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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)
SI3440Adv-T1-GE3	0.4700	RFQ	3708	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Si3440	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	150 V	2.2a (TC)	7.5V, 10V	380mohm @ 1.5a, 10V	4V @ 250 µA	4 NC @ 10 V	± 20V	80 pf @ 75 V	-	3.6W (TC)
SiHB24N65ET5-GE3	3.7126	RFQ	2444	Vishay Siliconix	mi	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SiHB24	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	650 V	24a (TC)	10V	145mohm @ 12a, 10v	4V @ 250 µA	122 NC @ 10 V	± 30V	2740 pf @ 100 V	-	250W (TC)
Sq4937ey-t1_ge3	1.2300	RFQ	1	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Sq4937	Mosfet (Óxido de metal)	3.3w	8-Soico	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal P (Dual)		30V	5A (TC)		75mohm @ 3.9a, 10v	2.5V @ 250 µA	15NC @ 10V		480pf @ 25V	-
Sir880Adp-T1-GE3	1.8600	RFQ	1429	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sir880	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	80 V	60A (TC)	4.5V, 10V	6.3mohm @ 20a, 10v	3V @ 250 µA	72 NC @ 10 V	± 20V	2289 pf @ 40 V	-	5.4W (TA), 83W (TC)
IRFI9620GPBF	2.4800	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	Irfi9620	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		*Irfi9620gpbf	EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P	200 V	3A (TC)	10V	1.5ohm @ 1.8a, 10V	4V @ 250 µA	15 NC @ 10 V	± 20V	340 pf @ 15 V	-	30W (TC)
SI4860DY-T1-GE3	-	RFQ	6131	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4860	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	30 V	11a (TA)	4.5V, 10V	8mohm @ 16a, 10v	1V @ 250 µA (min)	18 NC @ 4.5 V	± 20V		-	1.6w (TA)
SISS92DN-T1-GE3	1.2000	RFQ	5690	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8s	SISS92	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8s	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	250 V	3.4a (TA), 12.3a (TC)	7.5V, 10V	173mohm @ 3.6a, 10v	4V @ 250 µA	16 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 125 V	-	5.1W (TA), 65.8W (TC)
Si4542dy-T1-E3	-	RFQ	9072	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4542	Mosfet (Óxido de metal)	2W	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	Vecino del canal		30V	-		25mohm @ 6.9a, 10v	1V @ 250 µA (min)	50nc @ 10V		-	Puerta de Nivel Lógico
Sum90330e-ge3	1.7200	RFQ	9823	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Sum90330	Mosfet (Óxido de metal)		TO-263 (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	200 V	35.1a (TC)	7.5V, 10V	37.5mohm @ 12.2a, 10V	4V @ 250 µA	32 NC @ 10 V	± 20V	1172 pf @ 100 V	-	125W (TC)
SI6924AEDQ-T1-GE3	-	RFQ	9759	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	Si6924	Mosfet (Óxido de metal)	1W	8-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canales (dual) Drenaje Común		28 V	4.1a		33mohm @ 4.6a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	10NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
SI1034X-T1-E3	-	RFQ	4463	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SI1034	Mosfet (Óxido de metal)	250MW	SC-89 (SOT-563F)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		20V	180 Ma		5ohm @ 200ma, 4.5V	1.2V @ 250 µA	0.75nc @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
IRF9620L	-	RFQ	6745	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IRF9620	Mosfet (Óxido de metal)		I2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)		*Irf9620l	EAR99	8541.29.0095	50		Canal P	200 V	3.5A (TC)	10V	1.5ohm @ 1.5a, 10v	4V @ 250 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	-
SIHP28N65E-GE3	2.8195	RFQ	4982	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SiHP28	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	650 V	29a (TC)	10V	112mohm @ 14a, 10v	4V @ 250 µA	140 NC @ 10 V	± 30V	3405 pf @ 100 V	-	250W (TC)
SI9434BDY-T1-GE3	-	RFQ	8281	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si9434	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	20 V	4.5a (TA)	2.5V, 4.5V	40mohm @ 6.3a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	18 NC @ 4.5 V	± 8V		-	1.3W (TA)
