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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)
SQJA42EP-T1_GE3	1.4600	RFQ	6987	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sqja42	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	20A (TC)	4.5V, 10V	9.4mohm @ 6a, 10v	2.3V @ 250 µA	33 NC @ 10 V	± 20V	1700 pf @ 25 V	-	27W (TC)
Sq3461ev-t1_be3	0.8000	RFQ	4473	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6		Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar		1 (ilimitado)		742-sq3461ev-t1_be3tr	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	12 V	8a (TC)	1.8V, 4.5V	25mohm @ 7.9a, 4.5V	1V @ 250 µA	28 NC @ 4.5 V	± 8V	2000 pf @ 6 V	-	5W (TC)
SIHP17N80AE-GE3	2.8100	RFQ	963	Vishay Siliconix	mi	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SiHP17	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SiHP17N80AE-GE3	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	800 V	15A (TC)	10V	290mohm @ 8.5a, 10V	4V @ 250 µA	62 NC @ 10 V	± 30V	1260 pf @ 100 V	-	179W (TC)
SI4963BDY-T1-GE3	0.7796	RFQ	4291	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4963	Mosfet (Óxido de metal)	1.1w	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal P (Dual)		20V	4.9a		32mohm @ 6.5a, 4.5V	1.4V @ 250 µA	21NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
Si2365EDS-T1-GE3	0.4000	RFQ	7679	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Si2365	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	5.9a (TC)	1.8V, 4.5V	32mohm @ 4a, 4.5V	1V @ 250 µA	36 NC @ 8 V	± 8V		-	1W (TA), 1.7W (TC)
SISA04DN-T1-GE3	1.2500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	Sisa04	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	40A (TC)	4.5V, 10V	2.15mohm @ 15a, 10v	2.2V @ 250 µA	77 NC @ 10 V	+20V, -16V	3595 pf @ 15 V	-	3.7W (TA), 52W (TC)
SIA907EDJ-T4-GE3	-	RFQ	8775	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-	-	SIA907	-	-	-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	-		-	-		-	-	-		-	-
Si4563dy-t1-ge3	-	RFQ	2431	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4563	Mosfet (Óxido de metal)	3.25W	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	Vecino del canal		40V	8A		16mohm @ 5a, 10v	2V @ 250 µA	85nc @ 10V		2390pf @ 20V	-
SI4542DY-T1-GE3	-	RFQ	8855	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4542	Mosfet (Óxido de metal)	2W	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	Vecino del canal		30V	-		25mohm @ 6.9a, 10v	1V @ 250 µA (min)	50nc @ 10V		-	Puerta de Nivel Lógico
SQJQ936EL-T1_GE3	2.7800	RFQ	4134	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 8 x 8 dual	SQJQ936	Mosfet (Óxido de metal)	75W (TC)	Powerpak® 8 x 8 dual	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000	2 Canal		40V	100A (TC)		2.3mohm @ 5a, 10v	2.5V @ 250 µA	45nc @ 10V		7300pf @ 25V	Estándar
SQS840CENW-T1_GE3	0.7200	RFQ	7302	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8W	SQS840	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8W	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SQS840CENW-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	12a (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 7.5a, 10v	2.5V @ 250 µA	22.5 NC @ 10 V	± 20V	1031 pf @ 20 V	-	33W (TC)
SUP60N06-12P-E3	-	RFQ	1117	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SUP60	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SUP60N0612PE3	EAR99	8541.29.0095	500		N-canal	60 V	60A (TC)	10V	12mohm @ 30a, 10v	4.5V @ 250 µA	55 NC @ 10 V	± 20V	1970 pf @ 30 V	-	3.25W (TA), 100W (TC)
Sir616dp-t1-ge3	1.4800	RFQ	5061	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sir616	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	200 V	20.2a (TC)	7.5V, 10V	50.5mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	28 NC @ 7.5 V	± 20V	1450 pf @ 100 V	-	52W (TC)
SI7440DP-T1-GE3	-	RFQ	2964	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Si7440	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	12a (TA)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 21a, 10v	3V @ 250 µA	35 NC @ 4.5 V	± 20V		-	1.9W (TA)
SiHFR1N60A-GE3	1.0000	RFQ	2762	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sihfr1	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	600 V	1.4a (TC)	10V	7ohm @ 840 mm, 10v	4V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 30V	229 pf @ 25 V	-	36W (TC)
