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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF740ATRLPBF | 3.0900 |  | 9742 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
 | IRFRC20TRLPBF-BE3 | 1.8000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFRC20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFRC20TRLPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | IRFP22N50APBF | 5.5300 | | 4518 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP22 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFP22N50APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 22a (TC) | 10V | 230mohm @ 13a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 3450 pf @ 25 V | - | 277W (TC) | ||||
 | SI4804CDY-T1-GE3 | 0.7600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4804 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 22mohm @ 7.5a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 23nc @ 10V | 865pf @ 15V | - | |||||||
| SiHW21N80AE-GE3 | 4.7800 | | 3139 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHW21 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2266-SiHW21N80AE-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 800 V | 17.4a (TC) | 10V | 235mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 1388 pf @ 100 V | - | 32W (TC) | ||||
 | SI1413EDH-T1-E3 | - | | 7428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1413 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 115mohm @ 2.9a, 4.5V | 450MV @ 100 µA (min) | 8 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1W (TA) | |||||
 | SI7228DN-T1-GE3 | - | | 7066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7228 | Mosfet (Óxido de metal) | 23W | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 26A | 20mohm @ 8.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 13NC @ 10V | 480pf @ 15V | - | |||||||
 | SI2318CDS-T1-GE3 | 0.4600 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2318 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 5.6a (TC) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 4.3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 9 NC @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 20 V | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) | ||||
 | SIHP14N60E-BE3 | 2.3600 | | 978 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 30V | 1205 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||||
 | IRFR9020 | - | | 6135 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9020 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR9020 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 50 V | 9.9a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||
| Si4346dy-t1-e3 | - | | 7317 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4346 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 5.9a (TA) | 2.5V, 10V | 23mohm @ 8a, 10v | 2V @ 250 µA | 10 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.31W (TA) | ||||||
 | SI3909DV-T1-GE3 | - | | 8836 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3909 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.15W | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | - | 200mohm @ 1.8a, 4.5V | 500mV @ 250 µA (min) | 4NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI1021R-T1-GE3 | 0.5500 | | 43 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | SI1021 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 190MA (TA) | 4.5V, 10V | 4ohm @ 500 mA, 10V | 3V @ 250 µA | 1.7 NC @ 15 V | ± 20V | 23 pf @ 25 V | - | 250MW (TA) | ||||
| IRF710SPBF | 1.6000 | | 1793 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF710 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF710SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | ||||
 | SQJQ112E-T1_GE3 | 3.6600 | | 8398 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 296a (TC) | 10V | 2.53mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 272 NC @ 10 V | ± 20V | 15945 pf @ 25 V | - | 600W (TC) | ||||||
 | SI7431DP-T1-E3 | 4.0900 | | 6994 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7431 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 200 V | 2.2a (TA) | 6V, 10V | 174mohm @ 3.8a, 10v | 4V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
| IRFR9020TRPBF | 1.8700 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9020 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 50 V | 9.9a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||||
 | SI7942DP-T1-GE3 | 2.9100 | | 4729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7942 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 100V | 3.8a | 49mohm @ 5.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 24nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SI6981DQ-T1-E3 | - | | 9611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6981 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.1a | 31mohm @ 4.8a, 4.5V | 900mv @ 300 µA | 25NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI7998DP-T1-GE3 | 1.5900 | | 9071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7998 | Mosfet (Óxido de metal) | 22W, 40W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 25a, 30a | 9.3mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 26nc @ 10V | 1100pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | 2N5116JTVL02 | - | | 1489 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N5116 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||
 | SI2367DS-T1-BE3 | 0.4100 | | 7592 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Si2367ds-t1-be3tr | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.8a (TA), 3.8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 66mohm @ 2.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 23 NC @ 8 V | ± 8V | 561 pf @ 10 V | - | 960MW (TA), 1.7W (TC) | ||||||
 | SIDR570EP-T1-RE3 | 3.0300 | | 8461 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 30.8a (TA), 90.9a (TC) | 7.5V, 10V | 7.9mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 3740 pf @ 75 V | - | 7.5W (TA), 150W (TC) | |||||||
| Si4401dy-t1-ge3 | - | | 8411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4401 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 8.7a (TA) | 4.5V, 10V | 15.5mohm @ 10.5a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 50 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
| SI6544BDQ-T1-GE3 | - | | 9899 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6544 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 30V | 3.7a, 3.8a | 43mohm @ 3.8a, 10v | 3V @ 250 µA | 15NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Sis439dnt-t1-ge3 | - | | 2883 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SIS439 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 14a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 2135 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 52.1W (TC) | |||||
| SI7904DN-T1-GE3 | - | | 7903 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7904 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 5.3a | 30mohm @ 7.7a, 4.5V | 1V @ 935 µA | 15NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SQ4532AEY-T1_GE3 | 0.8800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4532 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.3w | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 7.3a (TC), 5.3a (TC) | 31mohm @ 4.9a, 10v, 70mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 7.8nc @ 10V, 10.2nc @ 10V | 535pf @ 15V, 528pf @ 15V | - | ||||||||
 | SQM40022E_GE3 | 1.7500 | | 6591 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM40022 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 150A (TC) | 10V | 1.63mohm @ 35a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 9200 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||
 | SIJ462AdP-T1-GE3 | 1.4600 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ462 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiJ462AdP-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 15.8a (TA), 39.3a (TC) | 4.5V, 10V | 7.2mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1235 pf @ 30 V | - | 3.6W (TA), 22.3W (TC) |
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