 3 Na | 3 ohmios | ||||||||||||
| SIDR608DP-T1-RE3 | 2.4300 | | 6315 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR608 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 45 V | 51a (TA), 208a (TC) | 4.5V, 10V | 1.2mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 167 NC @ 10 V | +20V, -16V | 8900 pf @ 20 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) |
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