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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
SIR826DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir826dp-t1-ge3 2.9400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sir826 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 60A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10v 2.8V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 20V 2900 pf @ 40 V - 6.25W (TA), 104W (TC)
SI7686DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7686DP-T1-GE3 1.5800
RFQ
 ECAD 567 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7686 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 35A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13.8a, 10v 3V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1220 pf @ 15 V - 5W (TA), 37.9W (TC)
SQD40081EL_GE3 Vishay Siliconix SQD40081EL_GE3 1.3700
RFQ
 ECAD 2265 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SQD40081 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 40 V 50A (TC) 10V 8.5mohm @ 25A, 10V 2.5V @ 250 µA 210 NC @ 10 V ± 20V 9950 pf @ 25 V - 71W (TC)
IRFU9220 Vishay Siliconix IRFU9220 -
RFQ
 ECAD 1889 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IRFU9 Mosfet (Óxido de metal) Un 251AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfu9220 EAR99 8541.29.0095 75 Canal P 200 V 3.6a (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 340 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRL640STRRPBF Vishay Siliconix IRL640STRPBF 2.9500
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRL640 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 17a (TC) 4V, 5V 180mohm @ 10a, 5V 2V @ 250 µA 66 NC @ 5 V ± 10V 1800 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 125W (TC)
VQ1004P-E3 Vishay Siliconix VQ1004P-E3 -
RFQ
 ECAD 3635 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto - - - VQ1004 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 - 830 mA (TA) 5V, 10V - - ± 20V - -
SI7107DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7107DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7992 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 Si7107 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 9.8a (TA) 1.8V, 4.5V 10.8mohm @ 15.3a, 4.5V 1V @ 450 µA 44 NC @ 4.5 V ± 8V - 1.5W (TA)
2N4861JAN02 Vishay Siliconix 2N4861JAN02 -
RFQ
 ECAD 5904 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 2N4861 TO-206AA (A 18) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 - -
IRF630STRLPBF Vishay Siliconix IRF630StrlPBF 1.6900
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF630 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 9A (TC) 10V 400mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 800 pf @ 25 V - 3W (TA), 74W (TC)
IRFI740GLC Vishay Siliconix IRFI740GLC -
RFQ
 ECAD 4993 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Irfi740 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFI740GLC EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 400 V 5.7a (TC) 10V 550mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 40W (TC)
IRFR9110TRPBF Vishay Siliconix IRFR9110TRPBF 1.2300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR9110 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 100 V 3.1a (TC) 10V 1.2ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250 µA 8.7 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFI9520G Vishay Siliconix Irfi9520g -
RFQ
 ECAD 1099 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Irfi9520 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfi9520g EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 100 V 5.2a (TC) 10V 600mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 390 pf @ 25 V - 37W (TC)
IRFR9120TRPBF Vishay Siliconix IRFR9120TRPBF 1.4000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR9120 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 100 V 5.6a (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 390 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI5481DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5481DU-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5913 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® chipfet ™ single Si5481 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® chipfet ™ single descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 12a (TC) 1.8V, 4.5V 22mohm @ 6.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 50 NC @ 8 V ± 8V 1610 pf @ 10 V - 3.1W (TA), 17.8W (TC)
SI7898DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7898DP-T1-E3 1.8300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7898 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 3a (TA) 6V, 10V 85mohm @ 3.5a, 10v 4V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V - 1.9W (TA)
IRFP31N50LPBF Vishay Siliconix IRFP31N50LPBF 7.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP31 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *IRFP31N50LPBF EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 500 V 31a (TC) 10V 180mohm @ 19a, 10v 5V @ 250 µA 210 NC @ 10 V ± 30V 5000 pf @ 25 V - 460W (TC)
