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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Desglose (V (BR) GSS)	Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID	Resistencia - RDS (ON)
SI1013X-T1-E3	-	RFQ	8836	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-89, SOT-490	SI1013	Mosfet (Óxido de metal)		SC-89-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P	20 V	350MA (TA)	1.8V, 4.5V	1.2ohm @ 350mA, 4.5V	450MV @ 250 µA (min)	1.5 NC @ 4.5 V	± 6V		-	250MW (TA)
SIA938DJT-T1-GE3	0.6700	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-70-6 Dual	SIA938	Mosfet (Óxido de metal)	1.9W (TA), 7.8W (TC)	Powerpak® SC-70-6 Dual	descascar		1 (ilimitado)		742-sia938djt-t1-ge3tr	EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		20V	4.5a (TA), 4.5A (TC)		21.5mohm @ 5a, 10v	1.5V @ 250 µA	11.5nc @ 10V		425pf @ 10V	-
SQJA46EP-T1_GE3	1.1500	RFQ	9232	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sqja46	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	60A (TC)	10V	3mohm @ 10a, 10v	3.5V @ 250 µA	105 NC @ 10 V	± 20V	5000 pf @ 25 V	-	68W (TC)
SI1022R-T1-GE3	0.6300	RFQ	40	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	Si1022	Mosfet (Óxido de metal)		SC-75A	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	60 V	330 mA (TA)	4.5V, 10V	1.25ohm @ 500 mA, 10V	2.5V @ 250 µA	0.6 NC @ 4.5 V	± 20V	30 pf @ 25 V	-	250MW (TA)
Sq3989ev-t1_be3	0.6000	RFQ	8623	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Sq3989	Mosfet (Óxido de metal)	1.67W (TC)	6-TSOP	descascar		1 (ilimitado)		742-sq3989ev-t1_be3tr	EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal P (Dual)		30V	2.5A (TC)		155mohm @ 400 mA, 10V	1.5V @ 250 µA	11.1NC @ 10V		-	-
SI7236DP-T1-E3	-	RFQ	5143	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8 Dual	Si7236	Mosfet (Óxido de metal)	46W	Powerpak® SO-8 Dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		20V	60A		5.2mohm @ 20.7a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	105nc @ 10V		4000PF @ 10V	-
SUD50N02-04P-E3	-	RFQ	1213	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sud50	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	20 V	50A (TC)	4.5V, 10V	4.3mohm @ 20a, 10v	3V @ 250 µA	60 NC @ 4.5 V	± 20V	5000 pf @ 10 V	-	8.3W (TA), 136W (TC)
SIDR390DP-T1-GE3	2.4900	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	SIDR390	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8DC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	69.9a (TA), 100a (TC)	4.5V, 10V	0.8mohm @ 20a, 10v	2V @ 250 µA	153 NC @ 10 V	+20V, -16V	10180 pf @ 15 V	-	6.25W (TA), 125W (TC)
2N4393-E3	-	RFQ	1646	Vishay Siliconix	-	Una granela	Obsoleto	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-206AA, a 18-3 Lata de metal	2N4393		1.8 W	TO-206AA (A 18)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	200		N-canal								14pf @ 20V			40 V	5 Ma @ 20 V	500 MV @ 1 Na	100 ohmios
Si4153dy-t1-ge3	0.7100	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen III	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-Si4153dy-t1-ge3dkr	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	30 V	14.3a (TA), 19.3a (TC)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	93 NC @ 10 V	± 25V	3600 pf @ 15 V	-	3.1W (TA), 5.6W (TC)
SIDR104AEP-T1-RE3	3.0500	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8DC	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	21.1a (TA), 90.5A (TC)	7.5V, 10V	6.1mohm @ 15a, 10v	4V @ 250 µA	70 NC @ 10 V	± 20V	3250 pf @ 50 V	-	6.5W (TA), 120W (TC)
TN2404K-T1-E3	0.9100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	TN2404	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	240 V	200MA (TA)	2.5V, 10V	4ohm @ 300mA, 10V	2V @ 250 µA	8 NC @ 10 V	± 20V		-	360MW (TA)
SIA929DJ-T1-GE3	0.6400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-70-6 Dual	SIA929	Mosfet (Óxido de metal)	7.8w	Powerpak® SC-70-6 Dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal P (Dual)		30V	4.5A (TC)		64mohm @ 3a, 10v	1.1V @ 250 µA	21NC @ 10V		575pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
Irfd9020	-	RFQ	2528	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-DIP (0.300 ", 7.62 mm)	Irfd9020	Mosfet (Óxido de metal)		4-hvmdip	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfd9020	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	60 V	1.6a (TA)	10V	280MOHM @ 960MA, 10V	4V @ 1 µA	19 NC @ 10 V	± 20V	570 pf @ 25 V	-	1.3W (TA)
