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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)
SI7886AdP-T1-GE3	-	RFQ	3546	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Si7886	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	15a (TA)	4.5V, 10V	4mohm @ 25A, 10V	1.5V @ 250 µA	60 NC @ 4.5 V	± 12V	6450 pf @ 15 V	-	1.9W (TA)
Siz260dt-t1-ge3	1.2100	RFQ	40	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-PowerWDFN	Siz260	Mosfet (Óxido de metal)	4.3W (TA), 33W (TC)	8-Powerpair® (3.3x3.3)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		80V	8.9a (TA), 24.7a (TC), 8.9a (TA), 24.6a (TC)		24.5mohm @ 10a, 10v, 24.7mohm @ 10a, 10v	2.4V @ 250 µA	27nc @ 10V		820pf @ 40V	-
SiHG47N60AEF-GE3	8.7500	RFQ	2163	Vishay Siliconix	EF	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Sihg47	Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	25		N-canal	600 V	40A (TC)	10V	70mohm @ 23.5a, 10v	4V @ 250 µA	189 NC @ 10 V	± 30V	3576 pf @ 100 V	-	313W (TC)
SI7102DN-T1-E3	-	RFQ	5767	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	Si7102	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	12 V	35A (TC)	2.5V, 4.5V	3.8mohm @ 15a, 4.5V	1V @ 250 µA	110 NC @ 8 V	± 8V	3720 pf @ 6 V	-	3.8W (TA), 52W (TC)
SI4818DY-T1-E3	-	RFQ	7266	Vishay Siliconix	Little Foot®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4818	Mosfet (Óxido de metal)	1W, 1.25W	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)		30V	5.3a, 7a		22mohm @ 6.3a, 10v	800mv @ 250 µA (min)	12NC @ 5V		-	Puerta de Nivel Lógico
Sir124DP-T1-RE3	1.0700	RFQ	38	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sir124	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	80 V	16.1a (TA), 56.8a (TC)	7.5V, 10V	8.4mohm @ 10a, 10v	3.8V @ 250 µA	40 NC @ 10 V	± 20V	1666 pf @ 40 V	-	5W (TA), 62.5W (TC)
SI3464DV-T1-BE3	0.6200	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6		Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	20 V	7.5a (TA), 8a (TC)	1.8V, 4.5V	24mohm @ 7.5a, 4.5V	1V @ 250 µA	18 NC @ 5 V	± 8V	1065 pf @ 10 V	-	2W (TA), 3.6W (TC)
Siz350dt-t1-ge3	1.1300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-PowerWDFN	Siz350	Mosfet (Óxido de metal)	3.7W (TA), 16.7W (TC)	8-Power33 (3x3)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		30V	18.5A (TA), 30A (TC)		6.75mohm @ 15a, 10v	2.4V @ 250 µA	20.3nc @ 10V		940pf @ 15V	-
Irf640strl	-	RFQ	4966	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF640	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	200 V	18a (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	70 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 130W (TC)
SI7911DN-T1-GE3	-	RFQ	5080	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8 dual	SI7911	Mosfet (Óxido de metal)	1.3w	Powerpak® 1212-8 dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal P (Dual)		20V	4.2a		51mohm @ 5.7a, 4.5V	1V @ 250 µA	15NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
IRLU3714TR	-	RFQ	9734	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IRLU3714	Mosfet (Óxido de metal)		Un 251AA	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	75		N-canal	20 V	36A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 18a, 10v	3V @ 250 µA	9.7 NC @ 4.5 V	± 20V	670 pf @ 10 V	-	47W (TC)
SI4340DY-T1-E3	-	RFQ	9910	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	14-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4340	Mosfet (Óxido de metal)	1.14W, 1.43W	14-soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)		20V	7.3a, 9.9a		12mohm @ 9.6a, 10V	2V @ 250 µA	15NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
VQ1006P-E3	-	RFQ	2870	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	-	VQ1006	Mosfet (Óxido de metal)	2W	14 DIPP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25	4 Canal N		90V	400mA		4.5ohm @ 1a, 10v	2.5V @ 1MA	-		60pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
SI6981DQ-T1-E3	-	RFQ	9611	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	Si6981	Mosfet (Óxido de metal)	830MW	8-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal P (Dual)		20V	4.1a		31mohm @ 4.8a, 4.5V	900mv @ 300 µA	25NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
Irfp344pbf	-	RFQ	8743	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRFP344	Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfp344pbf	EAR99	8541.29.0095	500		N-canal	450 V	9.5A (TC)	10V	630mohm @ 5.7a, 10V	4V @ 250 µA	80 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	150W (TC)
