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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)
IRFU9214	-	RFQ	6779	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IRFU9	Mosfet (Óxido de metal)		Un 251AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRFU9214	EAR99	8541.29.0095	75		Canal P	250 V	2.7a (TC)	10V	3ohm @ 1.7a, 10v	4V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 20V	220 pf @ 25 V	-	50W (TC)
Si4992ey-t1-e3	-	RFQ	7042	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4992	Mosfet (Óxido de metal)	1.4w	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)		75V	3.6a		48mohm @ 4.8a, 10V	3V @ 250 µA	21NC @ 10V		-	Puerta de Nivel Lógico
SQSA70CENW-T1_GE3	0.9900	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8W		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8W	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	150 V	18a (TC)	10V	68.5mohm @ 7a, 10v	3.5V @ 250 µA	12 NC @ 10 V	± 20V	540 pf @ 25 V	-	62.5W (TC)
SI4425BDY-T1-GE3	1.9500	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4425	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	30 V	8.8a (TA)	4.5V, 10V	12mohm @ 11.4a, 10V	3V @ 250 µA	100 NC @ 10 V	± 20V		-	1.5W (TA)
SiHLR120-GE3	0.2893	RFQ	2209	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sihlr120	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SiHLR120-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	7.7a (TC)	4V, 5V	270mohm @ 4.6a, 5V	2V @ 250 µA	12 NC @ 5 V	± 10V	490 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
Irfbg20pbf	1.8300	RFQ	3338	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Irfbg20	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		*Irfbg20pbf	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	1000 V	1.4a (TC)	10V	11ohm @ 840mA, 10V	4V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 20V	500 pf @ 25 V	-	54W (TC)
IRF720	-	RFQ	4275	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF720	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF720	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	400 V	3.3a (TC)	10V	1.8ohm @ 2a, 10v	4V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	410 pf @ 25 V	-	50W (TC)
SI4403DDY-T1-GE3	0.4800	RFQ	1630	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen III	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4403	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	20 V	15.4a (TC)	1.8V, 4.5V	14mohm @ 9a, 4.5V	1V @ 250 µA	99 NC @ 8 V	± 8V	3250 pf @ 10 V	-	5W (TC)
IRF730PBF-BE3	1.5700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF730	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)		742-IRF730PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	400 V	5.5a (TC)	10V	1ohm @ 3a, 10v	4V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 25 V	-	74W (TC)
IRFR9020PBF	1.8700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR9020	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	75		Canal P	50 V	9.9a (TC)	10V	280mohm @ 5.7a, 10V	4V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 20V	490 pf @ 25 V	-	42W (TC)
SiHH21N65EF-T1-GE3	6.4800	RFQ	675	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	Sihh21	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 8 x 8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	650 V	19.8a (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	102 NC @ 10 V	± 30V	2396 pf @ 100 V	-	156W (TC)
SI7994DP-T1-GE3	3.7000	RFQ	1087	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8 Dual	Si7994	Mosfet (Óxido de metal)	46W	Powerpak® SO-8 Dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		30V	60A		5.6mohm @ 20a, 10v	3V @ 250 µA	80nc @ 10V		3500pf @ 15V	-
Sqj140elp-t1_ge3	1.3800	RFQ	7822	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar		1 (ilimitado)		742-sqj140elp-t1_ge3tr	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	253A (TC)	4.5V, 10V	2.14mohm @ 15a, 10v	2.2V @ 250 µA	87 NC @ 10 V	± 20V	4665 pf @ 25 V	-	255W (TC)
SI3981DV-T1-GE3	-	RFQ	5843	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	SI3981	Mosfet (Óxido de metal)	800MW	6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal P (Dual)		20V	1.6a		185mohm @ 1.9a, 4.5V	1.1V @ 250 µA	5NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
SUD25N15-52-T4-E3	1.5962	RFQ	1682	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sud25	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	150 V	25A (TC)	6V, 10V	52mohm @ 5a, 10v	4V @ 250 µA	40 NC @ 10 V	± 20V	1725 pf @ 25 V	-	3W (TA), 136W (TC)
