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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Desglose (V (BR) GSS)	Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID	Resistencia - RDS (ON)
SI5913DC-T1-GE3	-	RFQ	5112	Vishay Siliconix	Little Foot®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	Si5913	Mosfet (Óxido de metal)		1206-8 Chipfet ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	4A (TC)	2.5V, 10V	84mohm @ 3.7a, 10v	1.5V @ 250 µA	12 NC @ 10 V	± 12V	330 pf @ 10 V	Diodo Schottky (Aislado)	1.7W (TA), 3.1W (TC)
SQD50P04-13L_GE3	2.9100	RFQ	466	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SQD50	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.29.0095	2,000		Canal P	40 V	50A (TC)	4.5V, 10V	13mohm @ 17a, 10v	2.5V @ 250 µA	90 NC @ 10 V	± 20V	3590 pf @ 20 V	-	3W (TA), 136W (TC)
SI3993DV-T1-E3	-	RFQ	8921	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Si3993	Mosfet (Óxido de metal)	830MW	6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal P (Dual)		30V	1.8a		133mohm @ 2.2a, 10v	3V @ 250 µA	5NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
Si4116dy-t1-ge3	1.2500	RFQ	2837	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4116	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	25 V	18a (TC)	2.5V, 10V	8.6mohm @ 10a, 10v	1.4V @ 250 µA	56 NC @ 10 V	± 12V	1925 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 5W (TC)
SIRC04DP-T1-GE3	1.6600	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sirc04	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	60A (TC)	4.5V, 10V	2.45mohm @ 15a, 10v	2.1V @ 250 µA	56 NC @ 10 V	+20V, -16V	2850 pf @ 15 V	Diodo Schottky (Cuerpo)	50W (TC)
Irfd024pbf	1.7000	RFQ	361	Vishay Siliconix	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-DIP (0.300 ", 7.62 mm)	Irfd024	Mosfet (Óxido de metal)		4-hvmdip	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		*Irfd024pbf	EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	60 V	2.5a (TA)	10V	100mohm @ 1.5a, 10v	4V @ 250 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	640 pf @ 25 V	-	1.3W (TA)
Sir170DP-T1-RE3	1.9300	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sir170	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	23.2a (TA), 95A (TC)	4.5V, 10V	4.8mohm @ 20a, 10v	2.5V @ 250 µA	140 NC @ 10 V	± 20V	6195 pf @ 50 V	-	6.25W (TA), 104W (TC)
IRL530	-	RFQ	9746	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRL530	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL530	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	100 V	15A (TC)	4V, 5V	160mohm @ 9a, 5V	2V @ 250 µA	28 NC @ 5 V	± 10V	930 pf @ 25 V	-	88W (TC)
SUP85N10-10-GE3	6.6200	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SUP85	Mosfet (Óxido de metal)			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	100 V	85A (TC)	4.5V, 10V	10.5mohm @ 30a, 10v	3V @ 250 µA	160 NC @ 10 V	± 20V	6550 pf @ 25 V	-	3.75W (TA), 250W (TC)
SI4925DDY-T1-GE3	1.0000	RFQ	3956	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4925	Mosfet (Óxido de metal)	5W	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal P (Dual)		30V	8A		29mohm @ 7.3a, 10v	3V @ 250 µA	50nc @ 10V		1350pf @ 15V	-
Irfbe30s	-	RFQ	3563	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Irfbe30	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfbe30s	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	800 V	4.1a (TC)	10V	3ohm @ 2.5a, 10v	4V @ 250 µA	78 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	125W (TC)
2N4393	-	RFQ	8910	Vishay Siliconix	-	Una granela	Obsoleto	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-206AA, a 18-3 Lata de metal	2N4393		1.8 W	TO-206AA (A 18)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	200		N-canal								14pf @ 20V			40 V	5 Ma @ 20 V	500 MV @ 1 Na	100 ohmios
SQM120N04-1M7L_GE3	3.4300	RFQ	3976	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Sqm120	Mosfet (Óxido de metal)		Un 263	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	40 V	120a (TC)	4.5V, 10V	1.7mohm @ 30a, 10v	2.5V @ 250 µA	285 NC @ 10 V	± 20V	14606 pf @ 20 V	-	375W (TC)
SIA911EDJ-T1-GE3	-	RFQ	8750	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-70-6 Dual	SIA911	Mosfet (Óxido de metal)	7.8w	Powerpak® SC-70-6 Dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal P (Dual)		20V	4.5a		101mohm @ 2.7a, 4.5V	1V @ 250 µA	11NC @ 8V		-	Puerta de Nivel Lógico
SIHF12N50C-E3	5.2600	RFQ	994	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	SiHF12	Mosfet (Óxido de metal)		Paquete entero de 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	500 V	12a (TC)	10V	555mohm @ 4a, 10v	5V @ 250 µA	48 NC @ 10 V	± 30V	1375 pf @ 25 V	-	36W (TC)