SI7114DN-T1-GE3	0.8005	RFQ	8612	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	Si7114	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	11.7a (TA)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 18.3a, 10v	3V @ 250 µA	19 NC @ 4.5 V	± 20V		-	1.5W (TA)
IRL520Strl	-	RFQ	1494	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRL520	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	100 V	9.2a (TC)	4V, 5V	270mohm @ 5.5a, 5V	2V @ 250 µA	12 NC @ 5 V	± 10V	490 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 60W (TC)
SIE726DF-T1-E3	-	RFQ	7122	Vishay Siliconix	Skyfet®, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	10-polarpak® (l)	SIE726	Mosfet (Óxido de metal)		10-polarpak® (l)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	60A (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 25A, 10V	3V @ 250 µA	160 NC @ 10 V	± 20V	7400 pf @ 15 V	-	5.2W (TA), 125W (TC)
SI6924AEDQ-T1-E3	-	RFQ	2812	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	Si6924	Mosfet (Óxido de metal)	1W	8-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canales (dual) Drenaje Común		28 V	4.1a		33mohm @ 4.6a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	10NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
Si4947ady-t1-ge3	-	RFQ	6959	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4947	Mosfet (Óxido de metal)	1.2w	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal P (Dual)		30V	3A		80mohm @ 3.9a, 10v	1V @ 250 µA (min)	8NC @ 5V		-	Puerta de Nivel Lógico
SI7450DP-T1-GE3	2.9000	RFQ	480	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Si7450	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	200 V	3.2a (TA)	6V, 10V	80mohm @ 4a, 10v	4.5V @ 250 µA	42 NC @ 10 V	± 20V		-	1.9W (TA)
Sir5211dp-t1-ge3	0.9300	RFQ	8048	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	31.2a (TA), 105A (TC)	2.5V, 10V	3.2mohm @ 10a, 10v	1.5V @ 250 µA	158 NC @ 10 V	± 12V	6700 pf @ 10 V	-	5W (TA), 56.8W (TC)
SI7726DN-T1-GE3	0.3822	RFQ	8983	Vishay Siliconix	Skyfet®, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	Si7726	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	35A (TC)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 10a, 10v	2.6V @ 250 µA	43 NC @ 10 V	± 20V	1765 pf @ 15 V	-	3.8W (TA), 52W (TC)
SIZF5300DT-T1-GE3	2.0700	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen V	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	12-PowerPair ™	Sizf5300	Mosfet (Óxido de metal)	4.5W (TA), 56.8W (TC)	Powerpair® 3x3fs	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Fuente Común de Canal N (Dual)		30V	35A (TA), 125A (TC)		2.43mohm @ 10a, 10v	2V @ 250 µA	32NC @ 10V		1480pf @ 15V	-
SQJA88EP-T1_BE3	0.9600	RFQ	2205	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar		1 (ilimitado)		742-SQJA88EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	30A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 8a, 10v	2.5V @ 250 µA	35 NC @ 10 V	± 20V	1800 pf @ 25 V	-	48W (TC)
SI1467DH-T1-BE3	0.6700	RFQ	9484	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1467	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	742-Si1467DH-T1-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	3A (TA), 2.7A (TC)		90mohm @ 2a, 4.5V	1V @ 250 µA	13.5 NC @ 4.5 V	± 8V	561 pf @ 10 V	-	1.5W (TA), 2.78W (TC)
SI7407DN-T1-E3	-	RFQ	8034	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	Si7407	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	12 V	9.9a (TA)	1.8V, 4.5V	12mohm @ 15.6a, 4.5V	1V @ 400 µA	59 NC @ 4.5 V	± 8V		-	1.5W (TA)
SIHB15N80AE-GE3	2.7300	RFQ	990	Vishay Siliconix	mi	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SiHB15	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SiHB15N80AE-GE3	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	800 V	13a (TC)	10V	350mohm @ 7.5a, 10V	4V @ 250 µA	53 NC @ 10 V	± 30V	1093 pf @ 100 V	-	156W (TC)
SI3127DV-T1-GE3	0.4800	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Si3127	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	60 V	3.5a (TA), 13a (TC)	4.5V, 10V	89mohm @ 1.5a, 4.5V	3V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	833 pf @ 20 V	-	2W (TA), 4.2W (TC)
SIS472Adn-T1-GE3	0.1714	RFQ	7351	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	SIS472	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	24a (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 10a, 10v	2.4V @ 250 µA	44 NC @ 10 V	± 20V	1515 pf @ 15 V	-	28W (TC)