SI6983DQ-T1-GE3	-	RFQ	3757	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	Si6983	Mosfet (Óxido de metal)	830MW	8-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal P (Dual)		20V	4.6a		24mohm @ 5.4a, 4.5V	1V @ 400 µA	30NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
IRL620STRR	-	RFQ	5318	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRL620	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	200 V	5.2a (TC)	4V, 10V	800mohm @ 3.1a, 10V	2V @ 250 µA	16 NC @ 5 V	± 10V	360 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 50W (TC)
SI5943DU-T1-GE3	-	RFQ	5749	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® chipfet ™ dual	Si5943	Mosfet (Óxido de metal)	8.3w	Powerpak® chipfet dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal P (Dual)		12V	6A		64mohm @ 3.6a, 4.5V	1V @ 250 µA	15NC @ 8V		460pf @ 6V	Puerta de Nivel Lógico
SIHF12N60E-E3	2.8200	RFQ	8175	Vishay Siliconix	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	SiHF12	Mosfet (Óxido de metal)		Paquete entero de 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		SiHF12N60EE3	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	600 V	12a (TC)	10V	380mohm @ 6a, 10v	4V @ 250 µA	58 NC @ 10 V	± 30V	937 pf @ 100 V	-	33W (TC)
IRFU210	-	RFQ	2611	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	Irfu2	Mosfet (Óxido de metal)		Un 251AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfu210	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal	200 V	2.6a (TC)	10V	1.5ohm @ 1.6a, 10V	4V @ 250 µA	8.2 NC @ 10 V	± 20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SI7804DN-T1-E3	0.5292	RFQ	5330	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	Si7804	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	6.5a (TA)	4.5V, 10V	18.5mohm @ 10a, 10v	1.8V @ 250 µA	13 NC @ 5 V	± 20V		-	1.5W (TA)
SI1016X-T1-E3	-	RFQ	6336	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SI1016	Mosfet (Óxido de metal)	250MW	SC-89 (SOT-563F)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	Vecino del canal		20V	485MA, 370 mA		700mohm @ 600mA, 4.5V	1V @ 250 µA	0.75nc @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
Sir882Adp-T1-GE3	2.5100	RFQ	32	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sir882	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	60A (TC)	4.5V, 10V	8.7mohm @ 20a, 10v	2.8V @ 250 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1975 pf @ 50 V	-	5.4W (TA), 83W (TC)
IRFB18N50K	-	RFQ	2953	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRFB18	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)		*IRFB18N50K	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	500 V	17a (TC)	10V	290mohm @ 10a, 10v	5V @ 250 µA	120 NC @ 10 V	± 30V	2830 pf @ 25 V	-	220W (TC)
IRLR110	-	RFQ	2708	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRLR110	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)		*IRLR110	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	100 V	4.3a (TC)	4V, 5V	540mohm @ 2.6a, 5V	2V @ 250 µA	6.1 NC @ 5 V	± 10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
IRFC430	-	RFQ	8663	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-	-	-	IRFC430	-		-	-		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	1		-		-	-	-	-		-		-	-
SIJ438AdP-T1-GE3	1.6500	RFQ	7316	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	SiJ438	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	45.3a (TA), 169A (TC)	4.5V, 10V	1.35mohm @ 20a, 10v	2.4V @ 250 µA	162 NC @ 10 V	+20V, -16V	7800 pf @ 20 V	-	5W (TA), 69.4W (TC)
SQ2398ES-T1_GE3	0.6300	RFQ	458	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Sq2398	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	1.6a (TC)	10V	300mohm @ 1.5a, 10V	3.5V @ 250 µA	3.4 NC @ 10 V	± 20V	152 pf @ 50 V	-	2W (TC)
Siz710dt-t1-ge3	1.4900	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-PowerPair ™	Siz710	Mosfet (Óxido de metal)	27W, 48W	6-PowerPair ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canales N (Medio Puente)		20V	16a, 35a		6.8mohm @ 19a, 10v	2.2V @ 250 µA	18NC @ 10V		820pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico
SI2319DS-T1-E3	0.7500	RFQ	9520	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Si2319	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P	40 V	2.3a (TA)	4.5V, 10V	82mohm @ 3a, 10v	3V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 20V	470 pf @ 20 V	-	750MW (TA)