SiHK085N60EF-T1GE3	7.1500	RFQ	5761	Vishay Siliconix	EF	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-PowerBSFN	Sihk085	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak®10 x 12	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SiHK085N60EF-T1GE3TR	EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	600 V	30A (TC)	10V	85mohm @ 17a, 10v	5V @ 250 µA	63 NC @ 10 V	± 30V	2733 pf @ 100 V	-	184W (TC)
SI7214DN-T1-E3	-	RFQ	1688	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8 dual	Si7214	Mosfet (Óxido de metal)	1.3w	Powerpak® 1212-8 dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		30V	4.6a		40mohm @ 6.4a, 10V	3V @ 250 µA	6.5nc @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
IRLR024PBF	1.6800	RFQ	6921	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRLR024	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	75		N-canal	60 V	14a (TC)	4V, 5V	100mohm @ 8.4a, 5V	2V @ 250 µA	18 NC @ 5 V	± 10V	870 pf @ 25 V	-	42W (TC)
IRLU014PBF	1.2900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IRLU014	Mosfet (Óxido de metal)		Un 251AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		*IRLU014PBF	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal	60 V	7.7a (TC)	4V, 5V	200mohm @ 4.6a, 5V	2V @ 250 µA	8.4 NC @ 5 V	± 10V	400 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SIE836DF-T1-E3	-	RFQ	8315	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	10-polarpak® (sh)	SIE836	Mosfet (Óxido de metal)		10-polarpak® (sh)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	200 V	18.3a (TC)	10V	130mohm @ 4.1a, 10V	4.5V @ 250 µA	41 NC @ 10 V	± 30V	1200 pf @ 100 V	-	5.2W (TA), 104W (TC)
Sir494dp-t1-ge3	1.1500	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sir494	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	12 V	60A (TC)	4.5V, 10V	1.2mohm @ 20a, 10v	2.5V @ 250 µA	150 NC @ 10 V	± 20V	6900 pf @ 6 V	-	6.25W (TA), 104W (TC)
SiHB24N65ET5-GE3	3.7126	RFQ	2444	Vishay Siliconix	mi	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SiHB24	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	650 V	24a (TC)	10V	145mohm @ 12a, 10v	4V @ 250 µA	122 NC @ 10 V	± 30V	2740 pf @ 100 V	-	250W (TC)
SI7540DP-T1-GE3	-	RFQ	8016	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8 Dual	Si7540	Mosfet (Óxido de metal)	1.4w	Powerpak® SO-8 Dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	Vecino del canal		12V	7.6a, 5.7a		17mohm @ 11.8a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	17NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
SI3443DDV-T1-GE3	0.4300	RFQ	6970	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Si3443	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	4A (TA), 5.3a (TC)	2.5V, 4.5V	47mohm @ 4.5a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	30 NC @ 8 V	± 12V	970 pf @ 10 V	-	1.7W (TA), 2.7W (TC)
IRFR010TRLPBF	0.6218	RFQ	8020	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR010	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	50 V	8.2a (TC)	10V	200mohm @ 4.6a, 10v	4V @ 250 µA	10 NC @ 10 V	± 20V	250 pf @ 25 V	-	25W (TC)
SQP90142E_GE3	-	RFQ	4880	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SQP90142	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	1		N-canal	200 V	78.5a (TC)	10V	15.3mohm @ 20a, 10v	3.5V @ 250 µA	85 NC @ 10 V	± 20V	4200 pf @ 25 V	-	250W (TC)
SQJ148EP-T1_GE3	0.6900	RFQ	8962	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sqj148	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	15A (TC)	4.5V, 10V	33mohm @ 7a, 10v	2.5V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	600 pf @ 25 V	-	45W (TC)
IRF614Strpbf	1.0272	RFQ	6477	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF614	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	250 V	2.7a (TC)	10V	2ohm @ 1.6a, 10v	4V @ 250 µA	8.2 NC @ 10 V	± 20V	140 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 36W (TC)
IRFR1N60ATRPBF	1.5500	RFQ	985	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR1	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	600 V	1.4a (TC)	10V	7ohm @ 840 mm, 10v	4V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 30V	229 pf @ 25 V	-	36W (TC)
Irfbf20strr	-	RFQ	9935	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Irfbf20	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	900 V	1.7a (TC)	10V	8ohm @ 1a, 10v	4V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 20V	490 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 54W (TC)