IRFR430ATRLPBF	0.8718	RFQ	7865	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR430	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	500 V	5A (TC)	10V	1.7ohm @ 3a, 10v	4.5V @ 250 µA	24 NC @ 10 V	± 30V	490 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IRF840ATRLPBF	2.5500	RFQ	2809	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF840	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	500 V	8a (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 30V	1018 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 125W (TC)
IRF740SPBF	2.8000	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF740	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		*IRF740SPBF	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	400 V	10a (TC)	10V	550mohm @ 6a, 10v	4V @ 250 µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 125W (TC)
IRFBC20	-	RFQ	1975	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRFBC20	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRFBC20	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	600 V	2.2a (TC)	10V	4.4ohm @ 1.3a, 10v	4V @ 250 µA	18 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	50W (TC)
SI1902CDL-T1-BE3	0.4500	RFQ	8039	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1902	Mosfet (Óxido de metal)	300MW (TA), 420MW (TC)	SC-70-6	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	742-SI1902CDL-T1-BE3TR	EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		20V	1A (TA), 1.1A (TC)		235mohm @ 1a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	3NC @ 10V		62pf @ 10V	-
SI7461DP-T1-E3	2.4000	RFQ	1301	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Si7461	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	60 V	8.6a (TA)	4.5V, 10V	14.5mohm @ 14.4a, 10v	3V @ 250 µA	190 NC @ 10 V	± 20V		-	1.9W (TA)
SI4804CDY-T1-GE3	0.7600	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4804	Mosfet (Óxido de metal)	3.1W	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)		30V	8A		22mohm @ 7.5a, 10v	2.4V @ 250 µA	23nc @ 10V		865pf @ 15V	-
IRFBC40LCSTRL	-	RFQ	3147	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRFBC40	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	600 V	6.2a (TC)	10V	1.2ohm @ 3.7a, 10v	4V @ 250 µA	39 NC @ 10 V	± 30V	1100 pf @ 25 V	-	125W (TC)
SI7414DN-T1-GE3	1.5500	RFQ	7568	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	Si7414	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	60 V	5.6a (TA)	4.5V, 10V	25mohm @ 8.7a, 10v	3V @ 250 µA	25 NC @ 10 V	± 20V		-	1.5W (TA)
SI4451DY-T1-GE3	-	RFQ	7346	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4451	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	12 V	10a (TA)	1.8V, 4.5V	8.25mohm @ 14a, 4.5V	800mv @ 850 µA	120 NC @ 4.5 V	± 8V		-	1.5W (TA)
SQ4435EY-T1_BE3	1.4400	RFQ	8199	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	SQ4435	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar		1 (ilimitado)		742-SQ4435EY-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	30 V	15A (TC)	4.5V, 10V	18mohm @ 8a, 10v	2.5V @ 250 µA	58 NC @ 10 V	± 20V	2170 pf @ 15 V	-	6.8W (TC)
IRF740LCSTRL	-	RFQ	6703	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF740	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	400 V	10a (TC)	10V	550mohm @ 6a, 10v	4V @ 250 µA	39 NC @ 10 V	± 30V	1100 pf @ 25 V	-	-
Irfi540g	-	RFQ	3101	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	Irfi540	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfi540g	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	100 V	17a (TC)	10V	77mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	72 NC @ 10 V	± 20V	1700 pf @ 25 V	-	48W (TC)
SIHF28N60EF-GE3	3.3075	RFQ	4560	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	SiHF28	Mosfet (Óxido de metal)		Paquete entero de 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	600 V	28a (TC)	10V	123mohm @ 14a, 10v	4V @ 250 µA	120 NC @ 10 V	± 30V	2714 pf @ 100 V	-	39W (TC)
SI7112DN-T1-GE3	1.7500	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	Si7112	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	11.3a (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 17.8a, 10v	1.5V @ 250 µA	27 NC @ 4.5 V	± 12V	2610 pf @ 15 V	-	1.5W (TA)
SI4178DY-T1-E3	-	RFQ	6560	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4178	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	30 V	12a (TC)	4.5V, 10V	21mohm @ 8.4a, 10v	2.8V @ 250 µA	12 NC @ 10 V	± 25V	405 pf @ 15 V	-	2.4W (TA), 5W (TC)