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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irfi644g | - |  | 7730 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi644 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi644g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 250 V | 7.9a (TC) | 10V | 280mohm @ 4.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||
 | SI8472DB-T2-E1 | 0.5600 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA | Si8472 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-Micro Foot® (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 3.3a (TA) | 1.5V, 4.5V | 44mohm @ 1.5a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 18 NC @ 8 V | ± 8V | 630 pf @ 10 V | - | 780MW (TA) | ||||
 | SI2301CDS-T1-GE3 | 0.3900 | | 339 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2301 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.1a (TC) | 2.5V, 4.5V | 112mohm @ 2.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 10 NC @ 4.5 V | ± 8V | 405 pf @ 10 V | - | 860MW (TA), 1.6W (TC) | ||||
 | SIA445EDJ-T1-GE3 | 0.6400 | | 285 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA445 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 12a (TC) | 2.5V, 4.5V | 16.5mohm @ 7a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 12V | 2130 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | Si4466dy-t1-ge3 | - | | 5587 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4466 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 9.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 9mohm @ 13.5a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 60 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SI2399DS-T1-BE3 | 0.5100 | | 5804 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI2399DS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 5.1a (TA), 6a (TC) | 2.5V, 10V | 34mohm @ 5.1a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 20 NC @ 4.5 V | ± 12V | 835 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | ||||||
 | SUM33N20-60P-E3 | - | | 2669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum33 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 33A (TC) | 10V, 15V | 59mohm @ 20a, 15V | 4.5V @ 250 µA | 113 NC @ 15 V | ± 25V | 2735 pf @ 25 V | - | 3.12W (TA), 156W (TC) | ||||
| SQM40081EL_GE3 | 1.7900 | | 8318 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM40081 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 25A, 10V | 2.5V @ 250 µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 9950 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | |||||
 | SIB412DK-T1-E3 | - | | 7233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB412 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 9A (TC) | 1.8V, 4.5V | 34mohm @ 6.6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 10.16 NC @ 5 V | ± 8V | 535 pf @ 10 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||
 | SIRA52DP-T1-GE3 | 1.3900 | | 9699 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira52 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | +20V, -16V | 7150 pf @ 20 V | - | 48W (TC) | |||||
| SIA439EDJ-T1-GE3 | - | | 8077 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA439 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 28a (TC) | 1.8V, 4.5V | 16.5mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 69 NC @ 8 V | ± 8V | 2410 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | IRF737LCS | - | | 5183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF737 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF737LCS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 300 V | 6.1a (TC) | 10V | 750mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | - | |||
 | IRFR010TRPBF | 0.6218 | | 4260 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR010 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 50 V | 8.2a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||
| SI2343DS-T1-GE3 | 0.6300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2343 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 3.1a (TA) | 10V | 53mohm @ 4a, 10v | 3V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 15 V | - | 750MW (TA) | ||||
 | SQJ560EP-T1_GE3 | 1.4800 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ560 | Mosfet (Óxido de metal) | 34W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 60V | 30A (TC), 18A (TC) | 12mohm @ 10a, 10v, 52.6mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30nc @ 10V, 45nc @ 10V | 1650pf @ 25V | - | |||||||
 | IRFP360LC | - | | 3655 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP360 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP360LC | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 400 V | 23a (TC) | 10V | 200mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 3400 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||
| Si4563dy-t1-e3 | - | | 6498 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4563 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.25W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 40V | 8A | 16mohm @ 5a, 10v | 2V @ 250 µA | 85nc @ 10V | 2390pf @ 20V | - | ||||||
| SI4425BDY-T1-GE3 | 1.9500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4425 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 8.8a (TA) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 11.4a, 10V | 3V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| SQM120N04-1M9_GE3 | 2.1090 | | 2922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm120 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 10V | 1.9mohm @ 30a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 8790 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||
 | Sq7415aenw-t1_ge3 | - | | 3682 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sq7415 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 5.7a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1385 pf @ 25 V | - | 53W (TC) | |||||
| Irfiz24gpbf | 1.7900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfiz24 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfiz24gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | ||||
| IRFBC30As | - | | 5193 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC30 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFBC30As | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 510 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||
 | SIE864DF-T1-GE3 | - | | 3559 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (u) | SIE864 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (u) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 45a (TC) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1510 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 25W (TC) | |||||
| IRL640Strl | - | | 7857 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL640 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 17a (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| Si4322dy-t1-e3 | - | | 7011 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4322 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1640 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 5.4W (TC) | ||||
| SQJ946EP-T1_GE3 | 0.9100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqj946 | Mosfet (Óxido de metal) | 27W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 15A (TC) | 33mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 20NC @ 10V | 600pf @ 25V | - | |||||||
 | IRF734 | - | | 1421 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF734 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *IRF734 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 450 V | 4.9a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
| SI2309CDS-T1-GE3 | 0.5500 | | 83 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2309 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 1.6a (TC) | 4.5V, 10V | 345mohm @ 1.25a, 10V | 3V @ 250 µA | 4.1 NC @ 4.5 V | ± 20V | 210 pf @ 30 V | - | 1W (TA), 1.7W (TC) | ||||
 | Irf734l | - | | 3534 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF734 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irf734l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 450 V | 4.9a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | - | ||||
| SiHG47N60E-E3 | 9.7500 | | 485 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg47 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHG47N60EE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 64mohm @ 24a, 10v | 4V @ 250 µA | 220 NC @ 10 V | ± 30V | 9620 pf @ 100 V | - | 357W (TC) |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
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