Si4936bdy-t1-ge3	1.3200	RFQ	14	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4936	Mosfet (Óxido de metal)	2.8w	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)		30V	6.9a		35mohm @ 5.9a, 10v	3V @ 250 µA	15NC @ 10V		530pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
SI3407DV-T1-GE3	0.5100	RFQ	14	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Si3407	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	8a (TC)	2.5V, 4.5V	24mohm @ 7.5a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	63 NC @ 10 V	± 12V	1670 pf @ 10 V	-	4.2W (TC)
SIHP14N60E-BE3	2.3600	RFQ	978	Vishay Siliconix	mi	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	600 V	13a (TC)	10V	309mohm @ 7a, 10v	4V @ 250 µA	64 NC @ 10 V	± 30V	1205 pf @ 100 V	-	147W (TC)
IRFR9020	-	RFQ	6135	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR9020	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRFR9020	EAR99	8541.29.0095	75		Canal P	50 V	9.9a (TC)	10V	280mohm @ 5.7a, 10V	4V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 20V	490 pf @ 25 V	-	42W (TC)
SI7913DN-T1-GE3	1.6400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8 dual	Si7913	Mosfet (Óxido de metal)	1.3w	Powerpak® 1212-8 dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal P (Dual)		20V	5A		37mohm @ 7.4a, 4.5V	1V @ 250 µA	24nc @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
Irf9540pbf	2.1500	RFQ	11	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF9540	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		*Irf9540pbf	EAR99	8541.29.0095	50		Canal P	100 V	19a (TC)	10V	200mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	61 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	150W (TC)
SI1303DL-T1-GE3	-	RFQ	1080	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	Si1303	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P	20 V	670MA (TA)	2.5V, 4.5V	430mohm @ 1a, 4.5V	1.4V @ 250 µA	2.2 NC @ 4.5 V	± 12V		-	290MW (TA)
SI7228DN-T1-GE3	-	RFQ	7066	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8 dual	Si7228	Mosfet (Óxido de metal)	23W	Powerpak® 1212-8 dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		30V	26A		20mohm @ 8.8a, 10V	2.5V @ 250 µA	13NC @ 10V		480pf @ 15V	-
SQS140ENW-T1_GE3	1.3000	RFQ	9264	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte de superficie, Flanco Humectable	Powerpak® 1212-8SLW		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8SLW	descascar		1 (ilimitado)		742-SQS140ENW-T1_GE3CT	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	214a (TC)	10V	2.53mohm @ 10a, 10v	3.5V @ 250 µA	57 NC @ 10 V	± 20V	3111 pf @ 25 V	-	197W (TC)
IRFP460LC	-	RFQ	3133	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRFP460	Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)		*IRFP460LC	EAR99	8541.29.0095	500		N-canal	500 V	20A (TC)	10V	270mohm @ 12a, 10v	4V @ 250 µA	120 NC @ 10 V	± 30V	3600 pf @ 25 V	-	280W (TC)
Si4346dy-t1-e3	-	RFQ	7317	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4346	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	30 V	5.9a (TA)	2.5V, 10V	23mohm @ 8a, 10v	2V @ 250 µA	10 NC @ 4.5 V	± 12V		-	1.31W (TA)
SI2318CDS-T1-GE3	0.4600	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Si2318	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	5.6a (TC)	4.5V, 10V	42mohm @ 4.3a, 10v	2.5V @ 250 µA	9 NC @ 10 V	± 20V	340 pf @ 20 V	-	1.25W (TA), 2.1W (TC)
SISS64DN-T1-GE3	1.3800	RFQ	2142	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8s	SISS64	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8s	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	40A (TC)	4.5V, 10V	2.1mohm @ 10a, 10v	2.2V @ 250 µA	68 NC @ 10 V	+20V, -16V	3420 pf @ 15 V	-	57W (TC)
Sud50n02-06p-ge3	-	RFQ	2065	Vishay Siliconix	*	Tape & Reel (TR)	Activo				Sud50				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000
SIHP21N60EF-BE3	2.9200	RFQ	4159	Vishay Siliconix	EF	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SIHP21	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	600 V	21a (TC)	10V	176mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	84 NC @ 10 V	± 30V	2030 pf @ 100 V	-	227W (TC)
SiHP8N50D-E3	1.7300	RFQ	6384	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SiHP8	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	500 V	8.7a (TC)	10V	850mohm @ 4a, 10v	5V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 30V	527 pf @ 100 V	-	156W (TC)