SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
IRF840BPBF Vishay Siliconix IRF840BPBF 1.5500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF840 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 8.7a (TC) 10V 850mohm @ 4a, 10v 5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 30V 527 pf @ 100 V - 156W (TC)
SI4511DY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4511dy-t1-e3 -
RFQ
ECAD 3529 0.00000000 Vishay Siliconix - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SI4511 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 20V 7.2a, 4.6a 14.5mohm @ 9.6a, 10v 1.8V @ 250 µA 18NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SI1308EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1308EDL-T1-GE3 0.4600
RFQ
ECAD 68 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Si1308 Mosfet (Óxido de metal) SC-70-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 1.4a (TC) 2.5V, 10V 132mohm @ 1.4a, 10V 1.5V @ 250 µA 4.1 NC @ 10 V ± 12V 105 pf @ 15 V - 400MW (TA), 500MW (TC)
IRFIBG20G Vishay Siliconix Irfibg20g -
RFQ
ECAD 1680 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo - A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Irfibg20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) *Irfibg20g EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 1000 V - - - - -
SI2303CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2303CDS-T1-GE3 0.4500
RFQ
ECAD 115 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SI2303 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 2.7a (TC) 4.5V, 10V 190mohm @ 1.9a, 10v 3V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 20V 155 pf @ 15 V - 1W (TA), 2.3W (TC)
SQD100N03-3M4_GE3 Vishay Siliconix SQD100N03-3M4_GE3 1.6100
RFQ
ECAD 8822 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sqd100 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 100A (TC) 10V 3.4mohm @ 20a, 10v 3.5V @ 250 µA 124 NC @ 10 V ± 20V 7349 pf @ 15 V - 136W (TC)
SI4876DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4876dy-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 9709 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4876 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 V 14a (TA) 2.5V, 4.5V 5mohm @ 21a, 4.5V 600mV @ 250 µA (min) 80 NC @ 4.5 V ± 12V - 1.6w (TA)
IRFP340PBF Vishay Siliconix Irfp340pbf 5.1700
RFQ
ECAD 999 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP340 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 400 V 11a (TC) 10V 550mohm @ 6.6a, 10v 4V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 150W (TC)
SI7900AEDN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7900AEDN-T1-E3 1.7000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 dual Si7900 Mosfet (Óxido de metal) 1.5w Powerpak® 1212-8 dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 6A 26mohm @ 8.5a, 4.5V 900MV @ 250 µA 16NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SIS429DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS429DNT-T1-GE3 0.1378
RFQ
ECAD 1479 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 SIS429 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 20A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 10.5a, 10v 3V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 1350 pf @ 15 V - 27.8W (TC)
SQ3419EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix Sq3419ev-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 1109 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 SQ3419 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 7.4a (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 2.5a, 10v 2.5V @ 250 µA 15 NC @ 4.5 V ± 12V 1065 pf @ 20 V - 5W (TC)
SI7112DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7112DN-T1-E3 1.7500
RFQ
ECAD 3205 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 Si7112 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 11.3a (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 17.8a, 10v 1.5V @ 250 µA 27 NC @ 4.5 V ± 12V 2610 pf @ 15 V - 1.5W (TA)
SI4534DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4534dy-t1-ge3 1.4100
RFQ
ECAD 3233 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4534 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA), 3.6W (TC) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-Si4534dy-t1-ge3tr EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 60V 6.2a (TA), 8a (TC), 3a (TA), 4.1a (TC) 29mohm @ 5a, 10v, 120mohm @ 3.1a, 10v 3V @ 250 µA 11NC @ 10V, 22NC @ 10V 420pf @ 30V, 650pf @ 30V -
SIHG28N60EF-GE3 Vishay Siliconix SiHG28N60EF-GE3 6.6200
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 SiHG28 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 28a (TC) 10V 123mohm @ 14a, 10v 4V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 30V 2714 pf @ 100 V - 250W (TC)
IRFRC20TRRPBF Vishay Siliconix IRFRC20TRPBF 0.8236
RFQ
ECAD 6797 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFRC20 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 2a (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIHFL110TR-BE3 Vishay Siliconix Sihfl110tr-be3 0.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Sihfl110 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar 1 (ilimitado) 742-SiHFL110TR-BE3TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 1.5a (TC) 540mohm @ 900 mA, 10V 4V @ 250 µA 8.3 NC @ 10 V ± 20V 180 pf @ 25 V - 2W (TA), 3.1W (TC)
