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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)
SIE844DF-T1-E3	-	RFQ	7044	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	10-polarpak® (u)	SIE844	Mosfet (Óxido de metal)		10-polarpak® (u)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	44.5a (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 12.1a, 10v	3V @ 250 µA	44 NC @ 10 V	± 20V	2150 pf @ 15 V	-	5.2W (TA), 25W (TC)
Si9407BDY-T1-E3	1.3900	RFQ	958	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si9407	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	60 V	4.7a (TC)	4.5V, 10V	120mohm @ 3.2a, 10V	3V @ 250 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	600 pf @ 30 V	-	5W (TC)
SI1308EDL-T1-GE3	0.4600	RFQ	68	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	Si1308	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	30 V	1.4a (TC)	2.5V, 10V	132mohm @ 1.4a, 10V	1.5V @ 250 µA	4.1 NC @ 10 V	± 12V	105 pf @ 15 V	-	400MW (TA), 500MW (TC)
Irf9z14strl	-	RFQ	1946	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF9	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		Canal P	60 V	6.7a (TC)	10V	500mohm @ 4a, 10v	4V @ 250 µA	12 NC @ 10 V	± 20V	270 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 43W (TC)
Irfibg20g	-	RFQ	1680	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	Irfibg20	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)		*Irfibg20g	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	1000 V	-		-	-				-	-
IRFP9140PBF	2.9600	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRFP9140	Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		*Irfp9140pbf	EAR99	8541.29.0095	25		Canal P	100 V	21a (TC)	10V	200mohm @ 13a, 10v	4V @ 250 µA	61 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	180W (TC)
SI7633DP-T1-GE3	1.6700	RFQ	4392	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Si7633	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	60A (TC)	4.5V, 10V	3.3mohm @ 20a, 10v	3V @ 250 µA	260 NC @ 10 V	± 20V	9500 pf @ 10 V	-	6.25W (TA), 104W (TC)
IRF644NSPBF	-	RFQ	5575	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF644	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irf644nspbf	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	250 V	14a (TC)	10V	240mohm @ 8.4a, 10v	4V @ 250 µA	54 NC @ 10 V	± 20V	1060 pf @ 25 V	-	150W (TC)
SI2303CDS-T1-GE3	0.4500	RFQ	115	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	SI2303	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	30 V	2.7a (TC)	4.5V, 10V	190mohm @ 1.9a, 10v	3V @ 250 µA	8 NC @ 10 V	± 20V	155 pf @ 15 V	-	1W (TA), 2.3W (TC)
SI7860AdP-T1-GE3	-	RFQ	1441	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Si7860	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	11a (TA)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 16a, 10v	3V @ 250 µA	18 NC @ 4.5 V	± 20V		-	1.8w (TA)
SQD100N03-3M4_GE3	1.6100	RFQ	8822	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sqd100	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	30 V	100A (TC)	10V	3.4mohm @ 20a, 10v	3.5V @ 250 µA	124 NC @ 10 V	± 20V	7349 pf @ 15 V	-	136W (TC)
SI7309DN-T1-GE3	1.0400	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	SI7309	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	60 V	8a (TC)	4.5V, 10V	115mohm @ 3.9a, 10v	3V @ 250 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	600 pf @ 30 V	-	3.2W (TA), 19.8W (TC)
Irfp340pbf	5.1700	RFQ	999	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRFP340	Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	25		N-canal	400 V	11a (TC)	10V	550mohm @ 6.6a, 10v	4V @ 250 µA	62 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	150W (TC)
SI7900AEDN-T1-E3	1.7000	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8 dual	Si7900	Mosfet (Óxido de metal)	1.5w	Powerpak® 1212-8 dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canales (dual) Drenaje Común		20V	6A		26mohm @ 8.5a, 4.5V	900MV @ 250 µA	16NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
SI4862DY-T1-GE3	-	RFQ	9308	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4862	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	16 V	17a (TA)	2.5V, 4.5V	3.3mohm @ 25A, 4.5V	600mV @ 250 µA (min)	70 NC @ 4.5 V	± 8V		-	1.6w (TA)
Si4534dy-t1-ge3	1.4100	RFQ	3233	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4534	Mosfet (Óxido de metal)	2W (TA), 3.6W (TC)	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-Si4534dy-t1-ge3tr	EAR99	8541.29.0095	2.500	Vecino del canal		60V	6.2a (TA), 8a (TC), 3a (TA), 4.1a (TC)		29mohm @ 5a, 10v, 120mohm @ 3.1a, 10v	3V @ 250 µA	11NC @ 10V, 22NC @ 10V		420pf @ 30V, 650pf @ 30V	-
IRFB16N60LPBF	-	RFQ	9786	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRFB16	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfb16n60lpbf	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	600 V	16a (TC)	10V	460mohm @ 9a, 10v	5V @ 250 µA	100 NC @ 10 V	± 30V	2720 pf @ 25 V	-	310W (TC)