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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7495DP-T1-E3 | - |  | 5532 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7495 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 13a (TA) | 1.8V, 4.5V | 6.5mohm @ 21a, 4.5V | 900mv @ 1 MMA | 140 NC @ 5 V | ± 8V | - | 1.8w (TA) | |||||
 | SISF00DN-T1-GE3 | 1.4700 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SCD Dual | SISF00 | Mosfet (Óxido de metal) | 69.4W (TC) | Powerpak® 1212-8SCD Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 30V | 60A (TC) | 5mohm @ 10a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 53nc @ 10V | 2700pf @ 15V | - | |||||||
 | SQJQ410el-T1_GE3 | 3.0300 | | 780 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | Sqjq410 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 135A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 7350 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
 | SIA427AdJ-T1-GE3 | 0.5500 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA427 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 12a (TC) | 1.2V, 4.5V | 16mohm @ 8.2a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 50 NC @ 5 V | ± 5V | 2300 pf @ 4 V | - | 19W (TC) | |||||
 | SI8429DB-T1-E1 | 1.0400 | | 29 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8429 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 11.7a (TC) | 1.2V, 4.5V | 35mohm @ 1a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 26 NC @ 5 V | ± 5V | 1640 pf @ 4 V | - | 2.77W (TA), 6.25W (TC) | ||||
| SIA432DJ-T1-GE3 | 1.1100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA432 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 6a, 10v | 3V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | |||||
 | Si9934bdy-t1-ge3 | - | | 3322 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9934 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 4.8a | 35mohm @ 6.4a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 20NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Si4324dy-t1-ge3 | - | | 5835 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4324 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 85 NC @ 10 V | ± 20V | 3510 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | ||||
 | SI7540DP-T1-E3 | - | | 9589 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7540 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 12V | 7.6a, 5.7a | 17mohm @ 11.8a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 17NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Sir770DP-T1-GE3 | 1.1800 | | 7601 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sir770 | Mosfet (Óxido de metal) | 17.8w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 21mohm @ 8a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 21NC @ 10V | 900pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SiHH155N60EF-T1GE3 | 5.4300 | | 3136 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh155 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 18a (TC) | 10V | 155mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1465 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | ||||||
| Sir422dp-t1-ge3 | 1.1800 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir422 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 6.6mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 1785 pf @ 20 V | - | 5W (TA), 34.7W (TC) | |||||
 | Irfr9014ntr | - | | 1970 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | IRFI840GLCPBF | 2.9600 | | 725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi840 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFI840GLCPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 4.5A (TC) | 10V | 850mohm @ 2.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
 | SI5858DU-T1-GE3 | - | | 9214 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | SI5858 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet ™ single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6a (TC) | 1.8V, 4.5V | 39mohm @ 4.4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 16 NC @ 8 V | ± 8V | 520 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2.3W (TA), 8.3W (TC) | ||||
 | SQ1464EEH-T1_GE3 | 0.5000 | | 41 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Sq1464 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 440MA (TC) | 1.5V | 1.41ohm @ 2a, 1.5V | 1V @ 250 µA | 4.1 NC @ 4.5 V | ± 8V | 140 pf @ 25 V | - | 430MW (TC) | |||||
 | IRF644NSPBF | - | | 5575 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF644 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf644nspbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 240mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
 | SQJ443EP-T1_GE3 | 1.4100 | | 3995 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj443 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 29mohm @ 18a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 2030 pf @ 20 V | - | 83W (TC) | |||||
| IRFR224 | - | | 1277 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR224 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR224 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 250 V | 3.8a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
| Sir826dp-t1-ge3 | 2.9400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir826 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 2900 pf @ 40 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | 2N6661JTVP02 | - | | 3800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N6661 | Mosfet (Óxido de metal) | To-39 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 90 V | 860MA (TC) | 5V, 10V | 4ohm @ 1a, 10v | 2v @ 1 mapa | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6.25W (TC) | |||||
 | SiHG32N50D-GE3 | 5.2700 | | 2788 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG32 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHG32N50DGE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 30A (TC) | 10V | 150mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 96 NC @ 10 V | ± 30V | 2550 pf @ 100 V | - | 390W (TC) | ||||
 | IRL3102L | - | | 6155 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRL3102 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3102L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 61a (TC) | 4.5V, 7V | 13mohm @ 37a, 7v | 700mV @ 250 µA (min) | 58 NC @ 4.5 V | ± 10V | 2500 pf @ 15 V | - | 89W (TC) | |||
 | SI3430DV-T1-E3 | 1.2500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SI3430 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 1.8a (TA) | 6V, 10V | 170mohm @ 2.4a, 10v | 2V @ 250 µA (min) | 6.6 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||
| IRL510Strr | - | | 4949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL510 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 3.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||
 | IRFB11N50A | - | | 4577 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB11 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfb11n50a | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||
| SIHP17N60D-GE3 | 1.7493 | | 7824 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP17 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 17a (TC) | 10V | 340mohm @ 8a, 10v | 5V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 30V | 1780 pf @ 100 V | - | 277.8W (TC) | |||||
| Si4890bdy-t1-e3 | - | | 6520 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4890 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 10a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 25V | 1535 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||
| SIA468DJ-T1-GE3 | 0.6600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA468 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 37.8a (TC) | 4.5V, 10V | 8.4mohm @ 11a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 16 NC @ 4.5 V | +20V, -16V | 1290 pf @ 15 V | - | 19W (TC) | |||||
 | SISS10DN-T1-GE3 | 1.0200 | | 5890 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | Siss10 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.65mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3750 pf @ 20 V | - | 57W (TC) |
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