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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF9Z24Strl | - |  | 2058 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 11a (TC) | 10V | 280mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
 | SiHH21N65E-T1-GE3 | 3.3167 | | 8400 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh21 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 650 V | 20.3a (TC) | 10V | 170mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 99 NC @ 10 V | ± 30V | 2404 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
 | SI7106DN-T1-GE3 | 1.5600 | | 922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SI7106 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 12.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 6.2mohm @ 19.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 27 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | IRFU9214 | - | | 6779 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFU9214 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||
 | SI5457DC-T1-GE3 | 0.5700 | | 74 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5457 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 6a (TC) | 2.5V, 4.5V | 36mohm @ 4.9a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 12V | 1000 pf @ 10 V | - | 5.7W (TC) | ||||
| IRF820S | - | | 8597 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF820 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF820S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||
 | IRF9Z14PBF-BE3 | 1.2900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9Z14 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF9Z14PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 6.7a (TC) | 500mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||||
 | SiHG16N50C-E3 | 4.5900 | | 5230 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg16 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 380mohm @ 8a, 10v | 5V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 30V | 1900 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||
 | Irfbe30lpbf | 2.8500 | | 1665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Irfbe30 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
| SIHP35N60EF-GE3 | 6.3500 | | 6869 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP35 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 32A (TC) | 10V | 97mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 134 NC @ 10 V | ± 30V | 2568 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | IRF740A | - | | 6797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF740A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||
 | SI2316BDS-T1-E3 | 0.5900 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2316 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4.5A (TC) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 3.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 9.6 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA), 1.66W (TC) | ||||
 | Si4925bdy-t1-e3 | 1.4600 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4925 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 5.3a | 25mohm @ 7.1a, 10v | 3V @ 250 µA | 50nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | Irfiz24g | - | | 9931 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfiz24 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfiz24g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | |||
| SiHG32N50D-GE3 | 5.2700 | | 2788 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG32 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHG32N50DGE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 30A (TC) | 10V | 150mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 96 NC @ 10 V | ± 30V | 2550 pf @ 100 V | - | 390W (TC) | ||||
| SI7411DN-T1-E3 | - | | 5353 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7411 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 7.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 19mohm @ 11.4a, 4.5V | 1V @ 300 µA | 41 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||||
| IRFPG30 | - | | 9904 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPG30 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFPG30 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 1000 V | 3.1a (TC) | 10V | 5ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 980 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||
 | SQJ992EP-T1_GE3 | 1.3900 | | 5070 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ992 | Mosfet (Óxido de metal) | 34W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 15A | 56.2mohm @ 3.7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 446pf @ 30V | - | |||||||
| Irfpe40pbf | 4.3900 | | 7904 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Irfpe40 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfpe40pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 800 V | 5.4a (TC) | 10V | 2ohm @ 3.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
 | SQJQ141EL-T1_GE3 | 3.4200 | | 6581 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQJQ141EL-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 40 V | 390a (TC) | 4.5V, 10V | 2mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 731 NC @ 10 V | ± 20V | 62190 pf @ 25 V | - | 600W (TC) | |||||
| Irf614l | - | | 2502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF614 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irf614l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 2ohm @ 1.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | - | ||||
 | V30434-T1-GE3 | - | | 5916 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | V30434 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | SI7392Adp-T1-E3 | - | | 7249 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7392 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 12.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1465 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 27.5W (TC) | ||||
| Irfi620 | - | | 8489 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi620 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irfi620 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 4.1a (TC) | 10V | 800mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||
 | SIHP23N60E-BE3 | 3.2300 | | 999 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 23a (TC) | 10V | 158mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 30V | 2418 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||||
| Si4410bdy-t1-e3 | - | | 8121 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4410 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 7.5a (TA) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.4W (TA) | ||||||
 | Sish625dn-t1-ge3 | 0.6300 | | 8685 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Sish625 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 17.3a (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 126 NC @ 10 V | ± 20V | 4427 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | IRFR120PBF-BE3 | 1.2300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFR120PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 V | 7.7a (TC) | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||
 | SQ4483EY-T1_GE3 | 1.5100 | | 5274 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4483 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 113 NC @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 15 V | - | 7W (TC) | ||||||
| SI5915BDC-T1-E3 | - | | 3698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5915 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 8V | 4A | 70mohm @ 3.3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14nc @ 8V | 420pf @ 4V | Puerta de Nivel Lógico |
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