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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sir108DP-T1-RE3 | 1.7100 |  | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir108 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 12.4a (TA), 45A (TC) | 7.5V, 10V | 13.5mohm @ 10a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 41.5 NC @ 10 V | ± 20V | 2060 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | ||||||||
 | SI4484EY-T1-GE3 | - | | 2659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4484 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 4.8a (TA) | 6V, 10V | 34mohm @ 6.9a, 10V | 2V @ 250 µA (min) | 30 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | ||||||||
 | SST4416-T1-E3 | - | | 4154 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST4416 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 2.2pf @ 15V | 30 V | 5 Ma @ 15 V | 3 V @ 1 Na | |||||||||||||
 | SIS438DN-T1-GE3 | 0.8500 | | 67 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS438 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 10a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 880 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 27.7W (TC) | ||||||||
| Si4062dy-t1-ge3 | 1.7500 | | 7684 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4062 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 32.1a (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 20a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 3175 pf @ 30 V | - | 7.8W (TC) | |||||||||
 | Siha186n60ef-ge3 | 2.8600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha186 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Siha186n60ef-ge3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 8.4a (TC) | 10V | 193mohm @ 9.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 1081 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | ||||||||
| SI7413DN-T1-GE3 | - | | 3638 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7413 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 8.4a (TA) | 1.8V, 4.5V | 15mohm @ 13.2a, 4.5V | 1V @ 400 µA | 51 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | ||||||||
 | SI5441DC-T1-E3 | - | | 4826 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | SI5441 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.9a (TA) | 2.5V, 4.5V | 55mohm @ 3.9a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 22 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.3W (TA) | ||||||||
 | Irfu224pbf | 1.5600 | | 9180 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Irfu224 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu224pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 250 V | 3.8a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||
 | SiHFR9310-GE3 | 0.3091 | | 3932 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHFR9310 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHFR9310-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 400 V | 1.8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||
 | V30368-T1-E3 | - | | 1524 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | V30368 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||
 | IRFR1N60A | - | | 5593 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR1 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfr1n60a | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||||
 | IRF9620S | - | | 3893 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9620 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9620S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 200 V | 3.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 40W (TC) | ||||||
 | SI1917EDH-T1-E3 | - | | 9386 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1917 | Mosfet (Óxido de metal) | 570MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 1A | 370mohm @ 1a, 4.5V | 450MV @ 100 µA (min) | 2NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | Si6968bedq-t1-e3 | 1.3900 | | 292 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6968 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 20V | 5.2a | 22mohm @ 6.5a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 18NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
| Sir404dp-t1-ge3 | 2.0100 | | 29 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir404 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 60A (TC) | 2.5V, 10V | 1.6mohm @ 20a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 97 NC @ 4.5 V | ± 12V | 8130 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||||
| IRFR420TRLPBF | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR420 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||||
 | SIRC10DP-T1-GE3 | 0.8700 | | 5369 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sirc10 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1873 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Cuerpo) | 43W (TC) | ||||||||
 | Irfi624g | - | | 8475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi624 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi624g | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 3.4a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||||
| SQ3418AEEV-T1_GE3 | 0.3929 | | 2137 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Sq3418 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 8A | 4.5V, 10V | 35mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 3.5 NC @ 4.5 V | ± 20V | 528 pf @ 25 V | - | 5W (TC) | ||||||||
 | SI1315DL-T1-GE3 | - | | 6078 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1315 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 900 mA (TC) | 1.8V, 4.5V | 336mohm @ 800 mA, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 3.4 NC @ 4.5 V | ± 8V | 112 pf @ 4 V | - | 300MW (TA), 400MW (TC) | |||||||
| SI1307EDL-T1-E3 | - | | 9881 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1307 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 850mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 290mohm @ 1a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 5 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 290MW (TA) | ||||||||
 | SI7236DP-T1-GE3 | - | | 3838 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7236 | Mosfet (Óxido de metal) | 46W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 60A | 5.2mohm @ 20.7a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 105nc @ 10V | 4000PF @ 10V | - | ||||||||||
 | SIA436DJ-T4-GE3 | 0.2467 | | 2153 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA436 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-sia436dj-t4-ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 12a (TC) | 1.2V, 4.5V | 9.4mohm @ 15.7a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 25.2 NC @ 5 V | ± 5V | 1508 pf @ 4 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||||
| IRFU9020 | - | | 9928 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfu9020 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 50 V | 9.9a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | ||||||
| SiHD3N50D-GE3 | 0.9200 | | 2399 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHD3 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 3A (TC) | 10V | 3.2ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 30V | 175 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | ||||||||
| SIRA64DP-T1-GE3 | 0.3715 | | 2544 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIRA64 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3420 pf @ 15 V | - | 27.8W (TC) | ||||||||
 | Irf9520pbf | 1.2900 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9520 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf9520pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||||||
 | SI1070X-T1-E3 | - | | 1268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1070 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 1.2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 99mohm @ 1.2a, 4.5V | 1.55V @ 250 µA | 8.3 NC @ 5 V | ± 12V | 385 pf @ 15 V | - | 236MW (TA) | |||||||
 | SI2342DS-T1-BE3 | 0.5100 | | 3935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Si2342ds-t1-be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 6a (TA), 6a (TC) | 1.2V, 4.5V | 17mohm @ 7.2a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 15.8 NC @ 4.5 V | ± 5V | 1070 pf @ 4 V | - | 1.3W (TA), 2.5W (TC) |
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