IRF634STRR Vishay Siliconix Irf634strr -
RFQ
 ECAD 4361 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF634 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 250 V 8.1A (TC) 10V 450mohm @ 5.1a, 10V 4V @ 250 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 770 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 74W (TC)
SI3473CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3473CDV-T1-GE3 0.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Si3473 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 8a (TC) 1.8V, 4.5V 22mohm @ 8.1a, 4.5V 1V @ 250 µA 65 NC @ 8 V ± 8V 2010 PF @ 6 V - 2W (TA), 4.2W (TC)
SI7461DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7461DP-T1-GE3 2.4000
RFQ
 ECAD 6795 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7461 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 8.6a (TA) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 14.4a, 10v 3V @ 250 µA 190 NC @ 10 V ± 20V - 1.9W (TA)
SUP90N08-6M8P-E3 Vishay Siliconix SUP90N08-6M8P-E3 -
RFQ
 ECAD 2120 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SUP90 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 75 V 90A (TC) 10V 6.8mohm @ 20a, 10v 4.5V @ 250 µA 115 NC @ 10 V ± 20V 4620 pf @ 30 V - 3.75W (TA), 272W (TC)
SIHB12N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHB12N65E-GE3 2.9300
RFQ
 ECAD 729 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SiHB12 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 12a (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 30V 1224 pf @ 100 V - 156W (TC)
SI5479DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5479DU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4442 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® chipfet ™ single Si5479 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® chipfet ™ single descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 16a (TC) 1.8V, 4.5V 21mohm @ 6.9a, 4.5V 1V @ 250 µA 51 NC @ 8 V ± 8V 1810 pf @ 6 V - 3.1W (TA), 17.8W (TC)
SIR838DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir838dp-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 3144 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sir838 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 35A (TC) 10V 33mohm @ 8.3a, 10v 4V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 2075 pf @ 75 V - 5.4W (TA), 96W (TC)
SIHD1K4N60E-GE3 Vishay Siliconix SiHD1K4N60E-GE3 1.1600
RFQ
 ECAD 5840 0.00000000 Vishay Siliconix mi Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sihd1 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 4.2a (TC) 10V 1.45ohm @ 500 mA, 10V 5V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 30V 172 pf @ 100 V - 63W (TC)
SI4186DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4186dy-t1-ge3 1.2100
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4186 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 V 35.8a (TC) 4.5V, 10V 2.6mohm @ 15a, 10v 2.4V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 20V 3630 pf @ 10 V - 3W (TA), 6W (TC)
SQD100N04_3M6T4GE3 Vishay Siliconix SQD100N04_3M6T4GE3 0.6985
RFQ
 ECAD 1050 0.00000000 Vishay Siliconix Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sqd100 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SQD100N04_3M6T4GE3TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 3.6mohm @ 20a, 10v 3.5V @ 250 µA 105 NC @ 10 V ± 20V 6700 pf @ 25 V - 136W (TC)
SIHP7N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP7N60E-GE3 2.0900
RFQ
 ECAD 4958 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SiHP7 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) SiHP7N60EGE3 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 680 pf @ 100 V - 78W (TC)
IRFU320PBF Vishay Siliconix Irfu320pbf 1.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Irfu320 Mosfet (Óxido de metal) Un 251AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfu320pbf EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 400 V 3.1a (TC) 10V 1.8ohm @ 1.9a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI5482DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5482DU-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1276 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® chipfet ™ single Si5482 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® chipfet ™ single descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 12a (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 7.4a, 10v 2V @ 250 µA 51 NC @ 10 V ± 12V 1610 pf @ 15 V - 3.1W (TA), 31W (TC)
SIZF300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Sizf300dt-t1-ge3 1.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Sizf300 Mosfet (Óxido de metal) 3.8W (TA), 48W (TC), 4.3W (TA), 74W (TC) 8PowerPair® (6x5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 23a (TA), 75A (TC), 34A (TA), 141A (TC) 4.5mohm @ 10a, 10v, 1.84mohm @ 10a, 10v 2.2V @ 250 µA 22nc @ 10V, 62nc @ 10V 1100pf @ 15V, 3150pf @ 15V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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