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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7868AdP-T1-E3 | 4.5100 |  | 6386 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7868 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.25mohm @ 20a, 10v | 1.6V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 16V | 6110 pf @ 10 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
 | SI3460DV-T1-E3 | - | | 7192 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3460 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 5.1a (TA) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 5.1a, 4.5V | 450MV @ 1MA (min) | 20 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.1W (TA) | ||||||
 | Irfbe30strr | - | | 9364 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfbe30 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
 | SI7123DN-T1-GE3 | - | | 6245 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7123 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 10.2a (TA) | 1.8V, 4.5V | 10.6mohm @ 15a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 90 NC @ 4.5 V | ± 8V | 3729 pf @ 10 V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SI4128DY-T1-E3 | 0.6300 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4128 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 10.9a (TA) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 7.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 435 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SiHG80N60E-GE3 | 11.9600 | | 9998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg80 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 80a (TC) | 10V | 30mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250 µA | 443 NC @ 10 V | ± 30V | 6900 pf @ 100 V | - | 520W (TC) | |||||
 | TP0610K-T1-GE3 | 0.4900 | | 227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | TP0610 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 185MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 500 mA, 10V | 3V @ 250 µA | 1.7 NC @ 15 V | ± 20V | 23 pf @ 25 V | - | 350MW (TA) | ||||
 | SUM110N10-09-E3 | 3.9100 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum110 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 110A (TC) | 10V | 9.5mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 6700 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | |||||
 | SI7111EDN-T1-GE3 | 0.6300 | | 3693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7111 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 60A (TC) | 2.5V, 4.5V | 8.55mohm @ 15a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 46 NC @ 2.5 V | ± 12V | 5860 pf @ 15 V | - | 52W (TC) | |||||
 | IRF840LC | - | | 3579 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *IRF840LC | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
| SI3438DV-T1-E3 | 1.1100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3438 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 7.4a (TC) | 4.5V, 10V | 35.5mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 20 V | - | 2W (TA), 3.5W (TC) | |||||
| SQM120P10_10M1LGE3 | 3.8400 | | 5117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm120 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 100 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 10.1mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 190 NC @ 10 V | ± 20V | 9000 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||
 | SIE832DF-T1-GE3 | - | | 5622 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (s) | SIE832 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (s) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 3800 pf @ 20 V | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | |||||
 | Irfr1n60atrr | - | | 8416 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR1 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||
 | SISS08DN-T1-GE3 | 1.1400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS08 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 53.9a (TA), 195.5a (TC) | 4.5V, 10V | 1.23mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 82 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3670 pf @ 12.5 V | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | |||||
| IRF840LCSPBF | 1.5567 | | 8924 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
 | Irfi644gpbf | 2.9500 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi644 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfi644gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 7.9a (TC) | 10V | 280mohm @ 4.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
| SI7806Adn-T1-E3 | 1.4600 | | 3811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7806 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 9a (TA) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| IRL640Strl | - | | 7857 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL640 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 17a (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| SI4202DY-T1-GE3 | 1.3900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4202 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.7w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 12.1a | 14mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 17NC @ 10V | 710pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| IRFR010 | - | | 8887 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR010 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR010 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 50 V | 8.2a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||
 | SIDR626LDP-T1-RE3 | 3.0400 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR626 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-sidr626ldp-t1-re3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 45.6a (TA), 2.4a (TC) | 4.5V, 10V | 1.5mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 5900 pf @ 30 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | ||||
| Irfib6n60a | - | | 1946 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfib6 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfib6n60a | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 5.5a (TC) | 10V | 750mohm @ 3.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||
| SI7405BDN-T1-GE3 | - | | 3273 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7405 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 16a (TC) | 1.8V, 4.5V | 13mohm @ 13.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 115 NC @ 8 V | ± 8V | 3500 pf @ 6 V | - | 3.6W (TA), 33W (TC) | |||||
 | SiHF520Strl-Ge3 | 0.5608 | | 3677 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHF520 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHF520Strl-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 9.2a (TC) | 10V | 270mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
| Si4561dy-T1-E3 | - | | 6668 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4561 | Mosfet (Óxido de metal) | 3W, 3.3W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 40V | 6.8a, 7.2a | 35.5mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 20NC @ 10V | 640pf @ 20V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI6463BDQ-T1-GE3 | - | | 3319 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6463 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 6.2a (TA) | 15mohm @ 7.4a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 60 NC @ 5 V | - | |||||||||
| IRF9540S | - | | 3034 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9540S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 19a (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||
 | SiHFR430ATRL-GE3 | 0.4263 | | 5203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHFR430 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHFR430ATRL-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.7ohm @ 3a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||
| Irfi630gpbf | 2.9500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi630 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfi630gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 5.9a (TC) | 10V | 400mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 35W (TC) |
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