SQD23N06-31L_T4GE3	0.4269	RFQ	4967	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SQD23	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SQD23N06-31L_T4GE3TR	EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	60 V	23a (TC)	4.5V, 10V	31mohm @ 15a, 10v	2.5V @ 250 µA	24 NC @ 10 V	± 20V	845 pf @ 25 V	-	37W (TC)
SI8451DB-T2-E1	-	RFQ	7660	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-UFBGA	Si8451	Mosfet (Óxido de metal)		6-Micro Foot ™ (1.5x1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	10.8a (TC)	1.5V, 4.5V	80mohm @ 1a, 4.5V	1V @ 250 µA	24 NC @ 8 V	± 8V	750 pf @ 10 V	-	2.77W (TA), 13W (TC)
SI3467DV-T1-GE3	-	RFQ	6683	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Si3467	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	3.8a (TA)	4.5V, 10V	54mohm @ 5a, 10v	3V @ 250 µA	13 NC @ 10 V	± 20V		-	1.14W (TA)
SI5933DC-T1-E3	-	RFQ	6428	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	Si5933	Mosfet (Óxido de metal)	1.1w	1206-8 Chipfet ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal P (Dual)		20V	2.7a		110mohm @ 2.7a, 4.5V	1V @ 250 µA	7.7nc @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
SQJ456EP-T1_GE3	5.2000	RFQ	1	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sqj456	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	32A (TC)	6V, 10V	26mohm @ 9.3a, 10v	3.5V @ 250 µA	63 NC @ 10 V	± 20V	3342 pf @ 25 V	-	83W (TC)
SIRS5800DP-T1-GE3	3.1900	RFQ	7790	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sirs5800	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)					3.000		N-canal	80 V	46a (TA), 265a (TC)	7.5V, 10V	1.8mohm @ 20a, 10v	4V @ 250 µA	122 NC @ 10 V	± 20V	6190 pf @ 40 V	-	7.4W (TA), 240W (TC)
SI3499DV-T1-GE3	1.0000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Si3499	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	8 V	5.3a (TA)	1.5V, 4.5V	23mohm @ 7a, 4.5V	750MV @ 250 µA	42 NC @ 4.5 V	± 5V		-	1.1W (TA)
Irfr024tr	-	RFQ	4852	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR024	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	60 V	14a (TC)	10V	100mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
Irfd010pbf	-	RFQ	4496	Vishay Siliconix	-	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-DIP (0.300 ", 7.62 mm)	Irfd010	Mosfet (Óxido de metal)		4-hvmdip	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfd010pbf	EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	50 V	1.7a (TC)	10V	200mohm @ 860 mm, 10v	4V @ 250 µA	13 NC @ 10 V	± 20V	250 pf @ 25 V	-	1W (TC)
SIHP5N50D-GE3	1.1200	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SiHP5	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	500 V	5.3a (TC)	10V	1.5ohm @ 2.5a, 10V	5V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 30V	325 pf @ 100 V	-	104W (TC)
SiHFPS40N60K-GE3	7.2200	RFQ	562	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 274AA		Mosfet (Óxido de metal)		Super-247 ™ (TO74AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable		742-SiHFPS40N60K-GE3	EAR99	8541.29.0095	30		N-canal	600 V	40A (TC)	10V	130mohm @ 24a, 10v	5V @ 250 µA	330 NC @ 10 V	± 30V	7970 pf @ 25 V	-	570W (TC)
SiHD4N80E-GE3	1.7600	RFQ	8331	Vishay Siliconix	mi	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sihd4	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	800 V	4.3a (TC)	10V	1.27ohm @ 2a, 10v	4V @ 250 µA	32 NC @ 10 V	± 30V	622 pf @ 100 V	-	69W (TC)
SUP50N03-5M1P-GE3	-	RFQ	4450	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SUP50	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal	30 V	50A (TC)	4.5V, 10V	5.1mohm @ 22a, 10v	2.5V @ 250 µA	66 NC @ 10 V	± 20V	2780 pf @ 15 V	-	2.7W (TA), 59.5W (TC)
Sum90140e-ge3	3.0600	RFQ	9684	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Sum90140	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	200 V	90A (TC)	7.5V, 10V	17mohm @ 30a, 10v	4V @ 250 µA	96 NC @ 10 V	± 20V	4132 pf @ 100 V	-	375W (TC)
SIDR610EP-T1-RE3	3.7500	RFQ	4568	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	SIDR610	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8DC	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	200 V	8.9a (TA), 39.6a (TC)	7.5V, 10V	31.9mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 20V	1380 pf @ 100 V	-	7.5W (TA), 150W (TC)