IRFPE50PBF Vishay Siliconix Irfpe50pbf 4.8500
RFQ
ECAD 175 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Irfpe50 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfpe50pbf EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 800 V 7.8a (TC) 10V 1.2ohm @ 4.7a, 10v 4V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 25 V - 190W (TC)
SIHH21N65EF-T1-GE3 Vishay Siliconix SiHH21N65EF-T1-GE3 6.4800
RFQ
ECAD 675 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Sihh21 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 8 x 8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 19.8a (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 102 NC @ 10 V ± 30V 2396 pf @ 100 V - 156W (TC)
SIZ340DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz340dt-t1-ge3 0.9200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Powerpair®, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Siz340 Mosfet (Óxido de metal) 16.7W, 31W 8-Power33 (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canales N (Medio Puente) 30V 30A, 40A 9.5mohm @ 15.6a, 10V 2.4V @ 250 µA 19NC @ 10V 760pf @ 15V -
SIR624DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir624DP-T1-RE3 1.2000
RFQ
ECAD 2242 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sir624 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 200 V 5.7a (TA), 18.6a (TC) 7.5V, 10V 60mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1110 pf @ 100 V - 5W (TA), 52W (TC)
SQJQ141EL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ141EL-T1_GE3 3.4200
RFQ
ECAD 6581 0.00000000 Vishay Siliconix Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 8 x 8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 8 x 8 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SQJQ141EL-T1_GE3TR EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 40 V 390a (TC) 4.5V, 10V 2mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 731 NC @ 10 V ± 20V 62190 pf @ 25 V - 600W (TC)
IRFR9010TRPBF Vishay Siliconix IRFR9010TRPBF 1.0600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR9010 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 50 V 5.3a (TC) 10V 500mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250 µA 9.1 NC @ 10 V ± 20V 240 pf @ 25 V - 25W (TC)
SIHP33N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP33N60EF-GE3 6.3700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SiHP33 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 33A (TC) 10V 98mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250 µA 155 NC @ 10 V ± 30V 3454 pf @ 100 V - 278W (TC)
SIHH070N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SiHH070N60EF-T1GE3 7.9200
RFQ
ECAD 4041 0.00000000 Vishay Siliconix EF Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Sihh070 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 8 x 8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 36A (TC) 10V 71mohm @ 15a, 10v 5V @ 250 µA 75 NC @ 10 V ± 30V 2647 pf @ 100 V - 202W (TC)
IRFPG30 Vishay Siliconix IRFPG30 -
RFQ
ECAD 9904 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFPG30 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFPG30 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 1000 V 3.1a (TC) 10V 5ohm @ 1.9a, 10v 4V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 20V 980 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRFIZ24G Vishay Siliconix Irfiz24g -
RFQ
ECAD 9931 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Irfiz24 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfiz24g EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 14a (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 640 pf @ 25 V - 37W (TC)
SIS407ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS407Adn-T1-GE3 0.8900
RFQ
ECAD 2768 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 SIS407 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 18a (TC) 1.8V, 4.5V 9mohm @ 15a, 4.5V 1V @ 250 µA 168 NC @ 8 V ± 8V 5875 pf @ 10 V - 3.7W (TA), 39.1W (TC)
SI6459BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6459BDQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6462 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Si6459 Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 2.2a (TA) 4.5V, 10V 115mohm @ 2.7a, 10v 3V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V - 1W (TA)
IRFBA22N50APBF Vishay Siliconix IRFBA22N50APBF -
RFQ
ECAD 2342 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Super-220 ™ IRFBA22 Mosfet (Óxido de metal) Super-220 ™ (To-273AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFBA22N50APBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 24a (TC) 10V 230mohm @ 13.8a, 10V 4V @ 250 µA 115 NC @ 10 V ± 30V 3400 pf @ 25 V - 340W (TC)
IRFP450LC Vishay Siliconix IRFP450LC -
RFQ
ECAD 3800 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP450 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFP450LC EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 500 V 14a (TC) 10V 400mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250 µA 74 NC @ 10 V ± 30V 2200 pf @ 25 V - 190W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock