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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFP260PBF | 6.5100 |  | 949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP260 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFP260PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 200 V | 46a (TC) | 10V | 55mohm @ 28a, 10v | 4V @ 250 µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 5200 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||
 | IRFZ14SPBF | 1.5200 | | 120 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFZ14 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 10a (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | Sud90330e-be3 | 1.5800 | | 8916 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud90330 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | - | 1 (ilimitado) | 742-SUD90330E-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 200 V | 35.8a (TC) | 7.5V, 10V | 37.5mohm @ 12.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1172 pf @ 100 V | - | 125W (TC) | |||||
 | SIA430DJ-T1-GE3 | - | | 3481 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA430 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 7a, 10v | 3V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | |||||
 | SISA14DN-T1-GE3 | 0.6700 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SISA14 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1450 pf @ 15 V | - | 3.57W (TA), 26.5W (TC) | |||||
| Irfp254pbf | 4.2200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP254 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfp254pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 250 V | 23a (TC) | 10V | 140mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | ||||
 | IRLZ44 | - | | 8627 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRLZ44 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLZ44 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 31a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 3300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
| IRF630StrlPBF | 1.6900 | | 94 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) | |||||
 | SI233333DS-T1-BE3 | 0.8600 | | 1239 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Si233333ds-t1-be3tr | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 4.1a (TA) | 1.8V, 4.5V | 32mohm @ 5.3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 18 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1100 pf @ 6 V | - | 750MW (TA) | ||||||
 | SI5920DC-T1-GE3 | - | | 9081 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | SI5920 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.12W | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 8V | 4A | 32mohm @ 6.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 12NC @ 5V | 680pf @ 4V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | 0.5900 | | 133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS412 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 7.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 435 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 15.6W (TC) | |||||
 | SI1062X-T1-GE3 | 0.4500 | | 4926 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | Si1062 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 530 mA (TA) | 1.5V, 4.5V | 420mohm @ 500 mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 2.7 NC @ 8 V | ± 8V | 43 pf @ 10 V | - | 220MW (TA) | ||||
| IRF540SPBF | 2.3500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF540SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SI7686DP-T1-GE3 | 1.5800 | | 567 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7686 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 13.8a, 10v | 3V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 1220 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 37.9W (TC) | |||||
| Sihg460b-ge3 | 2.4869 | | 3690 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG460 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 250mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 3094 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
| Irf644strr | - | | 6443 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF644 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI4818DY-T1-GE3 | - | | 1534 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4818 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W, 1.25W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 5.3a, 7a | 22mohm @ 6.3a, 10v | 800mv @ 250 µA (min) | 12NC @ 5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI9926CDY-T1-E3 | 1.3200 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9926 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 8A | 18mohm @ 8.3a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 33NC @ 10V | 1200pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| Si4539ady-t1-ge3 | - | | 7144 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4539 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 4.4a, 3.7a | 36mohm @ 5.9a, 10V | 1V @ 250 µA (min) | 20NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SUD19P06-60L-E3 | 1.3200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud19 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 19a (TC) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1710 pf @ 25 V | - | 2.7W (TA), 46W (TC) | |||||
 | SQJQ131EL-T1_GE3 | 3.3300 | | 3247 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQJQ131EL-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 30 V | 280a (TC) | 4.5V, 10V | 1.4mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 731 NC @ 10 V | ± 20V | 33050 pf @ 15 V | - | 600W (TC) | |||||
| SIA468DJ-T1-GE3 | 0.6600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA468 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 37.8a (TC) | 4.5V, 10V | 8.4mohm @ 11a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 16 NC @ 4.5 V | +20V, -16V | 1290 pf @ 15 V | - | 19W (TC) | |||||
 | Irld014pbf | 1.5600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irld014 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irld014pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 60 V | 1.7a (TA) | 4V, 5V | 200mohm @ 1a, 5V | 2V @ 250 µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||
 | IRFR110TRLPBF | 1.3900 | | 3865 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 10V | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||
 | Sqj123elp-t1_ge3 | 1.5800 | | 7998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-sqj123elp-t1_ge3ct | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 238a (TC) | 1.8V, 4.5V | 4mohm @ 10a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 180 NC @ 4.5 V | ± 8V | 11680 pf @ 6 V | - | 375W (TC) | |||||
 | Irfu420pbf | 1.3400 | | 9016 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU420 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu420pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| Sir120DP-T1-RE3 | 1.7100 | | 579 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir120 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 24.7a (TA), 106a (TC) | 7.5V, 10V | 3.55mohm @ 15a, 10V | 3.5V @ 250 µA | 94 NC @ 10 V | ± 20V | 4150 pf @ 40 V | - | 5.4W (TA), 100W (TC) | |||||
| Sir892dp-t1-ge3 | - | | 7795 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir892 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 10a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2645 pf @ 10 V | - | 5W (TA), 50W (TC) | |||||
| Si4850EY-T1 | - | | 5176 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4850 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 6a (TA) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 6a, 10v | 3V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.7w (TA) | |||||
| SIHG47N60EF-GE3 | 9.9500 | | 492 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg47 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 67mohm @ 24a, 10v | 4V @ 250 µA | 225 NC @ 10 V | ± 30V | 4854 pf @ 100 V | - | 379W (TC) |
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